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公开(公告)号:CN106661732A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201580027337.4
申请日:2015-06-10
Applicant: 六号元素技术有限公司
Inventor: J·R·布兰登 , I·福里尔 , M·A·库珀 , G·A·斯卡斯布鲁克 , B·L·格林
IPC: C23C16/511 , C23C16/513
CPC classification number: H01J37/32201 , C23C16/274 , C23C16/458 , C23C16/511 , C30B25/105 , C30B25/205 , C30B29/04 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32247 , H01J37/32284 , H01J37/32293 , H01J37/32302 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , C23C16/513
Abstract: 一种用于通过化学气相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器,该微波等离子体反应器包含:等离子体腔室,所述等离子体腔室限定用以支持具有主微波谐振模式频率f的主微波谐振模式的谐振腔;多个微波源,所述多个微波源耦合至等离子体腔室以生成具有总微波功率PT的微波并将其供入等离子体腔室中;气体流动系统,所述气体流动系统用于将工艺气体供入等离子体腔室以及将它们从那里去除;和基底支座,所述基底支座设置在等离子体腔室中并且包含用于支持基底的支持表面,在使用中合成金刚石材料有待沉积在所述基底上,其中配置所述多个微波源以便以主微波谐振模式频率f将总微波功率PT的至少30%耦合到等离子体腔室中,并且其中所述多个微波源中的至少一些是固态微波源。
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公开(公告)号:CN103608892A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN201280020919.6
申请日:2012-04-25
Applicant: 塞勒姆电子与微波工业应用研究公司
Inventor: 阿德里安·格朗德芒格 , 让-玛丽·雅各米诺 , 玛丽莱娜·拉多尤 , 路易斯·拉特拉斯
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H05B6/6447 , H01J37/32009 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/32229 , H01J37/32266 , H01J37/32302 , H01J37/32311 , H01J37/32678 , H05B6/664 , H05B6/74
Abstract: 本发明涉及一种负载微波处理设备,包括至少一个应用装置(30);至少一个固态类型的在微波范围内的发生器(4),该发生器通过用于引导电磁波的装置(5)连接到至少一个应用装置(30);至少一个频率调整系统(40),该频率调整系统设计用于调整所述对应的发生器(4)产生的电磁波的频率;所述或每个应用装置(30)的测量系统(31),该测量系统设计用于测量由该应用装置(30)发射的反射功率PR(i);自动控制装置(6),该自动控制装置连接至所述或每个频率调整系统(40)和每个测量系统(31),从而根据该发射的功率控制对电磁波频率f(i)的调整,进而调整反射功率PR(i)和/或调整发射功率PT(i)。
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公开(公告)号:CN1304103C
公开(公告)日:2007-03-14
申请号:CN03810273.0
申请日:2003-05-07
Applicant: 达纳公司
IPC: B01J19/08
CPC classification number: H05B6/68 , B01D53/92 , B01D2258/01 , B01D2259/818 , B01J19/088 , B01J19/126 , B01J2219/00063 , B01J2219/00193 , B01J2219/002 , B01J2219/00213 , B01J2219/0024 , B01J2219/0892 , B01J2219/0894 , B01J2219/1269 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C22B4/005 , F01N3/202 , F01N3/206 , F01N13/10 , F01N2240/28 , F01N2610/08 , H01J37/32009 , H01J37/32192 , H01J37/32302 , H01J37/32366 , H01J2237/0206 , H01J2237/33 , H01J2237/336 , H01J2237/338 , H05B6/6402 , H05B6/806 , H05B2206/044 , H05H1/46 , H05H2001/4607 , H05H2001/4652 , Y02B40/143 , Y02T10/26
Abstract: 本发明提供了用于合成碳结构的用于激发、调节和维持等离子体的方法和装置。在一个实施例中,提供了用于合成碳结构的方法,包括在等离子体催化剂存在的情况下,通过使气体受到电磁辐射来形成等离子体,将至少一种含碳材料加入所述等离子体以在衬底上生长碳结构。本发明中还提供了多种类型的等离子体催化剂。
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公开(公告)号:CN1653574A
公开(公告)日:2005-08-10
申请号:CN03810274.9
申请日:2003-05-07
Applicant: 达纳公司
