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公开(公告)号：CN105009297B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201480011873.0
申请日：2014-03-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明通常有关于测量针孔的确认方法。在一方面，提供了在叠层中测量针孔的方法，所述叠层例如是薄膜晶体管叠层。所述方法可包括形成有源层于基板的沉积表面上、形成介电层于有源层之上、传送蚀刻剂于至少所述介电层，以蚀刻介电层与形成于介电层中的任何的针孔两者，以及使用有源层对蚀刻过的介电层的针孔密度进行光学测量。
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公开(公告)号：CN107293494A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710469679.2
申请日：2012-06-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明大体上关于用PECVD SiO2钝化保护(passivation)制造铟镓锌氧化物(IGZO)和氧化锌(ZNO)薄膜晶体管的方法。薄膜晶体管具有包括铟镓锌氧化物(IGZO)或氧化锌的有源沟道。在形成源极电极与漏极电极之后，但在保护层或蚀刻停止层沉积于其上之前，将该有源沟道暴露于一氧化二氮(N2O)等离子体或氧气等离子体。在形成源极电极与漏极电极的过程中，有源沟道与保护层或蚀刻停止层之间的界面会有所改变或损坏。一氧化二氮等离子体或氧气等离子体改变并修复有源沟道与保护层或蚀刻停止层之间的界面。
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公开(公告)号：CN102859034A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020889.4
申请日：2011-04-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/50 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67712 , C23C16/4587 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/511 , C23C16/54 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J37/32889 , H01J37/32899 , H01L21/67098 , H01L21/67126 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67201
Abstract: 本发明大体上关于一种垂直CVD系统，所述CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。尽管将所述多个基板安置于所述处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。所述处理源为水平居中的垂直等离子体发生器，所述垂直等离子体发生器允许在所述等离子体发生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将所述系统配置为双系统，凭借所述双系统将各自具有它们自己的处理腔室的两个相同的处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以从处理系统装载且卸载所述基板。每一个机器人可使用所述系统内的两个处理线。
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公开(公告)号：CN119325748A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202380039979.0
申请日：2023-05-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10D30/01 , H01L21/477 , H10D30/67
Abstract: 提供了一种形成TFT的方法，所述方法包括在基板上方形成缓冲层。在缓冲层上方形成金属氧化物沟道层，并且使沟道层退火。在沟道层上方形成栅极绝缘体层，并且在栅极绝缘体层上方沉积ILD以形成TFT。就第一退火条件使TFT退火以形成经退火TFT。经退火TFT是短路的或包括约0伏或更小的第一阈值电压。就第二退火条件使经退火TFT退火以形成经再生TFT，经再生TFT具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，第二退火条件包括约150℃至约275℃的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113841263B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201980094735.6
申请日：2019-07-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10K50/844 , H10K59/12 , H01L29/786
Abstract: 本公开内容的实施方式大体涉及有机发光二极管装置，并且更特别涉及用于OLED装置的湿气阻挡膜。OLED装置包括薄膜封装结构和/或薄膜晶体管。湿气阻挡膜被用来作为薄膜封装结构中的第一阻挡层和薄膜晶体管中的钝化层和/或栅极绝缘层。湿气阻挡膜包括氮氧化硅材料，氮氧化硅材料具有小于约1.5的低折射率、小于约5.0×10‑5g/m2/天的低水蒸气穿透率和小于约8％的低氢含量。
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公开(公告)号：CN111066121B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201880058910.1
申请日：2018-09-10
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 在一个实施方式中，提供一种用于清洁处理腔室的方法。所述方法包含将反应性物种引入具有残余的高介电常数介电材料的处理腔室中，所述残余的高介电常数介电材料形成在处理腔室的一个或多个内表面上。反应性物种由含卤素气体混合物形成，并且一个或多个内表面包括具有涂层材料形成在其上的至少一个表面。所述方法进一步包含使残余的高介电常数介电材料与反应性物种反应以形成挥发性产物。所述方法进一步包含从处理腔室去除挥发性产物。所述残余的高介电常数介电材料的去除速率大于涂层材料的去除速率。高介电常数介电材料选自二氧化锆(ZrO2)和二氧化铪(HfO2)。涂层材料包括选自氧化铝(Al2O3)、含钇化合物和上述两者的组合的化合物。
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公开(公告)号：CN114651085A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202080076497.9
申请日：2020-05-11
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种使用溅射沉积源在基板上沉积薄膜晶体管的层的方法(480、580)，所述溅射沉积源包括至少一个第一电极对和至少一个第二电极对，所述方法包括将所述基板移动(482、582)到第一真空腔室；通过为所述至少一个第一电极对供应双极脉冲DC电压来在所述基板上沉积(484、584)所述层的第一层，其中所述第一层的第一材料包括第一金属氧化物；在不破坏真空的情况下将所述基板从所述第一真空腔室移动(486、586)到第二真空腔室；和通过为所述至少一个第二电极对供应双极脉冲DC电压来在所述第一层上沉积(488、588)所述层的第二层，其中所述第二层的第二材料包括第二金属氧化物，所述第二材料不同于所述第一材料。
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公开(公告)号：CN113994478A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080041820.9
申请日：2020-06-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/786
Abstract: 本文的多个实施方式包括薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管包括具有不同迁移率的层的沟道层堆叠物。由于高迁移率沟道层和/或多个高迁移率沟道层中的载流子密度更高，本文公开的TFT通过低迁移率和高迁移率沟道层传输更高的总电流，这样增加了TFT的响应速度。TFT进一步包括设置在沟道层堆叠物之上的栅极结构。栅极结构包括一个或多个栅极电极，并且因此TFT是顶部栅极(TG)、双栅极(DG)或底部栅极(BG)TFT。沟道层堆叠物包括具有不同迁移率的多个层。具有不同迁移率的层给予TFT各种益处。高迁移率层增加了TFT的响应速度。
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公开(公告)号：CN113841263A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201980094735.6
申请日：2019-07-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L51/52 , H01L51/56 , H01L27/32 , H01L29/786
Abstract: 本公开内容的实施方式大体涉及有机发光二极管装置，并且更特别涉及用于OLED装置的湿气阻挡膜。OLED装置包括薄膜封装结构和/或薄膜晶体管。湿气阻挡膜被用来作为薄膜封装结构中的第一阻挡层和薄膜晶体管中的钝化层和/或栅极绝缘层。湿气阻挡膜包括氮氧化硅材料，氮氧化硅材料具有小于约1.5的低折射率、小于约5.0×10‑5g/m2/天的低水蒸气穿透率和小于约8％的低氢含量。
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