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公开(公告)号：CN118420350A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410475746.1
申请日：2024-04-19
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本申请公开了一种六硼化镧二硼化锆复合陶瓷及其制备方法。该六硼化镧二硼化锆复合陶瓷的组成中六硼化镧与二硼化锆的摩尔比在(60‑90):(40‑10)之间，其平均晶粒尺寸为20‑1200nm。本发明的制备方法不仅工艺过程简单、原料价格低廉、设备为工业化生产设备从而便于工业化生产，而且合成的六硼化镧二硼化锆复合超细晶陶瓷晶粒细小、硬度高。该方法制备的材料还具有优异的力学性能，在极端环境下展示出诱人的应用潜力，并且具有应用于大规模工业生产的可能。
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公开(公告)号：CN114655936A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011547273.X
申请日：2020-12-23
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔热电合金材料及其制备方法。具体地，本发明公开了一种多孔热电合金材料，其微观组织结构由准等轴晶粒和均匀分布的孔隙构成。本发明还公开了一种所述多孔热电合金材料的制备方法。具有本发明微观结构特征的多孔热电合金材料的机械性能并未因孔隙的存在而明显减弱，且具有优异的热电性能。如对于Bi0.42Sb1.58Te3多孔块材，其维氏硬度、抗弯强度和抗压强度分别可达0.6GPa、64MPa和130MPa，另外，Bi0.42Sb1.58Te3多孔块材的最大热电优值ZT和平均ZT值分别可达1.27和1.15。该发明在保证材料具有优异热电性能的同时，兼具有良好的机械性能，同时减少了原料消耗，进而降低生产成本，具有良好的产业化前景。
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公开(公告)号：CN112374500A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011048048.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B32/949 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种等轴晶纳米碳化钨粉末的制备方法。本发明的方法包括以下步骤：(1)将钨源、可食用碳源溶解于水中形成溶液，将所述溶液干燥，得到胶状前驱体；并且(2)将所述胶状前驱体在绝对压强低于1.0×10‑2Pa的真空度下在1250～2000℃的温度下反应，得到等轴晶纳米碳化钨粉末。本发明的方法采用安全无毒且低成本的可食用碳源，获得了高纯度、纳米级尺寸的、等轴晶碳化钨粉末。与传统的方法相比，本发明的方法具有工艺简单、绿色环保、成本低廉和安全性高等优点，而且还可表现出优异的组织控制精度以及良好的工艺稳定性和可重复性。
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公开(公告)号：CN107732217A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711111967.7
申请日：2017-11-13
Applicant: 燕山大学
Abstract: 一种应用于锂离子电池的碳掺杂TiO2/TiC纳米复合物的制备方法，其主要是将碳化钛置于坩埚中，放入马弗炉里600℃保温10h，得到碳掺杂的TiO2/TiC块体复合物；将复合物与NaOH溶液混合、搅拌2h后倒入反应釜，在120-180℃保温12-48h；之后用1mol/L的盐酸酸洗，再用去离子水洗涤至中性，干燥得到前驱体钛酸/碳化钛复合物；将前驱体放入马弗炉里在300-600温度下的保温3h，得到应用于锂离子电池的碳掺杂TiO2/TiC纳米复合材料。本发明方法简单、能实现自身碳掺杂、提高材料离子电导性及电子电导性，由于TiC的存在，也有利于电子的传递，作为锂离子电池具有良好的性能。
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公开(公告)号：CN102650005A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110051407.3
申请日：2011-02-28
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开一种高性能致密化填充方钴矿热电材料的高压合成制备方法，其特征是：1)按照拟合成的填充方钴矿热电材料的化学配比，取相应剂量的反应原料混合并冷压成型；2)第一步高压合成，压力范围1-6GPa，反应温度700-900℃，时间10-120分钟，将原料融合并初步反应生成过渡产物，冷却卸压后将所得产物研磨均匀并冷压成型；3)第二步高压合成，压力范围1-5Gp，反应温度550-650℃，时间30-600分钟，冷却卸压后将合成出的填充方钴矿材料研磨、酸洗、干燥，并冷压成型；4)采用高压烧结或电火花放电烧结技术，得到最终的块体热电材料。所得产物密度高，具有良好的机械加工性能，热电性能优越，无量纲热电优值(ZT)普遍高于1，同时本发明工艺简单，耗时短，节约能源，具有优良的产业化生产及应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101121521A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710062279.6
