公开(公告)号：CN101842879A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880114295.8

申请日：2008-11-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野野村胜 ,  水上达弘

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J2237/0206

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在将处理对象物收容在处理室内进行等离子体处理的等离子体处理中，在放电检测传感器接收根据等离子体放电的变化而诱发的电位变化的信号，并作为表示电位变化的信号数据暂时记录在信号记录部中，参照记录的信号数据，由信号解析部抽取放电开始波的计数值、异常放电的计数值、微小电弧放电的计数值等表示等离子体放电状态的指标数据，通过由装置控制部监视指标数据而判定等离子体放电的状态，执行为了适当地进行等离子体处理动作的重试处理、累积等离子体处理、维修判定处理。

公开(公告)号：CN101730927A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200880023867.1

申请日：2008-07-03

Applicant: 高美科株式会社

Inventor： 张敬翼 ,  芮庚焕 ,  金三雄 ,  林容涉

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/16 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/022

Abstract: 一种离子注入机，包括处理室和涂层。处理室容纳基板，并且提供用于在基板上进行离子注入处理的空间。涂层设在处理室的内壁上以减小基板的污染，并且包括与基板相同的材料。

公开(公告)号：CN101636811A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200780049064.9

申请日：2007-12-20

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 黄永章 ,  阙维国 ,  张锦程

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/248 ,  H01J37/302

CPC classification number: H01J37/248 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/0432 ,  H01J2237/08

Abstract: 本发明公开一种射束控制电路和方法，通过减小离子束的工作因数以最小化离子植入系统内颗粒污染。在一个实施例中，射束控制电路包括与电源及离子植入系统的离子源部分相串联的高压开关，其中，开关可被操作以中断或重新建立电源与离子源的电极之间的连接，电极包括用于产生等离子体的电极。射束控制电路还包括开关控制器，其可操作地通过控制开关在离子植入开始之前闭合并且控制开关在植入完成之后或在不需要射束的其它时间断开，以控制离子束的工作因数，从而最小化射束工作因数和颗粒污染。射束控制技术可被应用于晶片掺杂植入和减小工作因数。用于高压开关的保护电路吸收来自电抗元件的能量并且钳止任何过电压。

公开(公告)号：CN101490816A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780025076.8

申请日：2007-07-02

Applicant: 学校法人立命馆 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫野尚哉 ,  松本俊行 ,  池内直树 ,  守屋刚

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/00

CPC classification number: H05H1/0006 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0206

Abstract: 等离子体异常放电诊断系统具备：数据获取部(21)，其获取随着等离子体的状态而变动的时间序列数据；平移误差运算部(24)，其根据通过数据获取部(21)获取的时间序列数据，算出表示确定性的值，该值成为等离子体的时间序列数据是确定的数据还是或然的数据的指标；以及异常放电判断部(26)，其在上述等离子体产生中由上述确定性导出单元算出的表示确定性的值在规定的阈值以下的情况下，判断为上述等离子体是异常放电状态。表示确定性的值例如能够使用平移误差或者排列熵。在作为表示确定性的值而使用排列熵的情况下，具备排列熵运算部。

公开(公告)号：CN101404245A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810174971.2

申请日：2003-09-24

Applicant: 兰姆研究有限公司

Inventor： A·菲舍尔

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J2237/0206 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6831

Abstract: 提供一种用于减小在蚀刻工艺期间的晶片损伤的方法。在许多实施例的其中之一中，该方法包括对至少一个蚀刻工艺中的每一个分配偏压，并在至少一个蚀刻工艺中的其中之一开始之前产生所分配的偏压。该方法还包括在至少一个蚀刻工艺的其中之一开始之前将所分配的偏压施加于晶片卡盘。所分配的偏压电平减小晶片弧化。

公开(公告)号：CN100468613C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200510090505.2

申请日：2005-08-17

Applicant: 纳峰科技私人有限公司

Inventor： 史旭 ,  谢丽康

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C23F4/00 ,  H05H1/24 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31138 ,  B29C33/72 ,  H01J37/32027 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02068 ,  H01L2224/85009 ,  H01L2224/85013 ,  H05K3/26

Abstract: 本发明公开了一种从基体如IC元件去除材料的方法和装置。该方法包括：给抽真空的腔体中的电极提供电源，并在腔体中生成等离子体，然后使基体表面与等离子体的离子、原子和自由基中的至少一种进行接触。供给电极的电源优选为DC电源，其是变量，且该电源优选为脉冲电压从而防止电弧放电。

公开(公告)号：CN100444328C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN03825479.4

申请日：2003-09-24

Applicant: 兰姆研究有限公司

Inventor： A·菲舍尔

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J2237/0206 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6831

