-
公开(公告)号：CN110770881A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201880041196.5
申请日：2018-06-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311 , G03F7/20
Abstract: 提供了一种形成平板显示器的方法，尤其是形成高像素密度的平板显示器的方法。蚀刻的方法可包括沉积铜层在基板上，沉积硬掩模在所述铜层上，图案化所述硬掩模以暴露铜层的第一部分，并移除铜的暴露的部分以形成互连件。移除铜的暴露的部分包括干式蚀刻铜的暴露的部分，并将铜的暴露的部分暴露于紫外线辐射。
-
公开(公告)号：CN109863573A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201680090320.8
申请日：2016-12-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 伯纳德·G·穆勒 , 张雪娜 , 彼得·努南 , 库普雷特·辛格·维迪
Abstract: 描述一种用于检查基板的方法。所述方法包括：在真空腔室中提供基板，所述基板是大面积基板，其中所述基板具有薄膜，所述薄膜具有沉积在所述基板上的晶粒结构；用成像带电粒子束显微镜产生一次带电粒子束，其中所述一次带电粒子束撞击在所述真空腔室中的所述基板上；以及从在所述一次带电粒子束撞击时从所述基板释放的信号粒子产生一个或多个图像，其中所述一个或多个图像是形貌图像。
-
公开(公告)号：CN110770881B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201880041196.5
申请日：2018-06-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311 , G03F7/20
Abstract: 提供了一种形成平板显示器的方法，尤其是形成高像素密度的平板显示器的方法。蚀刻的方法可包括沉积铜层在基板上，沉积硬掩模在所述铜层上，图案化所述硬掩模以暴露铜层的第一部分，并移除铜的暴露的部分以形成互连件。移除铜的暴露的部分包括干式蚀刻铜的暴露的部分，并将铜的暴露的部分暴露于紫外线辐射。
-
公开(公告)号：CN108475620B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201780006372.7
申请日：2017-01-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/66 , H01L29/417 , H01L29/49 , H01L29/786
Abstract: 本公开内容的实施方式一般地涉及用于形成具有金属氧化物层的TFT的方法。所述方法可以包括形成金属氧化物层并且用含氟的气体或等离子体处理金属氧化物层。对金属氧化物层的氟处理帮助填充金属氧化物沟道层中的氧空位，从而产生更稳定的TFT并且防止TFT中的负阈值电压。
-
公开(公告)号：CN107810555B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201680023536.2
申请日：2016-06-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L27/32
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于在液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)及有机发光二极管(organic light‑emitting diode,OLED)显示器中使用低温多晶硅(low temperature polysilicon,LTPS)薄膜晶体管的方法及装置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107810555A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201680023536.2
申请日：2016-06-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1248 , H01L27/3262 , H01L29/78675
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于在液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)及有机发光二极管(organic light‑emitting diode,OLED)显示器中使用低温多晶硅(low temperature polysilicon,LTPS)薄膜晶体管的方法及装置。
-
公开(公告)号：CN108700788B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201780014750.6
申请日：2017-01-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343
Abstract: 本公开内容的实施方式大体上提供形成具有高电容和低泄漏的电容器的方法以及用于薄膜晶体管(TFT)应用的良好的界面控制。在一个实施方式中，一种薄膜晶体管结构包括形成在薄膜晶体管器件中的电容器。电容器进一步包括设置在基板上的公共电极、形成在公共电极上的介电层和形成在介电层上的像素电极。界面保护层形成在公共电极与介电层之间，或介电层与像素电极之间。由高k材料制成的栅极绝缘层也可用于薄膜晶体管结构。
-
公开(公告)号：CN108475620A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780006372.7
申请日：2017-01-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/66 , H01L29/417 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01L29/7869
Abstract: 本公开内容的实施方式一般地涉及用于形成具有金属氧化物层的TFT的方法。所述方法可以包括形成金属氧化物层并且用含氟的气体或等离子体处理金属氧化物层。对金属氧化物层的氟处理帮助填充金属氧化物沟道层中的氧空位，从而产生更稳定的TFT并且防止TFT中的负阈值电压。
-
公开(公告)号：CN114744048A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210217020.9
申请日：2016-06-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/32 , H01L27/12 , G02F1/136
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于在液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)及有机发光二极管(organic light‑emitting diode,OLED)显示器中使用低温多晶硅(low temperature polysilicon,LTPS)薄膜晶体管的方法及装置。
-
公开(公告)号：CN109863573B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201680090320.8
申请日：2016-12-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 伯纳德·G·穆勒 , 张雪娜 , 彼得·努南 , 库普雷特·辛格·维迪
Abstract: 描述一种用于检查基板的方法。所述方法包括：在真空腔室中提供基板，所述基板是大面积基板，其中所述基板具有薄膜，所述薄膜具有沉积在所述基板上的晶粒结构；用成像带电粒子束显微镜产生一次带电粒子束，其中所述一次带电粒子束撞击在所述真空腔室中的所述基板上；以及从在所述一次带电粒子束撞击时从所述基板释放的信号粒子产生一个或多个图像，其中所述一个或多个图像是形貌图像。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.022 seconds)
