-
公开(公告)号：CN108878391A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810578880.9
申请日：2018-06-07
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种智能功率模块结构及其制造方法。该智能功率模块结构包括基板(1)、芯片单元、预成型焊料(2)和封装材料(3)，芯片单元设置在基板(1)上，预成型焊料(2)与芯片单元电性连接，封装材料(3)封装在基板(1)、芯片单元和预成型焊料(2)外，预成型焊料(2)露出封装材料(3)。根据本发明的智能功率模块结构，能够实现智能功率模块的无引脚设计，便于智能功率模块实现自动化焊接，提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN106856207A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201611076971.X
申请日：2016-11-28
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供了一种FRD芯片的终端结构、其制备方法及具有其的FRD芯片。该FRD芯片具有衬底和设置在衬底上的外延片，FRD芯片包括终端结构和有源结构，终端结构围绕FRD芯片的有源结构设置在外延片中，衬底向外延片延伸的方向为深度方向，终端结构包括：终端耐压环数量为一个，设置在外延片中；终端截止环设置在终端耐压环的远离有源结构的一侧的外延片中，其中衬底、外延片和终端截止环的掺杂离子类型相同，终端耐压环和外延片的掺杂离子为反型离子。将终端耐压环设置为一个，使得终端结构相对于现有技术中分压环的方案所占面积大大减小且该终端耐压环起到足够的耐压性能，因此，提高了芯片的导电能力且减小了制作终端耐压环的成本。
-
公开(公告)号：CN106653824A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610913275.3
申请日：2016-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/331 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0615 , H01L29/42312 , H01L29/66325 , H01L29/66409 , H01L29/7393 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型金属氧化物半导体功率器件及其制作方法，在制作时利用同一光罩来同时制作元胞区和终端耐压区的结构，相对于传统的采用不同光罩分别实现元胞区和终端耐压区结构的制作，在保证器件耐压性能的同时，可以减少工艺过程及光罩层数，从而降低生产成本。并且，在器件中采用与元胞区相类似的沟槽结构来实现终端耐压区的分压环结构，可以减少在采用光罩利用注入掺杂和扩散推结制作各分压环时，为避免各分压环相互连接时需要在各分压环之间设定较大距离的间隔，有利于在保证终端耐压区性能的同时，缩小终端耐压区所占面积，从而增加器件的有效管芯数量，进一步减低器件成本。
-
公开(公告)号：CN107275396A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710667268.4
申请日：2017-08-07
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT及其制作方法，在沟槽栅IGBT的第一沟槽栅上设置一接触区，在制作隔离层时仅仅对隔离层对应该第一接触区的部分进行刻蚀挖空，而无需对隔离层对应第一沟槽栅其他区域的部分进行刻蚀挖空处理，保证第一沟槽栅的顶面边缘与沟槽栅衬底结构的表面接触部分质量较高，改善沟槽栅IGBT容易出现漏电的问题，提高其可靠性。此外，本发明提供的沟槽栅IGBT无需增加相邻沟槽栅之间的间距，因而沟槽栅IGBT的沟槽栅的密度可以优化为较大的密度，保证沟槽栅IGBT的饱和电流密度较高。
-
公开(公告)号：CN111261720A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201811471453.7
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型体区，设置在半导体层中，体区的上表面高于半导体层的上表面；第一导电类型注入区和第二导电类型注入区，相邻设置在体区中；栅极绝缘层，设置在体区上且至少部分覆盖第一导电类型注入区；栅极，设置在栅极绝缘层上。上述半导体器件，设置在第一导电类型半导体层中的第二导电类型体区的上表面高于半导体层的上表面，这样在半导体器件耐压时，承受高电场强度的氧化层不再是有效的器件栅氧，沟道处会受到体区的电场屏蔽的保护，对内部栅氧也起到一定电场屏蔽作用，提升了栅极绝缘层的可靠性，进而提高了半导体器件的可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111180405A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811340375.7
申请日：2018-11-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/00 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/48 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种元胞结构及其制备方法、功率半导体器件及电子设备，该元胞结构基材，设置在所述基材上的多个单排排列的沟槽，其中，至少部分所述沟槽内设置有横向加强侧壁；且所述沟槽的侧壁上设置有用于将被所述横向加强侧壁封堵的沟槽与其他沟槽导电连通的缺口。通过在形成的沟槽中部分增加横向加强侧壁来增强整个元胞结构的整体强度，并且通过设置的缺口使得沟槽导电连通，从而可以在开设比较密集的沟槽，提高功率半导体器件的性能。
-
公开(公告)号：CN109728083A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811464344.2
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法、电气设备，该绝缘栅双极型晶体管在沟槽内的多晶硅层刻蚀形成两个多晶硅层，并且在沟槽的底部增设了N型层以及P型层，电流路径除了具备传统宽沟槽的绝缘栅双极型晶体管的构造的电流路径外，还新增了沟槽底部侧壁的沟道电流，沟道底部中间的PNP结构的电流，因此，在相同的面积下，本发明中的沟槽的通电能力更强。
-
公开(公告)号：CN109192775A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811223772.6
申请日：2018-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种IGBT及其生长方法，该IGBT包括：IGBT本体和P型层；其中，所述P型层，位于所述IGBT本体的栅极底部；所述P型层与所述IGBT本体的N型层形成反向PN结分担承受电压。本发明的方案，可以解决槽栅结构IGBT在承受高电压时在Trench底部的拐角处有电场集中容易发生电场击穿的问题，达到不容易发生电场击穿的效果。
-
公开(公告)号：CN107845673A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711034355.2
申请日：2017-10-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 何昌
IPC: H01L29/08 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法、电力电子设备，以改善逆导型绝缘栅双极型晶体管的负阻效应，提高器件的可靠性。逆导型绝缘栅双极型晶体管包括集电极金属、位于集电极金属前侧且交替排列的第一P型集电区和N型集电区，以及对应设置在每个N型集电区前侧的第二P型集电区，第二P型集电区与N型集电区相对设置，集电极金属通过贯穿N型集电区的接触孔槽与第二P型集电区连接。
-
公开(公告)号：CN209199944U
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201822020071.4
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件，包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型体区，设置在半导体层中，体区的上表面高于半导体层的上表面；第一导电类型注入区和第二导电类型注入区，相邻设置在体区中；栅极绝缘层，设置在体区上且至少部分覆盖第一导电类型注入区；栅极，设置在栅极绝缘层上。上述半导体器件，设置在第一导电类型半导体层中的第二导电类型体区的上表面高于半导体层的上表面，这样在半导体器件耐压时，承受高电场强度的氧化层不再是有效的器件栅氧，沟道处会受到体区的电场屏蔽的保护，对内部栅氧也起到一定电场屏蔽作用，提升了栅极绝缘层的可靠性，进而提高了半导体器件的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.047 seconds)
