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公开(公告)号：CN101091262A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001573.X
申请日：2006-09-08
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L33/00 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , G02F1/133603 , G02F1/133621 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L2224/0603 , H01L2224/16145 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01S5/3086 , H01S5/309 , H01S5/34333 , H04N9/315 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种GaN基半导体发光装置，包括(A)具有n型导电性的第一GaN基化合物半导体层(13)；(B)具有包括阱层和介于阱层之间起分隔作用的势垒层的多量子阱结构的有源层(15)；和(C)具有p型导电性的第二GaN基化合物半导体层(17)。该阱层设置在该有源层中以满足关系d1＜d2，其中d1为有源层中第一GaN基化合物半导体层侧的阱层密度，而d2为第二GaN基化合物半导体层侧的阱层密度。
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公开(公告)号：CN1698213A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000358.9
申请日：2004-02-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2224/48137
Abstract: 在蓝宝石衬底上生长n型GaN层，并且在其上形成例如SiN膜作为生长掩模。在生长掩模的开口部分下的n型GaN层上选择性生长六棱椎尖顶形的n型GaN层，此尖顶形n型GaN层由多个晶面组成，它们以不同的倾角相对于蓝宝石衬底的主面倾斜，从而整体来看形成一个凸起。在此n型GaN层上顺序形成一个有源层和p型GaN层，由此形成一个发光元件结构。然后，形成p侧电极和n侧电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101562226B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200910134437.3
申请日：2009-04-13
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , G02F1/133603 , H01L33/02 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种GaN基半导体发光元件及其驱动方法、发光元件组件、发光设备和图像显示设备，该GaN基半导体发光元件包括：第一GaN基化合物半导体层；具有多量子阱结构的活性层；和第二GaN基化合物半导体层，其中，构成活性层的势垒层中的至少一个由变化成分势垒层构成，且变化成分势垒层的成分沿其厚度方向变化以使变化成分势垒层的一个区域(该区域与在设置在较靠近第二GaN基化合物半导体层的阱层和变化成分势垒层之间的边界相邻)中的带隙能量比变化成分势垒层的另一个区域(该区域与在设置在较靠近第一GaN基化合物半导体层的阱层和变化成分势垒层之间的边界相邻)中的带隙能量要低。
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公开(公告)号：CN101562226A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910134437.3
申请日：2009-04-13
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , G02F1/133603 , H01L33/02 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种GaN基半导体发光元件及其驱动方法、发光元件组件、发光设备和图像显示设备，该GaN基半导体发光元件包括：第一GaN基化合物半导体层；具有多量子阱结构的活性层；和第二GaN基化合物半导体层，其中，构成活性层的势垒层中的至少一个由变化成分势垒层构成，且变化成分势垒层的成分沿其厚度方向变化以使变化成分势垒层的一个区域(该区域与在设置在较靠近第二GaN基化合物半导体层的阱层和变化成分势垒层之间的边界相邻)中的带隙能量比变化成分势垒层的另一个区域(该区域与在设置在较靠近第一GaN基化合物半导体层的阱层和变化成分势垒层之间的边界相邻)中的带隙能量要低。
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公开(公告)号：CN101533885A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127136.8
申请日：2009-03-13
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及GaN基半导体发光元件及其制造方法和驱动方法、发光元件组件、发光装置及图像显示装置。所述GaN基半导体发光元件，包括：(A)n型导电型的第一GaN基化合物半导体层；(B)活性层；(C)p型导电型的第二GaN基化合物半导体层；(D)第一电极，电连接至第一GaN基化合物半导体层；(E)第二电极，电连接至第二GaN基化合物半导体层；(F)杂质扩散阻挡层，由未掺杂的GaN基化合物半导体所构成，该杂质扩散阻挡层防止p型杂质扩散进活性层；以及(G)层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层。杂质扩散阻挡层和层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层以从活性层侧的顺序被配置在活性层与第二GaN基化合物半导体层之间。
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公开(公告)号：CN100514690C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710142015.1
申请日：2007-08-13
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 琵琶刚志
CPC classification number: H01L33/16 , G09G3/3216 , G09G3/3225 , G09G2320/0233 , G09G2320/0626 , H01L33/32 , H04N9/3155 , H05B33/0857
Abstract: 本发明公开了一种用于驱动发光二极管的方法，其包括用等于或者小于20A/cm2的范围内的电流密度来调节发光二极管的亮度的步骤。发光二极管包括p型层、n型层和发光层，发光层被布置在p型层与n型层之间并且具有含铟量子阱结构。p型层、n型层和发光层中的每一个都包括具有纤锌矿型结构的氮基III-V族化合物半导体晶体。发光层具有相对于c平面以0.25°至2°的角度倾斜的主表面。
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公开(公告)号：CN101339970A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810126483.4
申请日：2008-07-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L27/1446 , H01L27/156 , H01L31/0304 , H01L33/025 , H01L2224/0603
Abstract: 本发明提供了可以抑制在反向偏压时间期间内所生成的漏电流的GaN基半导体元件、使用其的光学装置以及使用光学装置的图像显示装置。该GaN基半导体元件具有：第一GaN基化合物层，包括n型导电层；第二GaN基化合物层，包括p型导电层；以及活性层，设置在所述第一GaN基化合物层和所述第二GaN基化合物层之间。在该GaN基半导体元件中，第一GaN基化合物层包括具有在3×1018/cm3～3×1019/cm3范围内的n型杂质浓度的底层，并且当施加5V的反向偏压时，作为流过活性层每单位面积的电流的密度的漏电流密度为2×10－5A/cm2以下。在本发明中，当施加反向偏压时，由于漏电流的抑制，防止了性能由于色度亮度干扰引起的劣化，抑制了功耗的增加，可以防止电路故障，使得可维持稳定且优化的操作性能。
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