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公开(公告)号：CN116666211A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210157368.3
申请日：2022-02-21
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本申请涉及一种绝缘栅双极型晶体管及制作方法、电子设备及存储介质，方法包括：提供一衬底，在衬底上依次设置氧化层和外延层；在外延层远离氧化层一侧设置一沟槽，并在沟槽内设置多晶硅栅；通过在外延层远离氧化层一侧注入第一电荷类型的掺杂物，形成体区，体区设置在多晶硅栅两侧；通过在体区远离外延层一侧注入第二电荷类型的掺杂物，形成发射区，发射区设置在多晶硅栅两侧；设置覆盖多晶硅栅、发射区以及体区的第一金属层；去除衬底，在氧化层远离外延层一侧设置第二金属层，第二金属层通过氧化层上的通孔与外延层接触，将缘栅双极型晶体管制作成垂直结构，提高绝缘栅双极型晶体管可靠性，进而提升了用户体验。
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公开(公告)号：CN116666210A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210156399.7
申请日：2022-02-21
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本申请涉及一种绝缘栅双极型晶体管及制作方法、电子设备及存储介质，通过上述缘栅双极型晶体管的制作方法制作而成的缘栅双极型晶体管，结构依次为第二金属层、氧化层、外延层、第一金属层，制作工艺简单，且将缘栅双极型晶体管制作成垂直结构，垂直结构的绝缘栅双极型晶体管能够降低漏电流，进而提高缘栅双极型晶体管可靠性，以此解决横向缘栅双极型晶体管耐压不足的问题，进而提升了用户体验。
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公开(公告)号：CN113053750B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201911375713.5
申请日：2019-12-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：在衬底上依次形成叠置的多个外延层，每个外延层和所述衬底具有第一导电类型，每个外延层包括掺杂区，相邻的外延层中的所述掺杂区彼此邻接，其中：形成每个外延层包括：对外延层进行掺杂以形成初始掺杂区，所述初始掺杂区具有与第一导电类型不同的第二导电类型；执行退火，以使得所述初始掺杂区变为中间掺杂区；对所述中间掺杂区的边缘部分进行刻蚀，以形成贯穿所述中间掺杂区的沟槽，所述中间掺杂区的剩余部分作为所述掺杂区；和在所述沟槽中形成填充材料。
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公开(公告)号：CN114220854A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111564339.0
申请日：2021-12-20
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，其中，该晶体管包括：绝缘衬底上的硅SOI晶圆片，SOI晶圆片包括依次设置的第一外延层、第二外延层、第一氧化层；间隔设置在第一氧化层中的集电区和短路区，以及设置在第一氧化层不与第二外延层接触的一面的第一金属层，形成的逆导型绝缘栅双极型晶体管的集电极结构。通过本申请，解决了现有技术中传统逆导型IGBT存在的工艺复杂且漏电流大的技术问题。
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公开(公告)号：CN113394278A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010167943.9
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本公开提供一种逆导型IGBT及其制备方法。该逆导型IGBT包括第一导电类型衬底；位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；其中,所述漂移层包括元胞区和位于所述元胞区周围的终端区，所述终端区包括设置于所述漂移层表面内的第一导电类型截止环区和位于所述元胞区与所述截止环区之间的第二导电类型JTE区；位于所述衬底下方的第二导电类型集电区和与所述集电区相邻接的第一导电类型短路区；其中，所述短路区与所述JTE区对齐，以使所述JTE区、所述漂移层、所述衬底和所述短路区构成快速恢复二极管。该结构使得元胞区的背面即元胞区对应的衬底下方全是集电极区，有效的抑制了逆导型IGBT的回跳现象，而且可另外采用局域寿命控制的方法进行二极管参数的优化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113053750A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911375713.5
申请日：2019-12-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：在衬底上依次形成叠置的多个外延层，每个外延层和所述衬底具有第一导电类型，每个外延层包括掺杂区，相邻的外延层中的所述掺杂区彼此邻接，其中：形成每个外延层包括：对外延层进行掺杂以形成初始掺杂区，所述初始掺杂区具有与第一导电类型不同的第二导电类型；执行退火，以使得所述初始掺杂区变为中间掺杂区；对所述中间掺杂区的边缘部分进行刻蚀，以形成贯穿所述中间掺杂区的沟槽，所述中间掺杂区的剩余部分作为所述掺杂区；和在所述沟槽中形成填充材料。
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公开(公告)号：CN211150564U
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202020138076.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L21/331 , G03F1/00
Abstract: 本实用新型涉及一种IGBT芯片及制造IGBT芯片时使用的掩膜版。IGBT芯片包括元胞，元胞包括集电区、漂移区、阱基区、发射区、集电极结构和发射极结构。阱基区和发射区二者的组合呈现为正六棱柱形，发射区包括三个皆为正三角形的子发射区，三个子发射区在阱基区的中心线上相交并在阱基区内以该中心线为中心排列成等距圆形阵列，每个子发射区自阱基区的上表面朝向其下表面延伸。该IGBT芯片可以在保持其六边形元胞的电流密度相对较大、导通压降相对较小的情况下，提高其元胞的抗闩锁能力和抗短路能力。
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公开(公告)号：CN216528873U
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202123277147.X
申请日：2021-12-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/492 , H01L23/498
Abstract: 本申请涉及电路基板及绝缘栅双极型晶体管模块。其中，绝缘栅双极型晶体管模块包括电路基板和功率芯片，电路基板与功率芯片之间设置有焊料层，电路基板包括沿远离功率芯片的方向依次层叠设置的第一导热层、第二导热层和第三导热层，功率芯片通过焊料层与第一导热层连接；焊料层与第一导热层之间形成有第一热扩散角，第二导热层与第三导热层之间形成有第二热扩散角；第一热扩散角大于第二热扩散角，第一导热层的厚度大于第三导热层的厚度；或第一热扩散角小于第二热扩散角，第一导热层的厚度小于第三导热层的厚度。本申请的设置提高了绝缘栅双极型晶体管模块的散热效果，降低了各层材料发生松弛甚至裂纹的几率。
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公开(公告)号：CN213212170U
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202022753217.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型涉及半导体领域，公开一种元胞结构、功率半导体器件及电子设备，该元胞结构，包括：外延层；形成于所述外延层一侧的P+耐压区；位于所述P+耐压区两侧的第一多晶硅栅极层和第二多晶硅栅极层；形成于所述P+耐压区背离所述外延层一侧的多晶硅连接引线层，所述多晶硅连接引线层用于将所述第一多晶硅栅极层和所述第二多晶硅栅极层连接；形成于所述多晶硅连接引线层背离所述外延层一侧的二氧化硅层，在所述二氧化硅层设有连接孔，以使所述多晶硅连接引线层露出；形成于所述二氧化硅层背离所述外延层一侧的金属层，以实现所述金属层与所述多晶硅连接引线层连接。用于解决由于元胞尺寸缩小、电流密度增大导致的抗短路性能变差的问题。
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公开(公告)号：CN211428173U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020048306.5
申请日：2020-01-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型涉及一种IGBT结构，其包括：衬底层，所述衬底层的第一表面上设置有凸型槽以形成导电沟道。本结构通过在衬底层的第一表面上设置有凸型槽以形成导电沟道，使得不用在IGBT结构中挖沟槽结构，简化了IGBT结构。
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