公开(公告)号：CN101533885B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910127136.8

申请日：2009-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 内藤宏树 ,  奥山浩之 ,  琵琶刚志 ,  西中逸平

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/042 ,  G02F1/35 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及GaN基半导体发光元件及其制造方法和驱动方法、发光元件组件、发光装置及图像显示装置。所述GaN基半导体发光元件，包括：(A)n型导电型的第一GaN基化合物半导体层；(B)活性层；(C)p型导电型的第二GaN基化合物半导体层；(D)第一电极，电连接至第一GaN基化合物半导体层；(E)第二电极，电连接至第二GaN基化合物半导体层；(F)杂质扩散阻挡层，由未掺杂的GaN基化合物半导体所构成，该杂质扩散阻挡层防止p型杂质扩散进活性层；以及(G)层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层。杂质扩散阻挡层和层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层以从活性层侧的顺序被配置在活性层与第二GaN基化合物半导体层之间。

公开(公告)号：CN101091262A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200680001573.X

申请日：2006-09-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 琵琶刚志 ,  奥山浩之

IPC: H01L33/00 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/133621 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/309 ,  H01S5/34333 ,  H04N9/315 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种GaN基半导体发光装置，包括(A)具有n型导电性的第一GaN基化合物半导体层(13)；(B)具有包括阱层和介于阱层之间起分隔作用的势垒层的多量子阱结构的有源层(15)；和(C)具有p型导电性的第二GaN基化合物半导体层(17)。该阱层设置在该有源层中以满足关系d1＜d2，其中d1为有源层中第一GaN基化合物半导体层侧的阱层密度，而d2为第二GaN基化合物半导体层侧的阱层密度。

公开(公告)号：CN1698213A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000358.9

申请日：2004-02-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  铃木淳 ,  大畑丰治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48137

Abstract: 在蓝宝石衬底上生长n型GaN层，并且在其上形成例如SiN膜作为生长掩模。在生长掩模的开口部分下的n型GaN层上选择性生长六棱椎尖顶形的n型GaN层，此尖顶形n型GaN层由多个晶面组成，它们以不同的倾角相对于蓝宝石衬底的主面倾斜，从而整体来看形成一个凸起。在此n型GaN层上顺序形成一个有源层和p型GaN层，由此形成一个发光元件结构。然后，形成p侧电极和n侧电极。