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公开(公告)号：CN105742432A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610257520.X
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明一种减小量子阱中俄歇复合率的LED外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构包括衬底、半导体材料缓冲层、N?型半导体材料、多量子阱层、P?型电子阻挡层和P?型半导体材料传输层；所述多量子阱层的材质为Alx1Iny1Ga1?x1?y1N/Alx2Iny2Ga1?x2?y2N，通过量子阱Alx1Iny1Ga1?x1?y1N中组份渐变的结构来实现量子阱的平带结构，以达降低量子阱区的载流子局域密度，减小俄歇复合率，提高器件的内量子效率和改善效率衰减效应，克服了现有技术存在的量子阱中极化电荷引起量子阱能带倾斜和俄偈复合严重的缺陷。
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公开(公告)号：CN105742425A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610261242.5
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明具有空穴能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构在LED外延结构的P?型半导体材料传输层中插入一层低势垒的P?型半导体材料空穴能量调节层，其材质为Alx1Iny1Ga1?x1?y1N，式中，0≤x1≤1,0≤y1≤1,0≤1?x1?y1，厚度为1nm～300nm，其晶格常数大于P?型半导体材料传输层Ⅰ和P?型半导体材料传输层Ⅱ，其禁带宽度小于P?型半导体材料传输层Ⅰ和P?型半导体材料传输层Ⅱ。本发明利用极化电场增加空穴能量提高空穴注入效率，并且没有增加空穴势垒，克服了现有技术存在的空穴注入效率低，内量子效率不高的缺陷。
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公开(公告)号：CN105702829A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610257517.8
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明具有P-型欧姆接触层的发光二极管外延结构，涉及以电极为特征的至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构从下至上顺序包括衬底、缓冲层、N-型半导体材料层、多量子阱层、P-型电子阻挡层、P-型半导体材料传输层和P-型欧姆接触层，其中，P-型欧姆接触层的组成为AlxInyGa1-x-yN,其中0≤x＜1，0≤y＜1，0≤１-ｘ-y，并且组分量是渐变的，沿着生长方向其晶格常数逐渐增加，并且禁带宽度逐渐减小。本发明克服了现有技术存在的宽禁氮化物半导体难于形成P型欧姆接触和空穴供应困难的缺陷，提高了LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN105702816A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610257518.2
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/14
Abstract: 本发明一种氮化物发光二极管芯片的制备方法，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，是增强半导体掺杂效率和载流子浓度的深紫外发光二极管的制备方法，在发光二极管结构中引入绝缘层/半导体结构，通过外部电场实现半导体增强型效应，利用外加电压，实现能带弯曲，引起局部载流子浓度的增加，从而间接地提高掺杂效率，最终提高发光二极管的发光效率，本发明克服了现有技术为增加发光二极管掺杂效率和载流子浓度是采用在外延生长时进行控制，其要求控制精度高、工艺复杂和重复性差的缺陷。
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公开(公告)号：CN105428535A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510782696.2
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4226 , H01L51/0003
Abstract: 本发明薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种具有电子空穴复合抑制结构层的采用耐高温不透明导电基底的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，步骤是：在耐高温不透明导电基底上制备P型晶硅薄膜层；在P型薄膜晶硅上制备电子空穴复合抑制结构层；在电子空穴复合抑制结构层上旋涂钙钛矿光吸收层；在钙钛矿光吸收层上制作由致密二氧化钛构成的电子传输层；在由致密二氧化钛构成的电子传输层上制备顶电极。本发明方法克服了现有技术中的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池可能存在的漏电流和内部短路和玻璃基底对后续制备工艺的高温环节的限制的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105226187A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510785094.2
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L51/00 , H01L51/52 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/53
Abstract: 本发明薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、P型薄膜晶硅空穴传输层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层具备相匹配的能级；组成方式是：P型薄膜晶硅空穴传输层置于透明导电基底上面，钙钛矿光吸收层置于P型薄膜晶硅空穴传输层的上面，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层形成薄膜晶硅钙钛矿异质结，由致密二氧化钛构成的电子传输层置于钙钛矿光吸收层上面，背电极置于由致密二氧化钛构成的电子传输层上面。克服了现有钙钛矿太阳电池稳定性不足、制备成本高或硅材料使用量大的缺陷。
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公开(公告)号：CN105226144A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510786400.4
申请日：2015-11-16
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/005 , H01L33/22
Abstract: 本发明具有双层微纳米阵列结构的LED图形化衬底的制作方法，涉及半导体器件,步骤是：旋涂第一光刻胶层；制作具有微纳米点阵列的第一光刻胶层；第一次干法刻蚀；湿法去除具有微纳米点阵列的第一光刻胶层；旋涂第二光刻胶层；制作具有微纳米点阵列的第二光刻胶层；第二次干法刻蚀；湿法去除具有微纳米点阵列的第二光刻胶层，制得具有双层微纳米阵列结构的LED图形化衬底。本发明方法通过第一层微纳米结构的设计提高GaN的晶格质量，而第二层微纳米结构的设计提高LED的光提取效率，克服了现有技术存在的无法同时兼顾提高GaN晶格质量和最大化提高LED光提取效率的缺陷。
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公开(公告)号：CN108441221B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810441002.2
申请日：2018-05-10
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料及其制备方法。所述的材料包括三部分，由内而外依次为量子点核，量子点壳和量子点表面功能配体层；其中表面功能配体层由单一配体(阳离子封端的有机硅聚合物)组成，包括量子点表面连接壳端的富阳离子保护层，和远壳端的硅氧烷聚合物有机硅链层。本发明的到的材料在与封装硅胶常温混合和加热固化后，未发生荧光衰减，相反量子效率甚至可提升10％以上，实现了量子点同时在抗自发团聚和抗催化固化剂破坏两方面的硅胶兼容。
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公开(公告)号：CN108395892B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810441023.4
申请日：2018-05-10
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09K11/88
Abstract: 本发明为一种具备多重发光的单一量子点材料及其制备方法。该材料由以量子垒为中心的对称超晶格结构组成，内部垒阱位置为：中心为中心量子垒，两侧均从内到外依次为：第一发光量子阱/第一量子垒/第二发光量子阱/第二量子垒/…/第N发光量子阱/第N量子垒/边量子垒；所述的N为自然数＝2～10；量子垒的禁带宽度范围为2.7～4.2eV，且中心量子垒和边量子垒的禁带宽度不小于其他量子垒，禁带宽度差在0～1.5eV；邻近量子阱的禁带宽度差在0.1～2eV。本发明克服了传统量子点单色发光在白光LED封装上用量配比繁琐的缺点，同时克服了现有硅酸盐体系全色单一白光荧光粉所具有的红光缺失、激发光吸收率低的缺点。
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公开(公告)号：CN108441221A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810441002.2
申请日：2018-05-10
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料及其制备方法。所述的材料包括三部分，由内而外依次为量子点核，量子点壳和量子点表面功能配体层；其中表面功能配体层由单一配体(阳离子封端的有机硅聚合物)组成，包括量子点表面连接壳端的富阳离子保护层，和远壳端的硅氧烷聚合物有机硅链层。本发明的到的材料在与封装硅胶常温混合和加热固化后，未发生荧光衰减，相反量子效率甚至可提升10％以上，实现了量子点同时在抗自发团聚和抗催化固化剂破坏两方面的硅胶兼容。
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