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公开(公告)号：CN102469278A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110378099.5
申请日：2011-11-14
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
Inventor： 代铁军
IPC: H04N5/378
CPC classification number: H04N5/3745 , H04N5/3577 , H04N5/359 , H04N5/376
Abstract: 本发明的一个方面提供一种设备，该设备包括像素阵列。像素的每一个包括光敏元件及与该光敏元件耦合的传输晶体管。传输晶体管的每一个具有传输栅极。该设备亦包括第一传输栅极截止电压供应导体和第二传输栅极截止电压供应导体。电路与该第一传输栅极截止电压供应导体及该第二传输栅极截止电压供应导体耦合。该电路可操作以将该第一传输栅极截止电压供应导体耦合至该阵列的像素的第一子组的传输栅极。该电路亦可操作以将该第二传输栅极截止电压供应导体同时耦合至该阵列的像素的第二子组的传输栅极。
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公开(公告)号：CN101939841A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104585.9
申请日：2009-02-02
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641
Abstract: 本发明是关于一种背侧照明(BSI)成像感测器像素(400)，其包括：一光电二极体(420)区域；及像素电路(430)。该光电二极体区域是布置在一半导体晶粒中，用于回应于入射在该BSI成像感测器像素的一背侧上的光而蓄积一影像电荷。该像素电路包含电晶体像素电路，该像素电路是布置在该半导体晶粒的一前侧与该光电二极体区域之间的该半导体晶粒中。该像素电路的至少一部分重迭于该光电二极体区域。
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公开(公告)号：CN101933320A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200880107035.8
申请日：2008-09-11
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/235
CPC classification number: H04N5/2357 , H04N5/144 , H04N7/0132 , H04N17/002
Abstract: 本发明涉及用于图像传感器的光源频率探测电路。一种用于测量光源的工频的设备包括光传感器、调制器以及逻辑单元。该光传感器响应于从光源入射到其上的光而产生电信号。该调制器根据以与光源的工频基本成比例的速率切换的电信号来产生经调制的信号。该逻辑单元被连接以接收经调制的信号并且确定其切换频率。
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公开(公告)号：CN101861697A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200880116409.2
申请日：2008-11-05
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
CPC classification number: H03F3/005 , H03F3/45183 , H03F3/68
Abstract: 开关电容(“SC”)放大器包括两级运算放大器(“OP-AMP”)，输入SC网络，和反馈SC网络。两级OP-AMP包括第一OP-AMP级，该第一OP-AMP级具有与第二OP-AMP级的输入相耦合的输出。输入SC网络被耦合到第一OP-AMP级的输入。反馈SC网络被配置用于在SC放大器操作的第一级选择性地将第一OP-AMP级的输出耦合到第一OP-AMP级的输入，并在SC放大器操作的第二级将第二OP-AMP的输出耦合到第一OP-AMP级的输入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101843089A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880114223.3
申请日：2008-10-20
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/217
CPC classification number: H04N5/361
Abstract: 公开了处理的实施例，该处理包括：接收多个偏移模拟信号，每个偏移模拟信号对应于像素阵列中的多个黑像素之一；为每个偏移模拟信号获得对应的数字值；计算数字值的均值；以及计算黑电平偏移，如果应用该黑电平偏移到数字值，则将使数字值的均值等于目标值。还公开了设备的实施例，该设备包括：与模拟信道耦合的模数转换器，用以从模拟信道接收偏移模拟黑像素信号，并用以为每个偏移模拟信号获得对应的数字值；与模数转换器耦合的电路和逻辑，用以对对应于黑像素的数字值求均值，并计算黑电平偏移，如果应用该黑电平偏移到黑像素的数字值，则将使黑像素数字值的均值等于目标值。
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公开(公告)号：CN102376730B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201110245139.9
申请日：2011-08-18
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/148 , H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L29/1079 , H01L29/1083 , H01L29/66537 , H01L2924/12043
Abstract: 本发明涉及嵌入传送栅。本文所公开的图像传感器像素包括：半导体层、用于累积光生电荷的感光区、浮动节点、沟槽及嵌入传送栅。该感光区及该沟槽安置于该半导体层内。该沟槽延伸至该半导体层中、介于该感光区与该浮动节点之间，且该嵌入传送栅安置于该沟槽内以控制该光生电荷自该感光区至该浮动节点的传送。
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公开(公告)号：CN102572326A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110375210.5
申请日：2011-11-08
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3742
Abstract: 一种图像传感器包括组织成像素阵列的行和列的多个像素单元。位线耦合至该像素阵列的一排内的像素单元中的每一个。读出电路耦合至该位线以从该排内的像素单元读出图像数据。该读出电路包括：排放大器，其耦合至该位线以放大该图像数据；以及第一取样及转换电路和第二取样及转换电路，第一取样及转换电路和第二取样及转换电路并联地耦合至该排放大器的输出以交互地且同时地取样该图像数据且将该图像数据从模拟值转换成数字值。
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公开(公告)号：CN102403328A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110286464.X
申请日：2011-09-07
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/357
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/1469 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明涉及具有改良噪声屏蔽的图像传感器。本发明公开一种图像传感器，其包含接合至载体晶片且包含用于摄取图像数据的像素阵列的器件晶片。信号线安置成邻近于该载体晶片的与该器件晶片相对的一侧，且金属噪声屏蔽层置于该像素阵列之下且在该器件晶片或该载体晶片的至少一个内以屏蔽该像素阵列使其免受自信号线发出的噪声。穿硅通孔(“TSV”)延伸穿过该载体晶片及该金属噪声屏蔽层且延伸至该器件晶片中以便耦合至该器件晶片内的电路。可通过高度掺杂该载体晶片和/或用低K介电材料覆盖该载体晶片的底侧来提供进一步的噪声屏蔽。
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公开(公告)号：CN101939982A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104572.1
申请日：2009-01-27
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14609 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H04N5/3745
Abstract: 本发明是关于一种背侧照明成像传感器像素，其包含一光电二极管区域、一像素电路区域和一储存电容器。该光电二极管区域被配置在一半导体晶粒内用于累积一影像电荷。该像素电路区域被配置在该半导体晶粒上在该半导体晶粒的一前侧与该光电二极管区域之间。该像素电路区域与该光电二极管区域的至少一部分重迭。该储存电容器被包含在与该光电二极管区域重迭的该像素电路区域内且被选择性地耦合到该光电二极管区域以暂时储存在其上累积的影像电荷。
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