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公开(公告)号：CN104836103B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510174430.X
申请日：2015-04-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种制备基于黑磷的可饱和吸收体器件的方法，这种方法将机械剥离法得到的二维层状黑磷，或者是超声震荡得到的分布在酒精溶液里的二维层状黑磷，通过定向转移的方法沉积到光纤头上，作为器件的可饱和吸收层。本发明所涉及的定向转移的方法，可以有效、高效的将黑磷转移到光纤头上，避免了人工转移过程中对材料造成的损害，并且能够精确定位纳米级材料所在的位置，避免了盲目转移的问题，提高了饱和吸收体制备的成功率。采用本发明方法制成的黑磷可饱和吸收体采用透射方式工作，可实现近中红外工作波段激光器的超短脉冲输出，具有性能好、兼容性强的特点，适用于激光器的调Q和锁模、光信号处理等应用。
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公开(公告)号：CN105044929A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510279999.2
申请日：2015-05-28
Applicant: 苏州大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯微环结构的热光调制器，包括作为基底的绝缘衬底上硅，所述绝缘衬底上硅上相邻设置有直波导和环形谐振腔，所述直波导和环形谐振腔上方设置有一层方块状的石墨烯导电层，所述石墨烯导电层另一端上方无交叠的设置有第一电极层和第二电极层。本发明中，石墨烯直接与硅微环波导接触，通过调控石墨烯上加载的电压来改变其产生的热量，最终实现硅微环中光的调制。这样的一种结构，制备较为简单，而且微环谐振腔非常敏感，加之硅较大的热光系数，最终可实现很强的光学调制。另外石墨烯超快的热导率，对于该器件的动态响应也会有较大的提升。
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公开(公告)号：CN103941345A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410188123.2
申请日：2014-05-06
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明公开了基于二维层状材料的SOI(Semicon-on-insulator)基微环滤波器，包括一个埋氧层和顶层硅组成的SOI衬底，顶层硅上设有一组SOI微环谐振腔、输入直波导和输出直波导，输入直波导和输出直波导位于SOI微环谐振腔的上下两侧，构成SOI波导结构；SOI波导结构上覆盖有一个二维层状材料，输入直波导的两端分别设有输入端光栅和直通端光栅，输出直波导的一端设有输出端光栅；SOI微环谐振腔与输入直波导和输出直波导最接近的区域分别形成第一、第二耦合区域。本发明利用二维层状材料的可饱和吸收效应对SOI基滤波器进一步过滤，与传统技术相比，具有更窄的3dB带宽、更高的消光比、更少的噪声、CMOS工艺兼容等优点，可以在未来的片上光互连网络中获得广泛的应用。
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公开(公告)号：CN106450009B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610635175.9
申请日：2016-08-05
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及种双层钙钛矿发光二极管及其制备方法,双层钙钛矿发光二极管自下而上分别包括:ITO导电玻璃作为阳极,旋涂层20nm左右的聚3,4‑乙烯二氧噻吩‑聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)作为空穴传输层;采用2次旋涂法制备双层钙钛矿发光层,采用的钙钛矿发光层可以是具有不同卤素配比的钙钛矿;在钙钛矿层上旋涂层大约50nm厚的掺杂钙的氧化锌(Ca:ZnO)作为电子传输层;最后蒸镀金属钙和铝作为阴极。本发明方面通过调控Ca:ZnO中Ca的浓度,得到个最优的带隙,降低电子传输层与钙钛矿之间的势垒,从而降低发光二极管的开启电压,同时提高发光二极管的发光效率和内量子效率;另方面,通过调节钙钛矿中的卤素配比,可以实现不同颜色发光。
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公开(公告)号：CN103531664B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310518367.8
申请日：2013-10-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法，包括以下步骤，在柔性塑料衬底上通过印刷或磁控溅射方法覆盖一层金属材料，然后光刻和刻蚀形成栅电极结构的栅电极层；在栅电极层上通过电镀或磁控溅射方法覆盖一绝缘介质层；在绝缘介质层上通过印刷技术转移单层或数层的石墨烯层；在石墨烯层上通过印刷技术转移一层二硫化物薄膜，二硫化物薄膜位于石墨烯层和栅介质层之上；通过印刷或磁控溅射的方法分别在石墨烯层和二硫化物薄膜上淀积第一电极层和第二电极层。本发明基于柔性衬底的光电晶体管的构建方法，可以采用印刷的方法构建，制作方法简单、成本低。同时，具有柔性、轻便、体积小、集成度高的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105331950A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510627135.5
