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公开(公告)号：CN118692542A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410790322.4
申请日：2021-03-24
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 在某些方面中，一种用于多模式校准的电路可以包括电阻器输入。该电路还可以包括连接至电阻器输入并且连接至第一多个电压源的第一比较器。该电路还可以额外包括第一上拉驱动器。该电路还可以包括逻辑上拉代码生成器以校准第一上拉驱动器。该电路可以额外包括第一上拉驱动器的副本。该电路还可以包括第一下拉驱动器以及连接至该副本、第一下拉驱动器和第二多个电压源的第二比较器。第二比较器可以将第一下拉驱动器和第二上拉驱动器之间的中点的电压与第二多个电压源中的一个电压源进行比较。该电路还可以包括逻辑下拉代码生成器。
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公开(公告)号：CN114783487A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210203975.9
申请日：2022-03-03
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C16/10
Abstract: 本公开实施例公开了一种存储器的编程方法、存储器装置及存储器系统。所述方法包括：对待编程的各存储单元进行第一编程，使各存储单元被编程至N个不同的第一编程态；其中，N为大于1且小于M的正整数，M为所述待编程存储单元的目标编程态的总状态数；对第i组所述第一编程态的存储单元进行第二编程，使第i组所述第一编程态的存储单元被编程至k个目标编程态；其中，至少两组所述第一编程态的存储单元进行所述第二编程后得到目标编程态的数量k值不同；k大于或等于1且小于N；i大于或等于1且小于或等于N。
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公开(公告)号：CN113196403A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202180000929.2
申请日：2021-03-24
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 在某些方面中，一种用于多模式校准的电路可以包括电阻器输入。该电路还可以包括连接至电阻器输入并且连接至第一多个电压源的第一比较器。该电路还可以额外包括第一上拉驱动器。该电路还可以包括逻辑上拉代码生成器以校准第一上拉驱动器。该电路可以额外包括第一上拉驱动器的副本。该电路还可以包括第一下拉驱动器以及连接至该副本、第一下拉驱动器和第二多个电压源的第二比较器。第二比较器可以将第一下拉驱动器和第二上拉驱动器之间的中点的电压与第二多个电压源中的一个电压源进行比较。该电路还可以包括逻辑下拉代码生成器。
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公开(公告)号：CN112955957A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202180000430.1
申请日：2021-02-07
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C16/30
Abstract: 提供了一种用于管理在两个或更多个NAND存储器管芯之间的峰值功率操作的峰值功率管理(PPM)系统。该PPM系统包括在每一个NAND存储器管芯上的PPM电路。每一个PPM电路包括：电连接到第一电源和PPM电阻器的第一端的第一上拉驱动器；电连接到第二电源和PPM电阻器的第二端的第二上拉驱动器；电连接到PPM电阻器的第二端的下拉驱动器；以及连接到PPM电阻器的第二端的PPM接触焊盘。两个或更多个NAND存储器管芯的PPM接触焊盘以公共电位彼此电连接。该PPM系统被配置为根据PPM接触焊盘的电位管理峰值功率操作。
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公开(公告)号：CN109817258B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910002891.7
申请日：2019-01-02
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C11/4093 , G11C11/4094
Abstract: 本申请实施例公开了一种ZQ校准电路和方法，其中，所述ZQ校准电路包括：ZQ校准控制器和校准电路；所述ZQ校准控制器，用于接收校准开始指令；基于所述校准开始指令，唤醒用于校准目标半导体器件的校准电路；所述校准电路，用于对所述目标半导体器件的输出电压同时进行上拉校准和下拉校准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119559986A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202311142821.4
申请日：2023-09-04
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C16/06
Abstract: 本公开实施例提供了一种存储器及其操作方法、存储器系统，所述存储器包括行锤控制电路，包括多个计数器，每个所述计数器用于对一个存储行的被访问次数进行计数，并生成第一计数值；调节电路，连接所述多个计数器；所述调节电路用于当多个所述第一计数值均达到目标阈值时，重置每个所述计数器，以将每个所述第一计数值调整同一偏移值，生成多个第二计数值；所述行锤控制电路还用于根据所述多个第二计数值确定目标存储行。
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公开(公告)号：CN118248187A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211657900.4
申请日：2022-12-22
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种存储器、驱动方法、存储系统及电子设备。该存储器包括外围电路和存储阵列。存储阵列包括字线。外围电路包括驱动器、中继器和放电电路，放电电路用于对字线进行放电。通过在该存储器的外围电路中设置中继器以减少了对放电电路进行驱动所需的布局金属线长，进而减少了对放电电路进行驱动的驱动响应时间以及放电时长。同时，当放电电路为采用晶体管的结构时，放电时间越长，则晶体管处于热载流子注入效应状态的时间也越长，这将导致放电电路的使用寿命降低，进而导致存储器的使用寿命大大降低。通过减少放电电路的放电时长，还可相对延长存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112955957B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180000430.1
申请日：2021-02-07
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C16/30
Abstract: 提供了一种用于管理在两个或更多个NAND存储器管芯之间的峰值功率操作的峰值功率管理(PPM)系统。该PPM系统包括在每一个NAND存储器管芯上的PPM电路。每一个PPM电路包括：电连接到第一电源和PPM电阻器的第一端的第一上拉驱动器；电连接到第二电源和PPM电阻器的第二端的第二上拉驱动器；电连接到PPM电阻器的第二端的下拉驱动器；以及连接到PPM电阻器的第二端的PPM接触焊盘。两个或更多个NAND存储器管芯的PPM接触焊盘以公共电位彼此电连接。该PPM系统被配置为根据PPM接触焊盘的电位管理峰值功率操作。
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公开(公告)号：CN114360629A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111632356.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请提供了一种存储器芯片的测试方法，其中被测试的存储器芯片具有对应数据通道的数据输入/输出端口和芯片使能端口，测试方法包括：从数据输入/输出端口接收来自测试仪的模式编码信号，模式编码信号包括用于控制芯片使能端口的第一编码信息；以及在测试的过程中基于第一编码信息控制芯片使能端口。本申请的测试方法通过减少单个存储器芯片占用探针的数量来提高测试仪的测试效率，在一定程度上提高了测试仪并行测试芯片的能力，减少了芯片测试的时间，提高了测试效率，降低了生产成本。同时，使用更少的探针进行芯片测试可在一定程度上减少探针之间的信号串扰，提高测试质量。
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公开(公告)号：CN113853655A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202180002843.3
申请日：2021-08-27
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 在某些方面，一种存储器件，包括：存储单元；以及外围电路，耦合到所述存储单元。所述外围电路被配置为：对所述存储单元中的选择的存储单元启动编程操作；获得所述编程操作期间一个或多个暂停的发生次数；以及基于暂停的所述发生次数确定用于所述编程操作的编程脉冲限制。
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