公开(公告)号：CN107910249B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201711127118.0

申请日：2017-11-15

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李绍娟 ,  袁建 ,  孙甜 ,  马玮良 ,  拓明芬

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种制备二维面内异质结的方法：在平面的基底表面蒸镀一层过渡金属或其氧化物，形成0.2‑2nm的蒸镀层；在部分蒸镀层表面修饰200nm‑2μm的光刻胶，形成光刻胶的阵列，使蒸镀层表面周期性的排布有未覆盖光刻胶的区域；在未覆盖光刻胶的区域沉积20‑200nm的二氧化硅，去胶，使得蒸镀层的表面形成二氧化硅阵列以及未覆盖二氧化硅的区域；使用硫源将未覆盖二氧化硅的区域进行硫化，除去二氧化硅阵列，暴露出过渡金属或其氧化物；使用硒源将暴露出的过渡金属或其氧化物进行硒化，形成二维面内异质结。本发明采用二氧化硅作为保护牺牲层，选择性的对过渡金属或其氧化物进行硫化和硒化，可在任意基底上形成大面积的二维面内异质结，不需要二次套刻和对准。

公开(公告)号：CN108767068B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201810587639.2

申请日：2018-06-08

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李绍娟 ,  孙甜 ,  马玮良 ,  拓明芬 ,  袁建

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种二维材料光探测器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤，准备基底，基底包括半导体衬底和设置于半导体衬底一面的绝缘层，在绝缘层上开设两个对称的窗口使半导体衬底暴露，在基底上开设有窗口的一面设置一层光敏二维材料，使光敏二维材料层与半导体衬底构成背靠背的双肖特基势垒，在光敏二维材料层远离半导体衬底的一面制作两处电极。本申请采用半导体二维材料和半导体构成背靠背的双肖特基势垒，当加上直流偏置电压时，一个势垒正向偏置，另一个势垒反向偏置，从而使得本申请具有较低的暗电流。

公开(公告)号：CN108767068A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810587639.2

申请日：2018-06-08

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李绍娟 ,  孙甜 ,  马玮良 ,  拓明芬 ,  袁建

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种二维材料光探测器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤，准备基底，基底包括半导体衬底和设置于半导体衬底一面的绝缘层，在绝缘层上开设两个对称的窗口使半导体衬底暴露，在基底上开设有窗口的一面设置一层光敏二维材料，使光敏二维材料层与半导体衬底构成背靠背的双肖特基势垒，在光敏二维材料层远离半导体衬底的一面制作两处电极。本申请采用半导体二维材料和半导体构成背靠背的双肖特基势垒，当加上直流偏置电压时，一个势垒正向偏置，另一个势垒反向偏置，从而使得本申请具有较低的暗电流。

公开(公告)号：CN107919388A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711127151.3

申请日：2017-11-15

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李绍娟 ,  马玮良 ,  袁建 ,  孙甜 ,  拓明芬

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L29/41725

Abstract: 本发明涉及一种降低二维材料场效应晶体管接触电阻的方法，包括以下步骤：在部分基底的表面蒸镀至少一个过渡金属区，形成过渡金属层；其中，过渡金属区的厚度为0.1-2nm；光刻、显影后形成光刻胶层，光刻胶层上至少具有两个用于蒸镀源漏电极的孔，每个孔的下方正对部分过渡金属层和部分基底的表面，每个孔位于过渡金属区的一侧；在孔中蒸镀源漏电极，然后去除光刻胶层，露出其他部分的基底；使用硫源对过渡金属进行硫化或使用硒源对过渡金属进行硒化，冷却后在基底表面形成二维材料场效应晶体管。本发明采用源漏电极作为保护隔离层，在源漏电极之间形成二维材料的沟道，降低沟道与源漏电极之间的交叠面积，从而降低二者之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN107910249A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711127118.0

申请日：2017-11-15

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李绍娟 ,  袁建 ,  孙甜 ,  马玮良 ,  拓明芬

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L21/34 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明涉及一种制备二维面内异质结的方法：在平面的基底表面蒸镀一层过渡金属或其氧化物，形成0.2-2nm的蒸镀层；在部分蒸镀层表面修饰200nm-2μm的光刻胶，形成光刻胶的阵列，使蒸镀层表面周期性的排布有未覆盖光刻胶的区域；在未覆盖光刻胶的区域沉积20-200nm的二氧化硅，去胶，使得蒸镀层的表面形成二氧化硅阵列以及未覆盖二氧化硅的区域；使用硫源将未覆盖二氧化硅的区域进行硫化，除去二氧化硅阵列，暴露出过渡金属或其氧化物；使用硒源将暴露出的过渡金属或其氧化物进行硒化，形成二维面内异质结。本发明采用二氧化硅作为保护牺牲层，选择性的对过渡金属或其氧化物进行硫化和硒化，可在任意基底上形成大面积的二维面内异质结，不需要二次套刻和对准。