CPC classification number: H05B6/68 , B01D53/92 , B01D2258/01 , B01D2259/818 , B01J19/088 , B01J19/126 , B01J2219/00063 , B01J2219/00193 , B01J2219/002 , B01J2219/00213 , B01J2219/0024 , B01J2219/0892 , B01J2219/0894 , B01J2219/1269 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C22B4/005 , F01N3/202 , F01N3/206 , F01N13/10 , F01N2240/28 , F01N2610/08 , H01J37/32009 , H01J37/32192 , H01J37/32302 , H01J37/32366 , H01J2237/0206 , H01J2237/33 , H01J2237/336 , H01J2237/338 , H05B6/6402 , H05B6/806 , H05B2206/044 , H05H1/46 , H05H2001/4607 , H05H2001/4652 , Y02B40/143 , Y02T10/26
Abstract: 本发明提供了等离子体辅助气体产生的方法和装置。在一个实施例中,包括至少一种原子或分子种类的气体流入腔(305)。使该气体受到频率小于约333GHz(可选地在等离子体催化剂存在的情况下)的电磁辐射,在腔(305)中形成等离子体(310)。过滤器(315)与该腔(305)流体连通,它能使所述原子或分子种类通过,但阻止其它种类通过。用这种方法,所选的种类可以被提取和收集,用于存储或直接使用。
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公开(公告)号:CN1652893A
公开(公告)日:2005-08-10
申请号:CN03810265.X
申请日:2003-05-07
Applicant: 达纳公司
IPC: B23K26/00
CPC classification number: H05B6/68 , B01D53/92 , B01D2258/01 , B01D2259/818 , B01J19/088 , B01J19/126 , B01J2219/00063 , B01J2219/00193 , B01J2219/002 , B01J2219/00213 , B01J2219/0024 , B01J2219/0892 , B01J2219/0894 , B01J2219/1269 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C22B4/005 , F01N3/202 , F01N3/206 , F01N13/10 , F01N2240/28 , F01N2610/08 , H01J37/32009 , H01J37/32192 , H01J37/32302 , H01J37/32366 , H01J2237/0206 , H01J2237/33 , H01J2237/336 , H01J2237/338 , H05B6/6402 , H05B6/806 , H05B2206/044 , H05H1/46 , H05H2001/4607 , H05H2001/4652 , Y02B40/143 , Y02T10/26
Abstract: 本发明提供了在生产线中用于等离子体辅助处理多个工件的方法及装置。在一个实施例中,该方法可以包括将工件(320)放置在可动运载部分上,将输送装置(310)上的运载部分移入辐射区域,使气体流入辐射区域,激发辐射区域中的气体以形成等离子体(例如,通过在等离子体催化剂存在的情况下使气体受到电磁辐射的方式),维持等离子体一段足够长的时间以至少部分地等离子体处理辐射区域中的至少一个工件(320),并且推进输送装置(310)将至少一个等离子体处理过的工件移出辐射区域。本发明还提供了各种类型的等离子体催化剂。
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公开(公告)号:CN103632914A
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201310018419.5
申请日:2013-01-18
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/32192 , H01J37/32302 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 本发明提供一种具备供给可宽范围并且高精度地控制的进行了时间调制的高频电力的高频电源的等离子体处理装置以及使用了所述等离子体处理装置的等离子体处理方法。本发明提供一种等离子体处理装置,具备:真空容器;第1高频电源,用于在所述真空容器内生成等离子体;试样台,配置于所述真空容器内来载置试样;以及第2高频电源,对所述试样台供给高频电力,所述等离子体处理装置的特征在于:所述第1高频电源或者所述第2高频电源的至少某一个供给进行了时间调制的高频电力,控制所述时间调制的参数中的一个具有2个以上的不同的控制范围,所述控制范围中的一个是用于进行高精度的控制的控制范围。
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公开(公告)号:CN100505975C
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN03810269.2
申请日:2003-05-07
Applicant: BTU国际公司
IPC: H05H1/46 , H05H1/00 , C23C16/517 , C23C16/455 , C23C16/452 , C23C14/02 , C23C16/48
CPC classification number: H05B6/68 , B01D53/92 , B01D2258/01 , B01D2259/818 , B01J19/088 , B01J19/126 , B01J2219/00063 , B01J2219/00193 , B01J2219/002 , B01J2219/00213 , B01J2219/0024 , B01J2219/0892 , B01J2219/0894 , B01J2219/1269 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C22B4/005 , F01N3/202 , F01N3/206 , F01N13/10 , F01N2240/28 , F01N2610/08 , H01J37/32009 , H01J37/32192 , H01J37/32302 , H01J37/32366 , H01J2237/0206 , H01J2237/33 , H01J2237/336 , H01J2237/338 , H05B6/6402 , H05B6/806 , H05B2206/044 , H05H1/46 , H05H2001/4607 , H05H2001/4652 , Y02B40/143 , Y02T10/26
