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公开(公告)号：CN104779352A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510199426.9
申请日：2015-04-24
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , H01L51/4253
Abstract: 本发明公开了基于石墨烯与纳米结构钙钛矿材料的光探测器及制备方法，包括一覆盖有二氧化硅的硅衬底，硅衬底上设有石墨烯导电层，石墨烯导电层的中部分布有纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层，并形成异质结结构，石墨烯导电层的左右两端分别设有一电极层；硅衬底的最上方设有一钝化层，钝化层将石墨烯导电层、纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层和两个电极层全部覆盖；位于两个电极层上方的钝化层上经光刻和刻蚀分别形成电极的一个接触孔，两个接触孔上分别淀积有金属引出电极。本发明构建光探测器件的技术与当前的硅电子工艺平台相比具有良好的兼容性，并且制备工艺简单，器件成功率高，具有实现快速、宽带响应、宽光谱光探测的极大潜力。
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公开(公告)号：CN104836103B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510174430.X
申请日：2015-04-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种制备基于黑磷的可饱和吸收体器件的方法，这种方法将机械剥离法得到的二维层状黑磷，或者是超声震荡得到的分布在酒精溶液里的二维层状黑磷，通过定向转移的方法沉积到光纤头上，作为器件的可饱和吸收层。本发明所涉及的定向转移的方法，可以有效、高效的将黑磷转移到光纤头上，避免了人工转移过程中对材料造成的损害，并且能够精确定位纳米级材料所在的位置，避免了盲目转移的问题，提高了饱和吸收体制备的成功率。采用本发明方法制成的黑磷可饱和吸收体采用透射方式工作，可实现近中红外工作波段激光器的超短脉冲输出，具有性能好、兼容性强的特点，适用于激光器的调Q和锁模、光信号处理等应用。
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公开(公告)号：CN105044929A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510279999.2
申请日：2015-05-28
Applicant: 苏州大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯微环结构的热光调制器，包括作为基底的绝缘衬底上硅，所述绝缘衬底上硅上相邻设置有直波导和环形谐振腔，所述直波导和环形谐振腔上方设置有一层方块状的石墨烯导电层，所述石墨烯导电层另一端上方无交叠的设置有第一电极层和第二电极层。本发明中，石墨烯直接与硅微环波导接触，通过调控石墨烯上加载的电压来改变其产生的热量，最终实现硅微环中光的调制。这样的一种结构，制备较为简单，而且微环谐振腔非常敏感，加之硅较大的热光系数，最终可实现很强的光学调制。另外石墨烯超快的热导率，对于该器件的动态响应也会有较大的提升。
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公开(公告)号：CN103941345A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410188123.2
申请日：2014-05-06
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明公开了基于二维层状材料的SOI(Semicon-on-insulator)基微环滤波器，包括一个埋氧层和顶层硅组成的SOI衬底，顶层硅上设有一组SOI微环谐振腔、输入直波导和输出直波导，输入直波导和输出直波导位于SOI微环谐振腔的上下两侧，构成SOI波导结构；SOI波导结构上覆盖有一个二维层状材料，输入直波导的两端分别设有输入端光栅和直通端光栅，输出直波导的一端设有输出端光栅；SOI微环谐振腔与输入直波导和输出直波导最接近的区域分别形成第一、第二耦合区域。本发明利用二维层状材料的可饱和吸收效应对SOI基滤波器进一步过滤，与传统技术相比，具有更窄的3dB带宽、更高的消光比、更少的噪声、CMOS工艺兼容等优点，可以在未来的片上光互连网络中获得广泛的应用。
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公开(公告)号：CN108767068B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810587639.2
申请日：2018-06-08
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/108 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种二维材料光探测器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤，准备基底，基底包括半导体衬底和设置于半导体衬底一面的绝缘层，在绝缘层上开设两个对称的窗口使半导体衬底暴露，在基底上开设有窗口的一面设置一层光敏二维材料，使光敏二维材料层与半导体衬底构成背靠背的双肖特基势垒，在光敏二维材料层远离半导体衬底的一面制作两处电极。本申请采用半导体二维材料和半导体构成背靠背的双肖特基势垒，当加上直流偏置电压时，一个势垒正向偏置，另一个势垒反向偏置，从而使得本申请具有较低的暗电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104779352B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510199426.9
