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公开(公告)号:CN1491209A
公开(公告)日:2004-04-21
申请号:CN02804831.8
申请日:2002-02-05
Applicant: 隆萨股份公司
IPC: C07C261/02 , C08G73/06
CPC classification number: C07C261/02 , C08G73/0655 , H05K1/0346
Abstract: 本发明涉及基于通式(I)表示的线形酚醛树脂氰酸酯的预聚物组合物,式中n表示0-20的数字,R基团相同或不同,且表示氢或甲基。该组合物含有30-90重量份R=氢(Ia)的线形酚醛树脂氰酸酯(I)预聚物和10-70重量份R=甲基(Ib)的线形酚醛树脂氰酸酯(I)以及任选的高分散二氧化硅和/或颗粒状或纤维状填料。本发明的组合物储存时具有极好的稳定性且易于加工,特别适用作印刷电路板和合成树脂粘接的研磨体的基料中的树脂组分。
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公开(公告)号:CN104755422B
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201380055999.3
申请日:2013-10-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C01C3/00 , C07C261/02 , C07C39/16
CPC classification number: C07C261/02 , B32B15/09 , B32B27/36 , B32B2260/046 , B32B2457/08 , C01C3/004 , C08G8/28 , C08G65/48 , C08G2190/00 , C08J5/04 , C08J5/24 , C08J2361/14 , C08J2371/10 , C08L61/14 , C08L71/00 , C08L2203/20 , C09J161/14 , C09J171/00 , C09K3/10 , H05K1/0346
Abstract: 本发明的课题在于,提供在氰酸酯化合物制造中抑制了副反应的卤化氰的有效制造方法、以及以高产率得到高纯度的氰酸酯化合物的制造方法。一种卤化氰的制造方法,其具备如下的卤化氰制造工序,即,该卤化氰制造工序通过使卤素分子接触含有氰化氢和/或金属氰化物的水溶液,从而使前述氰化氢和/或前述金属氰化物与前述卤素分子在反应液中进行反应而得到卤化氰,在该卤化氰制造工序中,前述氰化氢或前述金属氰化物的用量是相对于1摩尔前述卤素分子超过1摩尔的用量,且将未反应氰化氢或未反应金属氰化物的物质量记作(A)摩尔、将生成的卤化氰的物质量记作(B)摩尔时,在(A):(A)+(B)处于0.00009:1~0.2:1之间的状态下结束反应。
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公开(公告)号:CN105683154A
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201480058725.4
申请日:2014-10-24
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C07C261/02 , C08K5/06 , C08L63/00 , C08L79/00
CPC classification number: H05K1/0346 , C07C261/02 , C07C265/14 , C07C2603/74 , C08G18/02 , C08G73/0655 , C08K3/01 , C08L61/04 , C08L63/00 , C08L79/00 , C08L79/04 , C09J179/00
Abstract: 本发明提供具有优异的溶剂溶解性并且热膨胀率低的、能够得到具有优异的阻燃性和耐热性的固化物的新型的氰酸酯化合物。本发明为由下述式(1)所表示的氰酸酯化合物。(式中,Ar表示芳环,R1各自独立地表示氢原子、烷基或芳基。n各自独立地为1~3的整数,m+n与由前述芳环和氢原子构成的1价芳香族基团中的氢原子的总数相同。R2表示氢原子(但排除Ar为苯环、n均为1、R1为氢原子且m均为4,氰氧基相对于金刚烷基键合于4位的情况)或碳数1~4的烷基。R3表示氢原子或碳数1~4的烷基。)
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公开(公告)号:CN104159941A
公开(公告)日:2014-11-19
申请号:CN201380010820.2
申请日:2013-02-22
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司
CPC classification number: C08G8/28 , C07C261/02 , C07C2601/20 , C08G8/04 , C08G73/0655
Abstract: 本文中公开了下式的多氰酸酯:其中R、m、Q、p和Z如本文中定义。还公开了固化所述多氰酸酯的方法和利用所述多氰酸酯提供高Tg热固性产物的方法。
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公开(公告)号:CN1646479A
公开(公告)日:2005-07-27
申请号:CN03804718.7
申请日:2003-02-24
Applicant: 田纳西大学研究基金会
Inventor: 詹姆斯·多尔顿 , 杜安·D.·米勒 , 程奇元 , 何雅丽 , 米切尔·S.·斯坦纳 , 卡伦·A.·韦韦尔卡
IPC: C07C233/05 , C07C255/50 , C07C331/28 , A61K31/16 , A61K31/26 , A61K31/275
CPC classification number: C07C331/10 , A61K31/16 , A61K31/26 , A61K31/275 , C07C261/02 , C07C265/12 , C07C331/28
Abstract: 在一个实施方案中,本发明提供雄激素受体靶向剂(ARTA)。靶向剂定义了那些是选择性雄激素受体调节剂(SARM)的一新亚类化合物。雄激素受体调节剂化合物对于雄激素受体具有预料之外的非甾体配体的抗雄激素活性。在一个实施方案中,雄激素受体调节剂化合物不可逆结合雄激素受体。在另一个实施方案中,雄激素受体调节剂化合物是雄激素受体拮抗剂,其不可逆地结合雄激素受体。另一个实施方案中,雄激素受体调节剂化合物是烷化剂。雄激素受体调节剂化合物,单独或作是一种组合物,它们对下列情况有用:a)雄性避孕;b)各种激素相关病症的治疗,例如与雄性雄激素衰退(ADAM)有关的疾病,例如疲劳、抑郁、性欲降低、性功能障碍、勃起机能障碍、性腺机能减退、骨质疏松症、脱发、贫血、肥胖、肌消耗、骨质减少、骨质疏松症、良性前列腺增生,在情绪、识别力的改变和前列腺癌;c)对与雌性雄激素衰退(ADIF)有关疾病的治疗,例如性功能障碍、性欲减少、性腺机能减退、肌消耗、骨质减少、骨质疏松症,对识别力和情绪、抑郁、贫血、脱发、肥胖、子宫内膜异位、乳腺癌、子宫癌和卵巢癌的改变;d)对急性和/或慢性肌消耗病的治疗和/或预防;e)预防和/或治疗干眼病症;f)口服雄激素替代治疗;g)降低前列腺癌的发病率、中断或促使前列腺癌的退化作用;和/或h)诱导癌细胞凋亡。
