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公开(公告)号：CN103193224A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310132019.7
申请日：2013-04-17
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种在非金属基底上低温制备石墨烯薄膜的方法。本发明将等离子体源引入化学气相沉积法技术制备石墨烯薄膜的过程中，在无催化非金属基底上制备出均匀的石墨烯薄膜。该方法改进了传统的化学气相沉积法制备石墨烯的技术，直接在半导体和绝缘体介质基体材料的表面生长石墨烯以实现目标应用，克服了传统方法难以在曲面或者具有三维结构的表面获得均匀高质量石墨烯薄膜的缺点，省去了传统化学气相沉积法制备石墨烯后续所必需的金属刻蚀和石墨烯转移的步骤。本发明利用等离子体增强效应，有效降低了石墨烯的制备温度，既节能又实用，同时节省工序，降低成本，在制作透明电极材料以及构建电子和光电子器件等方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119633110A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411896032.4
申请日：2024-12-20
Applicant: 苏州大学附属第一医院
IPC: A61K39/395 , A61P37/06 , A61P1/00 , A61P29/00 , G01N33/68 , C12Q1/6883
Abstract: 本发明涉及医学检测技术领域，尤其涉及分泌型IgA在制备防治急性移植物抗宿主病的药物、诊断试剂中的应用。本发明研究发现，SIgA可有效地治疗急性移植物抗宿主病；SIgA在non‑aGVHD和aGVHD的血清及粪便中的含量存在显著差异(P
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公开(公告)号：CN115591006A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211116077.6
申请日：2022-09-14
Applicant: 苏州大学(CN)
Abstract: 本发明属于医疗材料技术领域，具体涉及一种天然抗菌的茶多酚‑丝素/壳聚糖栓塞微球及其制备方法。该制备方法以丝素蛋白/壳聚糖为基体材料，以壳聚糖微纳米粒为芯材，采用两步成球法制得大尺寸规格的茶多酚‑丝素/壳聚糖栓塞微球，再经冷冻干燥制得。本发明制得的茶多酚‑丝素/壳聚糖栓塞微球尺寸分布为200‑400μm、550‑750μm，抗菌效果超过99％，包封率超过70％，吸水重量增加率为在400‑500％左右，微球结构致密，多孔，球形较圆整，亲水性好，微球不易聚集而堵塞手术时的导管。
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公开(公告)号：CN104836103B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510174430.X
申请日：2015-04-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种制备基于黑磷的可饱和吸收体器件的方法，这种方法将机械剥离法得到的二维层状黑磷，或者是超声震荡得到的分布在酒精溶液里的二维层状黑磷，通过定向转移的方法沉积到光纤头上，作为器件的可饱和吸收层。本发明所涉及的定向转移的方法，可以有效、高效的将黑磷转移到光纤头上，避免了人工转移过程中对材料造成的损害，并且能够精确定位纳米级材料所在的位置，避免了盲目转移的问题，提高了饱和吸收体制备的成功率。采用本发明方法制成的黑磷可饱和吸收体采用透射方式工作，可实现近中红外工作波段激光器的超短脉冲输出，具有性能好、兼容性强的特点，适用于激光器的调Q和锁模、光信号处理等应用。
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公开(公告)号：CN105044929A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510279999.2
申请日：2015-05-28
Applicant: 苏州大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯微环结构的热光调制器，包括作为基底的绝缘衬底上硅，所述绝缘衬底上硅上相邻设置有直波导和环形谐振腔，所述直波导和环形谐振腔上方设置有一层方块状的石墨烯导电层，所述石墨烯导电层另一端上方无交叠的设置有第一电极层和第二电极层。本发明中，石墨烯直接与硅微环波导接触，通过调控石墨烯上加载的电压来改变其产生的热量，最终实现硅微环中光的调制。这样的一种结构，制备较为简单，而且微环谐振腔非常敏感，加之硅较大的热光系数，最终可实现很强的光学调制。另外石墨烯超快的热导率，对于该器件的动态响应也会有较大的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103941345A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410188123.2
申请日：2014-05-06
