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公开(公告)号：CN105331950B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510627135.5
申请日：2015-09-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种二维钙钛矿薄膜的制备方法，将MAX源、卤化铅源及目标衬底分别放在温区a，b及c位置。在设定的温度条件下，在衬底表面按照成核‑长大‑成膜的机理，实现二维大面积钙钛矿薄膜的制备。首先对控温区域b，c进行加热，使卤化铅源在目标衬底表面随机成核，生长在低覆盖度时形成分散的几十纳米尺寸的卤化铅岛状结构；此时开始对控温区域a进行加热，使所形成的岛状卤化铅转化为岛状钙钛矿；随着覆盖度的增加，卤化铅岛状结构逐渐长大，并不断被MAX转化为钙钛矿，最后不断长大的岛状钙钛矿直接拼接最终形成连续的二维连续钙钛矿薄膜，覆盖整个衬底表面。本发明所制备的钙钛矿薄膜厚度可控，具有较高的连续性、均匀性及结晶性。
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公开(公告)号：CN103219403B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310135955.3
申请日：2013-04-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了基于二维层状原子晶体材料的光探测器，包括一二氧化硅覆盖的硅衬底，二氧化硅覆盖的硅衬底上依次叠加覆盖有第一石墨烯导电层、二维层状原子晶体半导体材料层和第二石墨烯导电层，第一石墨烯导电层和第二石墨烯导电层分别与二维层状原子晶体半导体材料层形成异质结结构；在第一、第二石墨烯导电层的一端上分别设有第一、第二电极层，且无任何交叠，同时第一、第二电极层又在第一、第二石墨烯导电层和二维层状原子晶体半导体材料层的交叠区之外；各层的上方设置有一钝化层。本发明采用了二维层状原子晶体材料，具有探测波谱范围宽、超快响应速度和高截止频率的工作特性，同时也具备了器件的光响应度高，光生载流子的提取简单的特性。
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公开(公告)号：CN104836103A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510174430.X
申请日：2015-04-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种制备基于黑磷的可饱和吸收体器件的方法，这种方法将机械剥离法得到的二维层状黑磷，或者是超声震荡得到的分布在酒精溶液里的二维层状黑磷，通过定向转移的方法沉积到光纤头上，作为器件的可饱和吸收层。本发明所涉及的定向转移的方法，可以有效、高效的将黑磷转移到光纤头上，避免了人工转移过程中对材料造成的损害，并且能够精确定位纳米级材料所在的位置，避免了盲目转移的问题，提高了饱和吸收体制备的成功率。采用本发明方法制成的黑磷可饱和吸收体采用透射方式工作，可实现近中红外工作波段激光器的超短脉冲输出，具有性能好、兼容性强的特点，适用于激光器的调Q和锁模、光信号处理等应用。
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公开(公告)号：CN103531664A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310518367.8
申请日：2013-10-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1828 , H01L31/1836
Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法，包括以下步骤，在柔性塑料衬底上通过印刷或磁控溅射方法覆盖一层金属材料，然后光刻和刻蚀形成栅电极结构的栅电极层；在栅电极层上通过电镀或磁控溅射方法覆盖一绝缘介质层；在绝缘介质层上通过印刷技术转移单层或数层的石墨烯层；在石墨烯层上通过印刷技术转移一层二硫化物薄膜，二硫化物薄膜位于石墨烯层和栅介质层之上；通过印刷或磁控溅射的方法分别在石墨烯层和二硫化物薄膜上淀积第一电极层和第二电极层。本发明基于柔性衬底的光电晶体管的构建方法，可以采用印刷的方法构建，制作方法简单、成本低。同时具有柔性、轻便、体积小、集成度高的特点。
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公开(公告)号：CN110783179A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911113347.6
申请日：2019-11-14
Applicant: 苏州大学
Inventor： 李绍娟
Abstract: 本发明涉及一种二维材料场效应晶体管的制备方法：在部分基底的表面蒸镀二维半导体材料区，其为过渡金属硫化物和/或过渡金属硒化物；在二维半导体材料区远离基底的一侧表面蒸镀两个金属源漏电极，各金属源漏电极分别覆盖于二维半导体材料区的两处表面；采用等离子体对以上处理过的材料进行处理，以使得未被金属源漏电极覆盖的部分二维半导体材料区转化为绝缘介质层；在绝缘介质层远离二维半导体层的一侧表面设置栅电极，得到二维材料场效应晶体管。本发明只需要一次沉积二维半导体材料，经过后期处理转换分别构成二维半导体沟道层和绝缘介质层，有利于原位形成洁净、具有优良界面的二维半导体层和绝缘介质层界面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108767068A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810587639.2
申请日：2018-06-08