申请日：2015-09-28
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及一种二维钙钛矿薄膜的制备方法，将MAX源、卤化铅源及目标衬底分别放在温区a，b及c位置。在设定的温度条件下，在衬底表面按照成核-长大-成膜的机理，实现二维大面积钙钛矿薄膜的制备。首先对控温区域b，c进行加热，使卤化铅源在目标衬底表面随机成核，生长在低覆盖度时形成分散的几十纳米尺寸的卤化铅岛状结构；此时开始对控温区域a进行加热，使所形成的岛状卤化铅转化为岛状钙钛矿；随着覆盖度的增加，卤化铅岛状结构逐渐长大，并不断被MAX转化为钙钛矿，最后不断长大的岛状钙钛矿直接拼接最终形成连续的二维连续钙钛矿薄膜，覆盖整个衬底表面。本发明所制备的钙钛矿薄膜厚度可控，具有较高的连续性、均匀性及结晶性。
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公开(公告)号：CN103296211B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310178647.9
申请日：2013-05-14
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种有机-二维晶体-无机杂化的异质结太阳能电池器件及其制备方法，太阳能电池器件从下至上依次包括金属背电极、n型硅基衬底、共轭有机物与二维层状纳米晶体材料均匀混合的有机共轭薄膜、以及金属栅电极。本发明在硅基衬底的表面旋涂二维层状纳米晶体材料与共轭有机物的混合溶液，或者直接分别依次旋涂不同浓度的二维层状纳米晶体材料与共轭有机物到硅基衬底的表面作为空穴传输层，通过对有机-无机物杂化异质结的修饰改性提高电池的稳定性，增强了太阳能电池的电荷传输能力，对表面态密度缺陷进行有效的改善，操作简单易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103193224B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310132019.7
申请日：2013-04-17
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种在非金属基底上低温制备石墨烯薄膜的方法。本发明将等离子体源引入化学气相沉积法技术制备石墨烯薄膜的过程中，在无催化非金属基底上制备出均匀的石墨烯薄膜。该方法改进了传统的化学气相沉积法制备石墨烯的技术，直接在半导体和绝缘体介质基体材料的表面生长石墨烯以实现目标应用，克服了传统方法难以在曲面或者具有三维结构的表面获得均匀高质量石墨烯薄膜的缺点，省去了传统化学气相沉积法制备石墨烯后续所必需的金属刻蚀和石墨烯转移的步骤。本发明利用等离子体增强效应，有效降低了石墨烯的制备温度，既节能又实用，同时节省工序，降低成本，在制作透明电极材料以及构建电子和光电子器件等方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105655443A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610111226.8
申请日：2016-02-29
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L51/48 , H01L51/44
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/02167 , H01L31/184 , H01L51/42 , H01L51/44
Abstract: 本发明属于太阳能光电转化技术领域，尤其涉及一种由光致极化而引起的场效应来增强太阳能电池效率的方法，该方法包括以下步骤：(1)对太阳能电池表面进行预处理，改变其表面能，预处理方法包括紫外-臭氧、等离子腐蚀、修饰表面分子键中的任意一种；(2)通过成膜工艺，在太阳能电池表面制备具有光致极化效应的功能薄膜，所述功能薄膜包括光响应层和导电薄膜层，光响应层的材料为钙钛矿纳米颗粒，导电薄膜层的材料为有机共轭分子或无机半导体材料；(3)对电池进行封装，以保护功能薄膜，该方法利用一种光致极化材料，把部分短波长的光转化为电场，这个电场作用于电池上，来增强太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN104779352A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510199426.9
申请日：2015-04-24
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , H01L51/4253
Abstract: 本发明公开了基于石墨烯与纳米结构钙钛矿材料的光探测器及制备方法，包括一覆盖有二氧化硅的硅衬底，硅衬底上设有石墨烯导电层，石墨烯导电层的中部分布有纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层，并形成异质结结构，石墨烯导电层的左右两端分别设有一电极层；硅衬底的最上方设有一钝化层，钝化层将石墨烯导电层、纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层和两个电极层全部覆盖；位于两个电极层上方的钝化层上经光刻和刻蚀分别形成电极的一个接触孔，两个接触孔上分别淀积有金属引出电极。本发明构建光探测器件的技术与当前的硅电子工艺平台相比具有良好的兼容性，并且制备工艺简单，器件成功率高，具有实现快速、宽带响应、宽光谱光探测的极大潜力。
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