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明公开了基于二维层状材料的SOI(Semicon-on-insulator)基微环滤波器，包括一个埋氧层和顶层硅组成的SOI衬底，顶层硅上设有一组SOI微环谐振腔、输入直波导和输出直波导，输入直波导和输出直波导位于SOI微环谐振腔的上下两侧，构成SOI波导结构；SOI波导结构上覆盖有一个二维层状材料，输入直波导的两端分别设有输入端光栅和直通端光栅，输出直波导的一端设有输出端光栅；SOI微环谐振腔与输入直波导和输出直波导最接近的区域分别形成第一、第二耦合区域。本发明利用二维层状材料的可饱和吸收效应对SOI基滤波器进一步过滤，与传统技术相比，具有更窄的3dB带宽、更高的消光比、更少的噪声、CMOS工艺兼容等优点，可以在未来的片上光互连网络中获得广泛的应用。
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公开(公告)号：CN119770524A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411723686.7
申请日：2024-11-28
Applicant: 苏州大学附属第一医院
Abstract: 本发明涉及生物医药领域，特别涉及芬氏另枝杆菌在制备治疗急性移植物抗宿主病的药物中的应用。本发明中明确了一种具有抑制急性移植物抗宿主病的效果的具体菌种，芬氏另枝杆菌。通过获得具有抑制效果的单一菌种，有助于药物流程化、标准化的制备，从而获得成分清晰，经过严格质量检测，且能够直接应用于临床的药物，使同一种标准药物可广泛应用于患有急性移植物抗宿主病的患者，提高药物的普适性。
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公开(公告)号：CN106450009B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610635175.9
申请日：2016-08-05
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及种双层钙钛矿发光二极管及其制备方法,双层钙钛矿发光二极管自下而上分别包括:ITO导电玻璃作为阳极,旋涂层20nm左右的聚3,4‑乙烯二氧噻吩‑聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)作为空穴传输层;采用2次旋涂法制备双层钙钛矿发光层,采用的钙钛矿发光层可以是具有不同卤素配比的钙钛矿;在钙钛矿层上旋涂层大约50nm厚的掺杂钙的氧化锌(Ca:ZnO)作为电子传输层;最后蒸镀金属钙和铝作为阴极。本发明方面通过调控Ca:ZnO中Ca的浓度,得到个最优的带隙,降低电子传输层与钙钛矿之间的势垒,从而降低发光二极管的开启电压,同时提高发光二极管的发光效率和内量子效率;另方面,通过调节钙钛矿中的卤素配比,可以实现不同颜色发光。
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公开(公告)号：CN103193224B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310132019.7
申请日：2013-04-17
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种在非金属基底上低温制备石墨烯薄膜的方法。本发明将等离子体源引入化学气相沉积法技术制备石墨烯薄膜的过程中，在无催化非金属基底上制备出均匀的石墨烯薄膜。该方法改进了传统的化学气相沉积法制备石墨烯的技术，直接在半导体和绝缘体介质基体材料的表面生长石墨烯以实现目标应用，克服了传统方法难以在曲面或者具有三维结构的表面获得均匀高质量石墨烯薄膜的缺点，省去了传统化学气相沉积法制备石墨烯后续所必需的金属刻蚀和石墨烯转移的步骤。本发明利用等离子体增强效应，有效降低了石墨烯的制备温度，既节能又实用，同时节省工序，降低成本，在制作透明电极材料以及构建电子和光电子器件等方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117586494A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202410077762.5
申请日：2024-01-19
Applicant: 苏州大学
IPC: C08G69/10
Abstract: 本发明涉及一种侧链含未保护羟基聚氨基酸及其制备方法，属于聚合物制备技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：将侧链含未保护羟基的氨基酸悬浮于有机溶剂中，加入三光气、光气或光气衍生物进行关环反应，重结晶后得到侧链含未保护羟基的N‑羧酸环内酸酐单体；将所得侧链含未保护羟基的N‑羧酸环内酸酐单体溶于有机溶剂中，在引发剂存在下均聚或者与其他NCA单体共聚，得到所述侧链含未保护羟基的聚氨基酸。本发明针对侧链含未保护羟基聚氨基酸这一类有重要应用前景的高分子材料，通过侧链含未保护羟基氨基酸N‑羧酸环内酸酐单体的直接合成与聚合，规避了传统方法中繁琐的侧链保护/脱保护步骤，显著降低了材料合成的成本和技术门槛。
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