申请日：2015-04-24
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了基于石墨烯与纳米结构钙钛矿材料的光探测器及制备方法，包括一覆盖有二氧化硅的硅衬底，硅衬底上设有石墨烯导电层，石墨烯导电层的中部分布有纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层，并形成异质结结构，石墨烯导电层的左右两端分别设有一电极层；硅衬底的最上方设有一钝化层，钝化层将石墨烯导电层、纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层和两个电极层全部覆盖；位于两个电极层上方的钝化层上经光刻和刻蚀分别形成电极的一个接触孔，两个接触孔上分别淀积有金属引出电极。本发明构建光探测器件的技术与当前的硅电子工艺平台相比具有良好的兼容性，并且制备工艺简单，器件成功率高，具有实现快速、宽带响应、宽光谱光探测的极大潜力。
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公开(公告)号：CN106450009A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610635175.9
申请日：2016-08-05
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H01L51/50 , H01L51/5012 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种双层钙钛矿发光二极管及其制备方法，双层钙钛矿发光二极管自下而上分别包括：ITO导电玻璃作为阳极，旋涂一层20nm左右的聚3,4-乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)作为空穴传输层；采用2次旋涂法制备双层钙钛矿发光层，采用的钙钛矿发光层可以是具有不同卤素配比的钙钛矿；在钙钛矿层上旋涂一层大约50nm厚的掺杂钙的氧化锌(Ca:ZnO)作为电子传输层；最后蒸镀金属钙和铝作为阴极。本发明一方面通过调控Ca:ZnO中Ca的浓度，得到一个最优的带隙，降低电子传输层与钙钛矿之间的势垒，从而降低发光二极管的开启电压，同时提高发光二极管的发光效率和内量子效率；另一方面，通过调节钙钛矿中的卤素配比，可以实现不同颜色发光。
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公开(公告)号：CN104876211A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510174415.5
申请日：2015-04-14
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种在电场环境下旋转剪切制备石墨烯的方法，采用的实验装置包括装有电解液的反应容器、作为阴极的高纯石墨、作为阳极的惰性电极和搅拌器，步骤为：将阴极阳极接通直流电源，用搅拌器搅拌电解液；在恒定电压下，阴极极化剥离高纯石墨，同时电解液在搅拌器作用下，受到一定的速度搅拌，使阴极剥离下来的多层石墨烯再受到一个剪切力，制得含有石墨烯的溶液；将含有石墨烯的溶液清洗至少5次，超声分散，低速离心；接着将得到的产物的上层清液高速离心；最后干燥即得到石墨烯。本发明的制备方法简便快捷、安全绿色、成本较低且可以直接剥离天然石墨，该方法改进了传统的电化学剥离制备石墨烯的技术，提高了制备石墨烯薄膜的产率与质量。
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公开(公告)号：CN103219403A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310135955.3
申请日：2013-04-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了基于二维层状原子晶体材料的光探测器，包括一二氧化硅覆盖的硅衬底，二氧化硅覆盖的硅衬底上依次叠加覆盖有第一石墨烯导电层、二维层状原子晶体半导体材料层和第二石墨烯导电层，第一石墨烯导电层和第二石墨烯导电层分别与二维层状原子晶体半导体材料层形成异质结结构；在第一、第二石墨烯导电层的一端上分别设有第一、第二电极层，且无任何交叠，同时第一、第二电极层又在第一、第二石墨烯导电层和二维层状原子晶体半导体材料层的交叠区之外；各层的上方设置有一钝化层。本发明采用了二维层状原子晶体材料，具有探测波谱范围宽、超快响应速度和高截止频率的工作特性，同时也具备了器件的光响应度高，光生载流子的提取简单的特性。
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公开(公告)号：CN107910249B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711127118.0
申请日：2017-11-15
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种制备二维面内异质结的方法：在平面的基底表面蒸镀一层过渡金属或其氧化物，形成0.2‑2nm的蒸镀层；在部分蒸镀层表面修饰200nm‑2μm的光刻胶，形成光刻胶的阵列，使蒸镀层表面周期性的排布有未覆盖光刻胶的区域；在未覆盖光刻胶的区域沉积20‑200nm的二氧化硅，去胶，使得蒸镀层的表面形成二氧化硅阵列以及未覆盖二氧化硅的区域；使用硫源将未覆盖二氧化硅的区域进行硫化，除去二氧化硅阵列，暴露出过渡金属或其氧化物；使用硒源将暴露出的过渡金属或其氧化物进行硒化，形成二维面内异质结。本发明采用二氧化硅作为保护牺牲层，选择性的对过渡金属或其氧化物进行硫化和硒化，可在任意基底上形成大面积的二维面内异质结，不需要二次套刻和对准。
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