Abstract: 提供一种用于减小在蚀刻工艺期间的晶片损伤的方法。在许多实施例的其中之一中，该方法包括对至少一个蚀刻工艺中的每一个分配偏压，并在至少一个蚀刻工艺中的其中之一开始之前产生所分配的偏压。该方法还包括在至少一个蚀刻工艺的其中之一开始之前将所分配的偏压施加于晶片卡盘。所分配的偏压电平减小晶片弧化。

公开(公告)号：CN1304103C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN03810273.0

申请日：2003-05-07

Applicant: 达纳公司

Inventor： S·库马尔 ,  D·库马尔

IPC: B01J19/08

CPC classification number: H05B6/68 ,  B01D53/92 ,  B01D2258/01 ,  B01D2259/818 ,  B01J19/088 ,  B01J19/126 ,  B01J2219/00063 ,  B01J2219/00193 ,  B01J2219/002 ,  B01J2219/00213 ,  B01J2219/0024 ,  B01J2219/0892 ,  B01J2219/0894 ,  B01J2219/1269 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C22B4/005 ,  F01N3/202 ,  F01N3/206 ,  F01N13/10 ,  F01N2240/28 ,  F01N2610/08 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32366 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/33 ,  H01J2237/336 ,  H01J2237/338 ,  H05B6/6402 ,  H05B6/806 ,  H05B2206/044 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4607 ,  H05H2001/4652 ,  Y02B40/143 ,  Y02T10/26

Abstract: 本发明提供了用于合成碳结构的用于激发、调节和维持等离子体的方法和装置。在一个实施例中，提供了用于合成碳结构的方法，包括在等离子体催化剂存在的情况下，通过使气体受到电磁辐射来形成等离子体，将至少一种含碳材料加入所述等离子体以在衬底上生长碳结构。本发明中还提供了多种类型的等离子体催化剂。

公开(公告)号：CN1653574A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810274.9

申请日：2003-05-07

Applicant: 达纳公司

Inventor： S·库马尔 ,  D·库马尔

IPC: H01J7/24 ,  H01J19/08

CPC classification number: H05B6/68 ,  B01D53/92 ,  B01D2258/01 ,  B01D2259/818 ,  B01J19/088 ,  B01J19/126 ,  B01J2219/00063 ,  B01J2219/00193 ,  B01J2219/002 ,  B01J2219/00213 ,  B01J2219/0024 ,  B01J2219/0892 ,  B01J2219/0894 ,  B01J2219/1269 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C22B4/005 ,  F01N3/202 ,  F01N3/206 ,  F01N13/10 ,  F01N2240/28 ,  F01N2610/08 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32366 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/33 ,  H01J2237/336 ,  H01J2237/338 ,  H05B6/6402 ,  H05B6/806 ,  H05B2206/044 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4607 ,  H05H2001/4652 ,  Y02B40/143 ,  Y02T10/26

Abstract: 本发明提供了等离子体辅助气体产生的方法和装置。在一个实施例中，包括至少一种原子或分子种类的气体流入腔(305)。使该气体受到频率小于约333GHz(可选地在等离子体催化剂存在的情况下)的电磁辐射，在腔(305)中形成等离子体(310)。过滤器(315)与该腔(305)流体连通，它能使所述原子或分子种类通过，但阻止其它种类通过。用这种方法，所选的种类可以被提取和收集，用于存储或直接使用。

公开(公告)号：CN1652893A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810265.X

申请日：2003-05-07

Applicant: 达纳公司

Inventor： M·L·大多尔蒂 ,  D·库马尔 ,  S·库马尔

IPC: B23K26/00

CPC classification number: H05B6/68 ,  B01D53/92 ,  B01D2258/01 ,  B01D2259/818 ,  B01J19/088 ,  B01J19/126 ,  B01J2219/00063 ,  B01J2219/00193 ,  B01J2219/002 ,  B01J2219/00213 ,  B01J2219/0024 ,  B01J2219/0892 ,  B01J2219/0894 ,  B01J2219/1269 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C22B4/005 ,  F01N3/202 ,  F01N3/206 ,  F01N13/10 ,  F01N2240/28 ,  F01N2610/08 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32366 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/33 ,  H01J2237/336 ,  H01J2237/338 ,  H05B6/6402 ,  H05B6/806 ,  H05B2206/044 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4607 ,  H05H2001/4652 ,  Y02B40/143 ,  Y02T10/26

Abstract: 本发明提供了在生产线中用于等离子体辅助处理多个工件的方法及装置。在一个实施例中，该方法可以包括将工件(320)放置在可动运载部分上，将输送装置(310)上的运载部分移入辐射区域，使气体流入辐射区域，激发辐射区域中的气体以形成等离子体(例如，通过在等离子体催化剂存在的情况下使气体受到电磁辐射的方式)，维持等离子体一段足够长的时间以至少部分地等离子体处理辐射区域中的至少一个工件(320)，并且推进输送装置(310)将至少一个等离子体处理过的工件移出辐射区域。本发明还提供了各种类型的等离子体催化剂。