申请日：2007-07-09
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B35/00 , C01B31/00 , C01B21/082 , H01B1/00
Abstract: 本发明涉及一种粉末状B－C－N前驱物及其制备方法。所述B－C－N前驱物的化学成分为：B 2～30at％，C 30～50at％，N 10～35at％；粉末状B－C－N前驱物为非晶结构，外观为黑色粉末状。该前驱物采用三聚氰胺的热解产物和三氯化硼为原料，经500～600℃和1400～1600℃两步高温热解过程制备获得，可用于高温高压条件下制备B－C－N化合物。B、C、N三种元素比例可控，粉末状B－C－N前驱物制备过程操作比较简单，成本相对低廉。
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公开(公告)号：CN101100385A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710062296.X
申请日：2007-07-14
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/645 , H01B12/00 , B01J3/06
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明涉及一组Mg1-xCaxB2(0＜x＜0.07)系列化合物及其制备方法。其特征是：所述化合物具有与MgB2相同的六方结构，Mg1-xCaxB2的晶格常数a和c值随Ca含量的增加而单调增加，其超导转变温度随Ca含量的增加呈单调下降。其制备方法是：采用纯Mg、B和Ca3B2N4作为原料，Ca3B2N4作为Ca源，将试样(1)按比例混合压成圆片用钽片(2)包裹，放入石墨加热管(5)中，然后将石墨加热管装入高压组装腔内，先将压力升至4-5GPa，再升温至1000-1200℃，保温保压0.5-1小时后，将温度降至室温后卸掉压力，即可得到Mg1-xCaxB2化合物。本发明以Ca3B2N4作为Ca源，与纯Mg和纯B按比例混合，在高温高压下合成得到了系列Mg1-xCaxB2(0＜x＜0.07)化合物。
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公开(公告)号：CN1920121A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610048112.X
申请日：2006-08-03
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开一种新型二元CaB4化合物晶体及其制备方法。CaB4化合物晶体的外观为具有金属光泽的黑色晶体，其化学成分为：Ca∶B＝1∶4，晶体结构为四方结构，空间群为P4/mbm，晶格参数a＝b＝0.7174nm，c＝0.4103nm，具有金属性质。其制备方法是：(1)将纯Ca和B按1∶4比例配制，在Ar气的环境下充分混合压片，外包Ta片；(2)经过1200～1600℃高温和1～6GPa高压处理后，用稀盐酸溶掉剩余的Ca和CaO，得到CaB4化合物晶体。这种新型非金属材料极有可能成为一种新型电子元件的制造材料。
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公开(公告)号：CN1159213C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02104856.8
申请日：2002-02-15
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种功能材料及其制造方法。一种功能材料正交结构的B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3，其特征是：外观为白色晶体粉末，其化学成分为：B40-60%、C10-30%、N10-30%，晶体结构为正交结构，晶格参数a＝0.45～0.49nm，b＝0.44～0.47nm，c＝0.34～0.38nm.具有光致发光性质：在紫外光激发下发射出蓝紫光，发射光谱的最高峰对应的波长范围为360～420μm。这种化合物可以作为一种新型半导体材料和发光材料。
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公开(公告)号：CN1382622A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02104856.8
申请日：2002-02-15
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种功能材料及其制造方法。一种功能材料正交结构的B0.4～0.6C0.1～0.3N0.1～0.3,其特征是:外观为白色晶体粉末,其化学成分为:B 40－60%、C 10－30%、N 10－30%,晶体结构为正交结构,晶格参数a=0.45～0.49nm,b=0.44～0.47nm,c=0.34～0.38nm。具有光致发光性质:在紫外光激发下发射出蓝紫光,发射光谱的最高峰对应的波长范围为360～420μm。这种化合物可以作为一种新型半导体材料和发光材料。
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