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公开(公告)号：CN110048675A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910370715.9
申请日：2019-05-06
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03F1/30
Abstract: 本发明公开了一种提高双极型轨对轨运放输入偏置电流性能的电路，在晶体管QB3和晶体管QB4的发射极加入两种不同类型的电阻，可减小在高电源电压下由于PNP型晶体管有限的厄力电压导致的电流源无法被准确镜像的缺陷，从而确保流入输入NPN管和PNP管的电流源大小一致。本发明可保证在不同电源电压下输入PNP对晶体管Q1和晶体管Q2的输入偏置电流几乎不随共模电压的变化而变化，即在不同电源下，输入偏置电流随共模电压的变化曲线可表现的更为平坦；本发明采用温漂系数相反的基区电阻RB1和多晶硅电阻RB2，可形成温度补偿，使输入PNP对管的基极电流随温度变化范围更大，与NPN管的基极电流随温度变化范围相当，二者相加后，在整个温度范围内输入偏置电流的温漂特性得到优化。
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公开(公告)号：CN109887912A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910168453.8
申请日：2019-03-06
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种面向冷备份系统双极型集成电路应用的静电保护电路，本发明克服了由于传统二极管静电保护结构存在输入/输出端口到正电源存在低阻通道而无法满足冷备份应用需求。本发明中两个端口正电源不存在低阻通路，因此芯片可以满足冷备份应用的需求。同时，双极性晶体管Q1和双极性晶体管Q2加快了静电能量的泄放，可以有效提高芯片的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN113056076B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202110269532.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H05F3/00 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种相位翻转和静电加固保护电路，包括电阻Rinx、电阻Riny、电阻Rin`、二极管D1、二极管D2、二极管D3、寄生电阻Rj1和寄生电阻Rj2；电阻Riny的一端与运算放大器的正向输入端口INP相连，电阻Riny的另一端分别连接电阻Rinx的一端和寄生电阻Rj1的一端，寄生电阻Rj1的另一端与二极管D1一端相连，二极管D1的另一端连接至负电源；电阻Rinx的另一端分别连接电阻Rin`的一端和寄生电阻Rj2的一端，寄生电阻Rj2的另一端连接二极管D2的一端，二极管D2的另一端连接至负电源；电阻Rin`的另一端分别连接二极管D3的一端和运算放大器中的输入对管基极相连，二极管D3的另一端连接正电源，同时具有静电加固功能和相位翻转保护功能。
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公开(公告)号：CN111276956B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202010093566.9
申请日：2020-02-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供双极型轨对轨运放输入端通用静电保护电路，包括二极管D1、二极管D2和二极管D3；二极管D1的正极与运放外部输入端PAD连接，二极管D1的负极与二极管D2的负极连接，二极管D2的正极与负电源VS‑连接；二极管D3的正极与运放内部输入端VIN连接，负极与正电源VS+相连。本发明在满足抗静电能力的条件下实现多数轨对轨运放要求的抗相位翻转功能，解决了传统抗静电结构将输入端电压与正负电源电压钳位在二极管导通压降的问题。
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公开(公告)号：CN113220062A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110500674.8
申请日：2021-05-08
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种双极线性稳压器的过温保护电路，属于过温保护领域。一种双极线性稳压器的过温保护电路，由温度传感器电路、采样反馈电路和输出电路构成。本发明的双极线性稳压器的过温保护电路，通过引入电流反馈回路，使电路具有的温度滞回特性，避免了在温度保护点处被保护电路的频繁开启，芯片结温不能充分降温，电路不能返回到正常工作状态，本发明适用于低电源电压。采用本发明的过温保护电路可以精确识别双极线性稳压器及其它模拟电路芯片结温是否超出安全工作区。本发明采用双极工艺设计实现，电路结构简洁，使用的元器件数量少，物理设计面积小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109887912B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910168453.8
申请日：2019-03-06
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种面向冷备份系统双极型集成电路应用的静电保护电路，本发明克服了由于传统二极管静电保护结构存在输入/输出端口到正电源存在低阻通道而无法满足冷备份应用需求。本发明中两个端口正电源不存在低阻通路，因此芯片可以满足冷备份应用的需求。同时，双极性晶体管Q1和双极性晶体管Q2加快了静电能量的泄放，可以有效提高芯片的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN108598077B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201810344999.X
申请日：2018-04-17
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种面向双极型比较器的静电保护电路，INP是比较器正向输入端，INN是比较器负向输入端，AVDD是正电源，AGND接地。比较器输入级电路由中的NPN型双极晶体管Q1和NPN型双极晶体管Q2、负载电阻R1和负载电阻R2、尾电流源组成；NPN型双极晶体管Q3和NPN型双极晶体管Q4、NPN型双极晶体管Q5和NPN型双极晶体管Q6、二极管D1和二极管D2组成了抗静电保护结构。本发明适用于大多数以NPN型晶体管作为输入对管的比较器电路，灵活性和通用性很强。
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公开(公告)号：CN111276956A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010093566.9
申请日：2020-02-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供双极型轨对轨运放输入端通用静电保护电路，包括二极管D1、二极管D2和二极管D3；二极管D1的正极与运放外部输入端PAD连接，二极管D1的负极与二极管D2的负极连接，二极管D2的正极与负电源VS-连接；二极管D3的正极与运放内部输入端VIN连接，负极与正电源VS+相连。本发明在满足抗静电能力的条件下实现多数轨对轨运放要求的抗相位翻转功能，解决了传统抗静电结构将输入端电压与正负电源电压钳位在二极管导通压降的问题。
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公开(公告)号：CN109164864A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811151184.6
申请日：2018-09-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明一种减小LDO电源静态电流的线路结构及控制方法，确保器件重载条件下工作时能够获得较小的电源静态电流，降低自身功耗，提高应用时的功率效率。所述的线路结构，包括启动模块、环路控制模块、减小电源静态电流的功率输出线路和限流控制线路；采用横向PNP作为功率输出管减小电源静态电流的功率输出线路结构，当器件工作在重载条件下，基本可以忽略由于Q1放大倍数低引入的注入电流，大大降低了电源静态电流，提高了器件的输出功率效率。克服了基于国内抗辐照双极工艺制作的横向PNP管放大倍数低，导致在重负载输出下存在较大电源静态电流的缺点。Q10防止器件应用时出现Vout端电压高于电源电压Vin的情况。
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公开(公告)号：CN108598077A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810344999.X
申请日：2018-04-17
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种面向双极型比较器的通用静电保护电路，INP是比较器正向输入端，INN是比较器负向输入端，AVDD是正电源，AGND接地。比较器输入级电路由中的NPN型双极晶体管Q1和NPN型双极晶体管Q2、负载电阻R1和负载电阻R2、尾电流源IP组成；NPN型双极晶体管Q3和NPN型双极晶体管Q4、NPN型双极晶体管Q5和NPN型双极晶体管Q6、二极管D1和二极管D2组成了抗静电保护结构。本发明适用于大多数以NPN型晶体管作为输入对管的比较器电路，灵活性和通用性很强。
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