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公开(公告)号:CN1343199A
公开(公告)日:2002-04-03
申请号:CN00804824.X
申请日:2000-02-29
Applicant: 范蒂科股份公司
IPC: C07C261/02 , C08L61/10 , C09K21/14
CPC classification number: C09K21/14 , C07C261/02 , C07C2603/24 , C07C2603/26 , Y10S525/903
Abstract: 本发明涉及含有通过含不饱和基团的基团连接的至少两个环的新型芳香族氰酸酯化合物。本发明还涉及所述新型芳香族氰酸酯化合物的组合物和预聚物。本发明还涉及所述化合物的制备方法以及由该化合物的可固性混合物制备的固化制品。
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公开(公告)号:CN109081791A
公开(公告)日:2018-12-25
申请号:CN201810879374.3
申请日:2018-08-03
Applicant: 瑞声科技(南京)有限公司
IPC: C07C255/51 , C07C261/02 , C07C265/12 , C07C331/08 , C07D213/61 , C07D307/91 , C07D405/14 , H01L51/00 , H01L51/54
CPC classification number: C07D307/91 , C07C255/51 , C07C261/02 , C07C265/12 , C07C331/08 , C07C2601/02 , C07D213/61 , C07D405/14 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0056 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0073
Abstract: 本发明属于电致发光材料技术领域,公开了一种有机半导体材料及发光器件。本发明所提供的有机半导体材料包含至少一种基质材料和至少一种掺杂材料,且基质材料具有通式(I)所示的结构,掺杂材料具有通式(II)或通式(III)所示的结构。以本发明的半导体材料制备的发光器件,启亮电压显著下降、发光效率显著提高。本发明的半导体材料对于深蓝色磷光器件的效率提高是显著的,根据能量传递的原则,对于在天蓝色磷光器件、绿色磷光器件以及红色磷光器件中的应用也是可以预期的。
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公开(公告)号:CN107430344A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201680019414.6
申请日:2016-04-07
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/11 , C07C39/15 , C07C261/02 , C07D311/78 , C09D165/00 , C09D173/00 , G03F7/039 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2037 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/3081 , H01L21/3086
Abstract: 一种光刻用下层膜形成用材料,其使用下述式(0)所示的化合物。(式(0)中,X各自独立地表示氧原子、硫原子或无桥接,R1是碳数1~30的2n价基团或单键,R0各自独立地是碳数1~30的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6~30的芳基、碳数2~30的直链状、支链状或环状的烯基、巯基、卤素基、硝基、氨基、羧酸基或羟基,前述烷基、前述烯基和前述芳基任选含有氰氧基、巯基、卤素基、硝基、氨基、羧酸基、羟基、醚键、酮键或酯键,m1各自独立地是0~4的整数,此处,至少一个m1是1~4的整数,m2各自独立地是0~3的整数,n是1~4的整数,p各自独立地是0或1。)
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公开(公告)号:CN102971282B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201180032696.0
申请日:2011-04-21
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司
Inventor: 小罗伯特.E.赫夫纳 , M.J.马林斯 , M.L.塔尔钦斯基 , E.奥切洛
IPC: C07C39/17 , C07C261/02
CPC classification number: C07C261/02 , C07C39/17 , C07C2603/68 , C07C2603/91
Abstract: 本申请的实施方式包括由式I表示的聚环戊二烯化合物,其中X各自为氢或氰基(N≡C——),n各自具有0至20的平均值;m各自独立地具有0至3的数值;p具有0至20的数值;R各自独立地为卤素,腈基,硝基,烷基,烷氧基,链烯基,或链烯氧基,其中该烷基、烷氧基、链烯基、和链烯氧基各自独立地包含1至6个碳原子;Q各自独立地为氢或包含1至6个碳原子的烷基。本申请的实施方式也包括可固化组合物,其包含式I的聚环戊二烯化合物和固化量的树脂或催化量的催化剂和/或固化促进量的促进剂。
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公开(公告)号:CN103180366A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201180052284.3
申请日:2011-10-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C08G73/02 , C07C261/02 , C08K5/3415 , C08L63/00 , C08L79/00
CPC classification number: C08L63/00 , C07C261/02 , C07C2601/14 , C08G59/4014 , C08G73/0655 , C08K5/3415 , C08L79/085 , C09J163/00 , C08L79/00
Abstract: 本发明提供了常温下为液态且可获得具有优异的低热膨胀率的固化物的新型二氰氧苯基型二官能氰酸酯。即,公开了下述式(I)所示的氰酸酯化合物。(式中,R1表示碳原子数2~20的烃基。)
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