公开(公告)号：CN106450009A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610635175.9

申请日：2016-08-05

Applicant: 苏州大学

Inventor： 鲍桥梁 ,  卡西木 ,  李绍娟 ,  李鹏飞

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/50 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种双层钙钛矿发光二极管及其制备方法，双层钙钛矿发光二极管自下而上分别包括：ITO导电玻璃作为阳极，旋涂一层20nm左右的聚3,4-乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)作为空穴传输层；采用2次旋涂法制备双层钙钛矿发光层，采用的钙钛矿发光层可以是具有不同卤素配比的钙钛矿；在钙钛矿层上旋涂一层大约50nm厚的掺杂钙的氧化锌(Ca:ZnO)作为电子传输层；最后蒸镀金属钙和铝作为阴极。本发明一方面通过调控Ca:ZnO中Ca的浓度，得到一个最优的带隙，降低电子传输层与钙钛矿之间的势垒，从而降低发光二极管的开启电压，同时提高发光二极管的发光效率和内量子效率；另一方面，通过调节钙钛矿中的卤素配比，可以实现不同颜色发光。

公开(公告)号：CN106450009B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201610635175.9

申请日：2016-08-05

Applicant: 苏州大学

Inventor： 鲍桥梁 ,  卡西木 ,  李绍娟 ,  李鹏飞

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及种双层钙钛矿发光二极管及其制备方法,双层钙钛矿发光二极管自下而上分别包括:ITO导电玻璃作为阳极,旋涂层20nm左右的聚3,4‑乙烯二氧噻吩‑聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)作为空穴传输层;采用2次旋涂法制备双层钙钛矿发光层,采用的钙钛矿发光层可以是具有不同卤素配比的钙钛矿;在钙钛矿层上旋涂层大约50nm厚的掺杂钙的氧化锌(Ca:ZnO)作为电子传输层;最后蒸镀金属钙和铝作为阴极。本发明方面通过调控Ca:ZnO中Ca的浓度,得到个最优的带隙,降低电子传输层与钙钛矿之间的势垒,从而降低发光二极管的开启电压,同时提高发光二极管的发光效率和内量子效率;另方面,通过调节钙钛矿中的卤素配比,可以实现不同颜色发光。