公开(公告)号：CN114793093A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210456811.7

申请日：2022-04-28

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 雷倩倩 ,  高宇飞 ,  赵二虎 ,  徐化 ,  陈振骐 ,  刘启航 ,  杨延飞 ,  李连碧 ,  冯松

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/56 ,  H03F3/193 ,  H03H7/01

Abstract: 本发明公开了一种具有抗干扰功能的超宽带协议低噪声放大器，包括匹配电路、LNA主电路、第一级陷波滤波器以及第二陷滤波电路，其中：匹配电路包括电容Cpad1和Cs以及电感Lp和Ls；LNA主电路包括N型MOS管M1、M2和M3，可变并联反馈电阻R1和隔直电容C2、C3，负载电感L2、L3以及负载电阻R2；第一级陷波滤波器包括电感L1、电容C1和可调电容Cp1；第二级陷波滤波器包括电感L4和可调电容C4以及电容Cpad2和其对应的补偿电感Lout。本发明实现了低噪声并且强化了滤波性能；有效减少了LC并联谐振电路的噪声贡献；在保证滤波深度的同时补偿了滤波器对低噪声放大器通带的增益抑制。

公开(公告)号：CN106950646A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710119536.9

申请日：2017-03-02

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 冯松 ,  薛斌 ,  李连碧 ,  雷倩倩 ,  杨延飞 ,  宋立勋 ,  翟学军 ,  朱长军

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122

CPC classification number: G02B6/12007 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明公开的一种内外双微环谐振器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的顶部设置有SiO2埋层，SiO2埋层顶部的两侧分别设置有上侧直波导和下侧直波导，SiO2埋层顶部的中间分别设置有外环形波导和内环形波导。本发明一种内外双微环谐振器结构具有谐振峰平坦和自由光谱范围大的优点，在不增加芯片面积和工艺成本的情况下，改善了微环谐振器的谐振特性，便于微环谐振器结构向高速、低功耗的方向发展。