Abstract: 本发明提供了用于激发、调节和维持等离子体(615)以实现各种涂覆处理的方法和装置。在一个实施例中,在等离子体催化剂(240)存在于底座(245)中的情况下,通过使气体受到由电极(270)和电源(275)提供的大量电磁辐射,在具有壁(232)的腔(230)内形成等离子体,并向该等离子体加入至少一种涂层材料,来涂覆(247)物体表面。该材料沉积在底座(260)上的物体(250)的表面以形成涂层(247)。本发明还提供了多种等离子体催化剂。
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公开(公告)号:CN100338976C
公开(公告)日:2007-09-19
申请号:CN03810265.X
申请日:2003-05-07
Applicant: BTU国际公司
CPC classification number: H05B6/68 , B01D53/92 , B01D2258/01 , B01D2259/818 , B01J19/088 , B01J19/126 , B01J2219/00063 , B01J2219/00193 , B01J2219/002 , B01J2219/00213 , B01J2219/0024 , B01J2219/0892 , B01J2219/0894 , B01J2219/1269 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C22B4/005 , F01N3/202 , F01N3/206 , F01N13/10 , F01N2240/28 , F01N2610/08 , H01J37/32009 , H01J37/32192 , H01J37/32302 , H01J37/32366 , H01J2237/0206 , H01J2237/33 , H01J2237/336 , H01J2237/338 , H05B6/6402 , H05B6/806 , H05B2206/044 , H05H1/46 , H05H2001/4607 , H05H2001/4652 , Y02B40/143 , Y02T10/26
Abstract: 本发明提供了在生产线中用于等离子体辅助处理多个工件的方法及装置。在一个实施例中,该方法可以包括将工件(320)放置在可动运载部分上,将输送装置(310)上的运载部分移入辐射区域,使气体流入辐射区域,激发辐射区域中的气体以形成等离子体(例如,通过在等离子体催化剂存在的情况下使气体受到电磁辐射的方式),维持等离子体一段足够长的时间以至少部分地等离子体处理辐射区域中的至少一个工件(320),并且推进输送装置(310)将至少一个等离子体处理过的工件移出辐射区域。本发明还提供了各种类型的等离子体催化剂。
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公开(公告)号:CN1302843C
公开(公告)日:2007-03-07
申请号:CN03810268.4
申请日:2003-05-07
Applicant: 达纳公司
IPC: B01J19/08
CPC classification number: H05B6/68 , B01D53/92 , B01D2258/01 , B01D2259/818 , B01J19/088 , B01J19/126 , B01J2219/00063 , B01J2219/00193 , B01J2219/002 , B01J2219/00213 , B01J2219/0024 , B01J2219/0892 , B01J2219/0894 , B01J2219/1269 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C22B4/005 , F01N3/202 , F01N3/206 , F01N13/10 , F01N2240/28 , F01N2610/08 , H01J37/32009 , H01J37/32192 , H01J37/32302 , H01J37/32366 , H01J2237/0206 , H01J2237/33 , H01J2237/336 , H01J2237/338 , H05B6/6402 , H05B6/806 , H05B2206/044 , H05H1/46 , H05H2001/4607 , H05H2001/4652 , Y02B40/143 , Y02T10/26
Abstract: 本发明提供了一种渗碳物体表面区域的系统和方法,其包括:使气体受到产生于辐射源(52)的电磁辐射,在等离子体催化剂(70)存在的情况下来激发含碳等离子体。该方法还包括将该物体的表面区域暴露于等离子体一段足够长的时间以从等离子体将至少一部分碳通过第一表面区域转移到该物体。
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公开(公告)号:CN1653870A
公开(公告)日:2005-08-10
申请号:CN03810279.X
申请日:2003-05-07
Applicant: 达纳公司
CPC classification number: H05B6/68 , B01D53/92 , B01D2258/01 , B01D2259/818 , B01J19/088 , B01J19/126 , B01J2219/00063 , B01J2219/00193 , B01J2219/002 , B01J2219/00213 , B01J2219/0024 , B01J2219/0892 , B01J2219/0894 , B01J2219/1269 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C22B4/005 , F01N3/202 , F01N3/206 , F01N13/10 , F01N2240/28 , F01N2610/08 , H01J37/32009 , H01J37/32192 , H01J37/32302 , H01J37/32366 , H01J2237/0206 , H01J2237/33 , H01J2237/336 , H01J2237/338 , H05B6/6402 , H05B6/806 , H05B2206/044 , H05H1/46 , H05H2001/4607 , H05H2001/4652 , Y02B40/143 , Y02T10/26
Abstract: 本发明提供了用于一个或多个部件的等离子体辅助连接的方法和装置。连接过程可包括例如在腔中相互接近地放置至少第一和第二连接区域,在等离子体催化剂存在的情况下,通过使气体受到电磁辐射在所述腔内形成等离子体,以及维持所述等离子体至少直到所述第一和第二连接区域被连接。本发明还提供了用于激发、调节和维持连接等离子体的等离子体催化剂、方法和装置。本发明还提供了用于选择性等离子体连接的其它腔形状、方法和装置。
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