公开(公告)号：CN102544035A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110392612.6

申请日：2011-11-23

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 钱胤 ,  戴幸志 ,  D·毛 ,  V·韦内齐亚 ,  W·郑 ,  顾克强 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明涉及使用切割道蚀刻的晶圆切片。本发明提供用于自具有第一侧及第二侧的晶圆分开管芯的方法的实施例。该制程实施例包括遮蔽该晶圆的该第一侧，该掩模在其中包括开口以暴露该第一侧的与该晶圆的切割道实质上对准的部分。该制程实施例亦包括自该晶圆的该第一侧的这些暴露部分开始蚀刻，直至在该第一侧与该第二侧之间的中间位置为止，及锯切该晶圆的其余部分，该锯切自该中间位置开始直至到达该第二表面。

公开(公告)号：CN102082152A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010521560.3

申请日：2010-10-19

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： V·韦内齐亚 ,  戴幸志 ,  D·毛 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 一种图像传感器提供高可扩缩性(scalability)和减小的图像延迟。传感器包括第一成像像素，其具有形成于图像传感器的衬底中的第一光电二极管区域。传感器亦包括耦合至第一光电二极管区域的第一垂直转移晶体管。第一垂直转移晶体管可用以建立有源沟道。有源沟道通常沿着第一垂直转移晶体管的长度延伸且将第一光电二极管区域耦合至浮动扩散。

公开(公告)号：CN105895651A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610331176.4

申请日：2009-02-04

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 戴幸志 ,  D·毛 ,  V·韦内齐亚 ,  钱卫东 ,  A·沙阿 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明揭示一种图像传感器以及图像传感器的自对准滤光片，其包含至少一个设置在一半导体基板中的光敏元件。金属导体可设置在该半导体基板上。一滤光片可设置在至少两个单独的金属导体之间且一微透镜可设置在该滤光片上。可存在设置于这种金属导体与该半导体基板之间及/或单独的金属导体之间的绝缘体材料。该绝缘体材料可经移除以使得该滤光片可设置在该半导体基板上。

公开(公告)号：CN101983430B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200880126380.6

申请日：2008-12-23

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 戴幸志 ,  H·E·罗兹 ,  D·毛 ,  V·韦内齐亚 ,  钱胤

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是关于一种背面受光成像传感器，其包含具有正面及背面的半导体基板。该半导体基板具有形成于该正面上的至少一个成像阵列。该成像传感器亦包含载体基板，其是用以对该半导体基板提供结构支撑，其中该载体基板具有与该半导体基板的该正面耦合的第一表面。再分配层是形成在该半导体基板的该正面与该载体基板的该第二表面之间以传送电信号于该成像阵列与该载体基板的第二表面之间。

公开(公告)号：CN101939841B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200980104585.9

申请日：2009-02-02

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 代铁军 ,  戴幸志 ,  真锅宗平 ,  野崎秀俊 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641

Abstract: 本发明是关于一种背侧照明(BSI)成像传感器像素(400)，其包括：光电二极管(420)区域；及像素电路(430)。该光电二极管区域被布置在半导体管芯中，用于响应于入射在该BSI成像传感器像素的背侧上的光而累积图像电荷。该像素电路包含晶体管像素电路，该像素电路是布置在该半导体管芯的前侧与该光电二极管区域之间的该半导体管芯中。该像素电路的至少一部分与该光电二极管区域重迭。

公开(公告)号：CN101939840B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200880126448.0

申请日：2008-12-24

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 钱胤 ,  H·E·罗兹 ,  戴幸志 ,  V·韦内齐亚 ,  D·毛

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14652

Abstract: 本发明是关于一种背面受光成像传感器，其包含半导体层及红外线检测层。该半导体层具有正面及背面。成像像素包含形成在该半导体层内的光电二极管区域。该红外线检测层是设置在该半导体层的正面上以从该半导体层的背面接收通过该成像传感器而传播的红外线。

公开(公告)号：CN102347343A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110221490.4

申请日：2011-07-25

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 钱胤 ,  戴幸志 ,  D·毛 ,  V·韦内齐亚 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685

Abstract: 本文公开了一种具有介于彩色滤光器之间的暗侧壁以减少光串扰的图像传感器。一种用于制造包括安置于邻近彩色滤光器之间的暗侧壁膜的图像传感器的装置及技术。该图像传感器进一步包括：安置于基板层中的感光元件阵列；彩色滤光器阵列(“CFA”)，其包括具有至少两种不同色彩、安置于该基板层的光入射侧上的CFA元件；及微透镜阵列，其安置于该CFA之上。每一微透镜被对准以经由相应CFA元件将入射于该图像传感器的光入射侧上的光指引至相应感光元件。暗侧壁膜安置于CFA元件的侧面上且分离CFA元件中的具有不同色彩的邻近者。

公开(公告)号：CN101983430A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200880126380.6

申请日：2008-12-23

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 戴幸志 ,  H·E·罗兹 ,  D·毛 ,  V·韦内齐亚 ,  钱胤

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是关于一种背面受光成像传感器，其包含具有正面及背面的半导体基板。该半导体基板具有形成于该正面上的至少一个成像阵列。该成像传感器亦包含载体基板，其是用以对该半导体基板提供结构支撑，其中该载体基板具有与该半导体基板的该正面耦合的第一表面。再分配层是形成在该半导体基板的该正面与该载体基板的该第二表面之间以传送电信号于该成像阵列与该载体基板的第二表面之间。

公开(公告)号：CN101939840A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200880126448.0

申请日：2008-12-24

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 钱胤 ,  H·E·罗兹 ,  戴幸志 ,  V·韦内齐亚 ,  D·毛

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14652

Abstract: 本发明是关于一种背面受光影像感测器，其包含一半导体层及一红外线侦测层。该半导体层具有一正面及一背面。一影像像素包含形成在该半导体层内的一光电二极体区域。该红外线侦测层是设置在该半导体层的该正面上以从该半导体层的该背面接收通过该影像感测器而传播的红外线。

公开(公告)号：CN101939839A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200880126428.3

申请日：2008-12-23

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 野崎秀俊 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种背面受光影像传感器，其包括一具有一P-型区的半导体层。一正面及背面P+掺杂层形成于该半导体层内。具有一光电二极管的一影像像素形成于该半导体层内，其中该光电二极管是在该半导体层的P-型区内、于该正面P+掺杂层与该背面P+层之间形成的一N-区。