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公开(公告)号:CN110739277A
公开(公告)日:2020-01-31
申请号:CN201910860449.8
申请日:2019-09-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明涉及封装结构技术领域,具体涉及一种封装结构及其制造方法,包括:封装组件以及包封于所述封装组件外侧的塑封层,其中,所述塑封层与所述封装组件的接触面间设有树脂层,有效增强封装过程中塑封层与封装组件间的界面结合力,以免出现分层现象,保证产品的可靠性。
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公开(公告)号:CN221057398U
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202322642885.2
申请日:2023-09-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/02 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件和电子设备,该半导体器件包括框架和塑封外壳;框架具有一第一贴合面,第一贴合面设置有半导体芯片;框架的边缘开设有若干连接孔;塑封外壳包括外壳本体和多个连接柱,外壳本体具有一第二贴合面,各连接柱凸起设置于外壳本体的第二贴合面,外壳本体的第二贴合面与框架的第一贴合面连接,各连接柱一一对应设置于一连接孔内,且与连接孔的侧壁连接。通过在框架上开设连接孔,使得在注塑塑封外壳时,塑封料能够进入连接孔内形成连接柱,从而增大了塑封外壳与框架的接触面积,并且使得塑封外壳与框架之间的连接由平面连接延伸至三维连接,进而使得塑封外壳与框架之间的连接更为紧密、更为牢固。
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公开(公告)号:CN210925990U
公开(公告)日:2020-07-03
申请号:CN201922293224.7
申请日:2019-12-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48
Abstract: 本实用新型涉及半导体连接设备技术领域,特别地涉及一种半导体器件。本实用新型提供的半导体器件,所述半导体器件包括导电连接件以及与所述导电连接件连接的绝缘导热件。由于绝缘导热件具有较高的导热率以及绝缘性,可在使用过程中,保证不导电的情况下,更好地实现散热,使得连接件等器件产生的热量及时排出,进一步增强半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号:CN210638191U
公开(公告)日:2020-05-29
申请号:CN201921166623.0
申请日:2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: F24F1/24
Abstract: 本实用新型提供了一种功率器件的散热装置及空调器,涉及空调技术领域。其中,功率器件的散热装置包括:固定件及用于与所述功率器件接触的散热组件,所述控制板与所述固定件连接;通过调整所述固定件与所述控制板的距离,调整所述控制板与所述散热组件之间的距离,以使所述功率器件与所述散热组件保持接触。本实用新型通过设置的固定件连接控制板,固定件对控制板首先有一个加固的作用,另外固定件与控制板之间的距离可调节,从而调节控制板与所述散热组件之间的距离,保证控制板上的功率器件与散热组件能够保持接触,提升功率器件的散热性能,保证功率装置的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN215815860U
公开(公告)日:2022-02-11
申请号:CN202122374176.1
申请日:2021-09-28
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种电子器件的管脚、电子器件及封装模具;其中,所述电子器件的管脚包括:管脚分支和至少一个附加分支;各个所述附加分支均与所述管脚分支相连;且所述管脚分支一部分封装在所述电子器件的封装外壳的外部,所述管脚分支的另一部分以及各个所述附加分支均封装在所述封装外壳的内部。本申请用以解决现有技术中,由于灌封材料与管脚间易分层,导致器件的使用寿命短的问题。
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公开(公告)号:CN211151837U
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN201922167175.2
申请日:2019-12-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本公开提供一种智能功率模块及电子设备,包括三个单相逆变电路,所述三个单相逆变电路分别输出三相交流电中的U相电、V相电和W相电;所述三个单相逆变电路中的每一个单相逆变电路包括HVIC芯片、第一数字电位器、第二数字电位器、第一IGBT管和第二IGBT管;所述HVIC芯片的第一信号输出端连接所述第一数字电位器的滑动端,所述第一数字电位器的低端连接所述第一IGBT管的栅极,所述HVIC芯片的第二信号输出端连接所述第二数字电位器的滑动端,所述第二数字电位器的低端连接所述第二IGBT管的栅极。本公开在HVIC芯片的输出端和IGBT管的栅极之间增加了数字电位器,外部控制电路输入简单控制信号即可控制数字电位器输出相应的电阻值,来改变栅极电阻,调节模块的性能。
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公开(公告)号:CN210429794U
公开(公告)日:2020-04-28
申请号:CN201921540453.8
申请日:2019-09-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本实用新型涉及半导体技术领域,具体涉及一种半导体模块及封装结构,包括:芯片和基板,所述芯片设置于所述基板上,且所述芯片通过导电薄片与所述基板上的引脚电性连接,本实用新型采用导电薄片相较于现有技术中单根金属丝,增大了接触面积,从而增强了电流的流通能力,有效增强散热,提高电流效率,减低功率损耗,提高可靠性,亦避免使用多根金属丝时所产生的较大寄生系数,同时,无需在芯片表面打线,减少对芯片的损伤,从而简化工艺步骤,最终提高生产效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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