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公开(公告)号：CN103193224A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310132019.7
申请日：2013-04-17
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种在非金属基底上低温制备石墨烯薄膜的方法。本发明将等离子体源引入化学气相沉积法技术制备石墨烯薄膜的过程中，在无催化非金属基底上制备出均匀的石墨烯薄膜。该方法改进了传统的化学气相沉积法制备石墨烯的技术，直接在半导体和绝缘体介质基体材料的表面生长石墨烯以实现目标应用，克服了传统方法难以在曲面或者具有三维结构的表面获得均匀高质量石墨烯薄膜的缺点，省去了传统化学气相沉积法制备石墨烯后续所必需的金属刻蚀和石墨烯转移的步骤。本发明利用等离子体增强效应，有效降低了石墨烯的制备温度，既节能又实用，同时节省工序，降低成本，在制作透明电极材料以及构建电子和光电子器件等方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107910249B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711127118.0
申请日：2017-11-15
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种制备二维面内异质结的方法：在平面的基底表面蒸镀一层过渡金属或其氧化物，形成0.2‑2nm的蒸镀层；在部分蒸镀层表面修饰200nm‑2μm的光刻胶，形成光刻胶的阵列，使蒸镀层表面周期性的排布有未覆盖光刻胶的区域；在未覆盖光刻胶的区域沉积20‑200nm的二氧化硅，去胶，使得蒸镀层的表面形成二氧化硅阵列以及未覆盖二氧化硅的区域；使用硫源将未覆盖二氧化硅的区域进行硫化，除去二氧化硅阵列，暴露出过渡金属或其氧化物；使用硒源将暴露出的过渡金属或其氧化物进行硒化，形成二维面内异质结。本发明采用二氧化硅作为保护牺牲层，选择性的对过渡金属或其氧化物进行硫化和硒化，可在任意基底上形成大面积的二维面内异质结，不需要二次套刻和对准。
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公开(公告)号：CN105331950B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510627135.5
申请日：2015-09-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种二维钙钛矿薄膜的制备方法，将MAX源、卤化铅源及目标衬底分别放在温区a，b及c位置。在设定的温度条件下，在衬底表面按照成核‑长大‑成膜的机理，实现二维大面积钙钛矿薄膜的制备。首先对控温区域b，c进行加热，使卤化铅源在目标衬底表面随机成核，生长在低覆盖度时形成分散的几十纳米尺寸的卤化铅岛状结构；此时开始对控温区域a进行加热，使所形成的岛状卤化铅转化为岛状钙钛矿；随着覆盖度的增加，卤化铅岛状结构逐渐长大，并不断被MAX转化为钙钛矿，最后不断长大的岛状钙钛矿直接拼接最终形成连续的二维连续钙钛矿薄膜，覆盖整个衬底表面。本发明所制备的钙钛矿薄膜厚度可控，具有较高的连续性、均匀性及结晶性。
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公开(公告)号：CN108767068A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810587639.2
申请日：2018-06-08
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/108 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种二维材料光探测器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤，准备基底，基底包括半导体衬底和设置于半导体衬底一面的绝缘层，在绝缘层上开设两个对称的窗口使半导体衬底暴露，在基底上开设有窗口的一面设置一层光敏二维材料，使光敏二维材料层与半导体衬底构成背靠背的双肖特基势垒，在光敏二维材料层远离半导体衬底的一面制作两处电极。本申请采用半导体二维材料和半导体构成背靠背的双肖特基势垒，当加上直流偏置电压时，一个势垒正向偏置，另一个势垒反向偏置，从而使得本申请具有较低的暗电流。
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公开(公告)号：CN107919388A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711127151.3
申请日：2017-11-15
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L29/417 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66431 , H01L29/41725
Abstract: 本发明涉及一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，包括以下步骤：在部分基底的表面蒸镀至少一个过渡金属区，形成过渡金属层；其中，过渡金属区的厚度为0.1-2nm；光刻、显影后形成光刻胶层，光刻胶层上至少具有两个用于蒸镀源漏电极的孔，每个孔的下方正对部分过渡金属层和部分基底的表面，每个孔位于过渡金属区的一侧；在孔中蒸镀源漏电极，然后去除光刻胶层，露出其他部分的基底；使用硫源对过渡金属进行硫化或使用硒源对过渡金属进行硒化，冷却后在基底表面形成二维材料场效应晶体管。本发明采用源漏电极作为保护隔离层，在源漏电极之间形成二维材料的沟道，降低沟道与源漏电极之间的交叠面积，从而降低二者之间的接触电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107910249A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711127118.0