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/108 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种二维材料光探测器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤，准备基底，基底包括半导体衬底和设置于半导体衬底一面的绝缘层，在绝缘层上开设两个对称的窗口使半导体衬底暴露，在基底上开设有窗口的一面设置一层光敏二维材料，使光敏二维材料层与半导体衬底构成背靠背的双肖特基势垒，在光敏二维材料层远离半导体衬底的一面制作两处电极。本申请采用半导体二维材料和半导体构成背靠背的双肖特基势垒，当加上直流偏置电压时，一个势垒正向偏置，另一个势垒反向偏置，从而使得本申请具有较低的暗电流。
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公开(公告)号：CN106450009B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610635175.9
申请日：2016-08-05
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及种双层钙钛矿发光二极管及其制备方法,双层钙钛矿发光二极管自下而上分别包括:ITO导电玻璃作为阳极,旋涂层20nm左右的聚3,4‑乙烯二氧噻吩‑聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)作为空穴传输层;采用2次旋涂法制备双层钙钛矿发光层,采用的钙钛矿发光层可以是具有不同卤素配比的钙钛矿;在钙钛矿层上旋涂层大约50nm厚的掺杂钙的氧化锌(Ca:ZnO)作为电子传输层;最后蒸镀金属钙和铝作为阴极。本发明方面通过调控Ca:ZnO中Ca的浓度,得到个最优的带隙,降低电子传输层与钙钛矿之间的势垒,从而降低发光二极管的开启电压,同时提高发光二极管的发光效率和内量子效率;另方面,通过调节钙钛矿中的卤素配比,可以实现不同颜色发光。
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公开(公告)号：CN107919388A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711127151.3
申请日：2017-11-15
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L29/417 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66431 , H01L29/41725
Abstract: 本发明涉及一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，包括以下步骤：在部分基底的表面蒸镀至少一个过渡金属区，形成过渡金属层；其中，过渡金属区的厚度为0.1-2nm；光刻、显影后形成光刻胶层，光刻胶层上至少具有两个用于蒸镀源漏电极的孔，每个孔的下方正对部分过渡金属层和部分基底的表面，每个孔位于过渡金属区的一侧；在孔中蒸镀源漏电极，然后去除光刻胶层，露出其他部分的基底；使用硫源对过渡金属进行硫化或使用硒源对过渡金属进行硒化，冷却后在基底表面形成二维材料场效应晶体管。本发明采用源漏电极作为保护隔离层，在源漏电极之间形成二维材料的沟道，降低沟道与源漏电极之间的交叠面积，从而降低二者之间的接触电阻。
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公开(公告)号：CN107910249A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711127118.0
申请日：2017-11-15
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H01L21/34 , H01L21/02381 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02658
Abstract: 本发明涉及一种制备二维面内异质结的方法：在平面的基底表面蒸镀一层过渡金属或其氧化物，形成0.2-2nm的蒸镀层；在部分蒸镀层表面修饰200nm-2μm的光刻胶，形成光刻胶的阵列，使蒸镀层表面周期性的排布有未覆盖光刻胶的区域；在未覆盖光刻胶的区域沉积20-200nm的二氧化硅，去胶，使得蒸镀层的表面形成二氧化硅阵列以及未覆盖二氧化硅的区域；使用硫源将未覆盖二氧化硅的区域进行硫化，除去二氧化硅阵列，暴露出过渡金属或其氧化物；使用硒源将暴露出的过渡金属或其氧化物进行硒化，形成二维面内异质结。本发明采用二氧化硅作为保护牺牲层，选择性的对过渡金属或其氧化物进行硫化和硒化，可在任意基底上形成大面积的二维面内异质结，不需要二次套刻和对准。
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公开(公告)号：CN103531664B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310518367.8
申请日：2013-10-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法，包括以下步骤，在柔性塑料衬底上通过印刷或磁控溅射方法覆盖一层金属材料，然后光刻和刻蚀形成栅电极结构的栅电极层；在栅电极层上通过电镀或磁控溅射方法覆盖一绝缘介质层；在绝缘介质层上通过印刷技术转移单层或数层的石墨烯层；在石墨烯层上通过印刷技术转移一层二硫化物薄膜，二硫化物薄膜位于石墨烯层和栅介质层之上；通过印刷或磁控溅射的方法分别在石墨烯层和二硫化物薄膜上淀积第一电极层和第二电极层。本发明基于柔性衬底的光电晶体管的构建方法，可以采用印刷的方法构建，制作方法简单、成本低。同时，具有柔性、轻便、体积小、集成度高的特点。
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