申请日：2017-11-15
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H01L21/34 , H01L21/02381 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02658
Abstract: 本发明涉及一种制备二维面内异质结的方法：在平面的基底表面蒸镀一层过渡金属或其氧化物，形成0.2-2nm的蒸镀层；在部分蒸镀层表面修饰200nm-2μm的光刻胶，形成光刻胶的阵列，使蒸镀层表面周期性的排布有未覆盖光刻胶的区域；在未覆盖光刻胶的区域沉积20-200nm的二氧化硅，去胶，使得蒸镀层的表面形成二氧化硅阵列以及未覆盖二氧化硅的区域；使用硫源将未覆盖二氧化硅的区域进行硫化，除去二氧化硅阵列，暴露出过渡金属或其氧化物；使用硒源将暴露出的过渡金属或其氧化物进行硒化，形成二维面内异质结。本发明采用二氧化硅作为保护牺牲层，选择性的对过渡金属或其氧化物进行硫化和硒化，可在任意基底上形成大面积的二维面内异质结，不需要二次套刻和对准。
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公开(公告)号：CN105331950A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510627135.5
申请日：2015-09-28
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及一种二维钙钛矿薄膜的制备方法，将MAX源、卤化铅源及目标衬底分别放在温区a，b及c位置。在设定的温度条件下，在衬底表面按照成核-长大-成膜的机理，实现二维大面积钙钛矿薄膜的制备。首先对控温区域b，c进行加热，使卤化铅源在目标衬底表面随机成核，生长在低覆盖度时形成分散的几十纳米尺寸的卤化铅岛状结构；此时开始对控温区域a进行加热，使所形成的岛状卤化铅转化为岛状钙钛矿；随着覆盖度的增加，卤化铅岛状结构逐渐长大，并不断被MAX转化为钙钛矿，最后不断长大的岛状钙钛矿直接拼接最终形成连续的二维连续钙钛矿薄膜，覆盖整个衬底表面。本发明所制备的钙钛矿薄膜厚度可控，具有较高的连续性、均匀性及结晶性。
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公开(公告)号：CN103193224B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310132019.7
申请日：2013-04-17
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种在非金属基底上低温制备石墨烯薄膜的方法。本发明将等离子体源引入化学气相沉积法技术制备石墨烯薄膜的过程中，在无催化非金属基底上制备出均匀的石墨烯薄膜。该方法改进了传统的化学气相沉积法制备石墨烯的技术，直接在半导体和绝缘体介质基体材料的表面生长石墨烯以实现目标应用，克服了传统方法难以在曲面或者具有三维结构的表面获得均匀高质量石墨烯薄膜的缺点，省去了传统化学气相沉积法制备石墨烯后续所必需的金属刻蚀和石墨烯转移的步骤。本发明利用等离子体增强效应，有效降低了石墨烯的制备温度，既节能又实用，同时节省工序，降低成本，在制作透明电极材料以及构建电子和光电子器件等方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108767068B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810587639.2
申请日：2018-06-08
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/108 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种二维材料光探测器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤，准备基底，基底包括半导体衬底和设置于半导体衬底一面的绝缘层，在绝缘层上开设两个对称的窗口使半导体衬底暴露，在基底上开设有窗口的一面设置一层光敏二维材料，使光敏二维材料层与半导体衬底构成背靠背的双肖特基势垒，在光敏二维材料层远离半导体衬底的一面制作两处电极。本申请采用半导体二维材料和半导体构成背靠背的双肖特基势垒，当加上直流偏置电压时，一个势垒正向偏置，另一个势垒反向偏置，从而使得本申请具有较低的暗电流。
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公开(公告)号：CN104876211A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510174415.5
申请日：2015-04-14
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种在电场环境下旋转剪切制备石墨烯的方法，采用的实验装置包括装有电解液的反应容器、作为阴极的高纯石墨、作为阳极的惰性电极和搅拌器，步骤为：将阴极阳极接通直流电源，用搅拌器搅拌电解液；在恒定电压下，阴极极化剥离高纯石墨，同时电解液在搅拌器作用下，受到一定的速度搅拌，使阴极剥离下来的多层石墨烯再受到一个剪切力，制得含有石墨烯的溶液；将含有石墨烯的溶液清洗至少5次，超声分散，低速离心；接着将得到的产物的上层清液高速离心；最后干燥即得到石墨烯。本发明的制备方法简便快捷、安全绿色、成本较低且可以直接剥离天然石墨，该方法改进了传统的电化学剥离制备石墨烯的技术，提高了制备石墨烯薄膜的产率与质量。
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