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公开(公告)号：CN104362253B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410568822.X
申请日：2014-10-23
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、氧化物半导体薄膜层、钙钛矿光吸收层、微晶硅空穴传输层和背电极构成；在涂覆了氧化物半导体薄膜的透明导电基底上制备钙钛矿光吸收层，微晶硅空穴传输层沉积在钙钛矿光吸收层上形成全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜；将钙钛矿光吸收层材料和P型微晶硅材料相互匹配复合，所制得的全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有钙钛矿太阳电池因使用有机空穴传输材料而存在的稳定性差和价格昂贵的缺点，以及微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高及光电转换效率低的缺点。
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公开(公告)号：CN107807157A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610819121.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 河北工业大学
IPC: G01N27/26
CPC classification number: G01N27/26
Abstract: 本发明所制备的一种同时具有光敏特性和气敏特性的化学传感器涉及专门适用于对各种气体以及光照检测的半导体器件。本发明所制备的一种同时具有光敏特性和气敏特性的化学传感器，由化学传感器的敏感层、平面型镀Au陶瓷衬底、引线以及气敏传感器底座构成；所述的化学传感器的敏感层为CH3NH3PbI3钙钛矿前驱液和WO3纳米粉末掺杂得到的薄膜层，平面陶瓷片上具有一层特殊材料的加热层以及镀Au的电极。通过制备CH3NH3PbI3钙钛矿前驱液与WO3纳米粉末混合的化学传感器，不仅改善了传感器的气敏特性，提高了其对气体的灵敏度，而且这种化学传感器对光的敏感度很好，在光照强况下，降低了传感器的电阻值，从而使其对气体的灵敏度提高。
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公开(公告)号：CN106972100A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610589388.2
申请日：2016-07-22
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4206 , H01L51/0077 , H01L2251/301
Abstract: 本发明的钙钛矿单晶材料与P型单晶硅结合的薄膜太阳电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明的钙钛矿单晶材料与P型单晶硅结合的薄膜太阳电池由底部电极、N型氧化物半导体膜、C60电子薄膜、钙钛矿单晶光吸收层、单晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过磁控溅射获得的N型的氧化锌薄膜，C60电子薄膜是通过热蒸镀获得的一层缓冲层，钙钛矿单晶是钙钛矿结构的光吸收材料，空穴传输层是通过磁控溅射获得的P型单晶硅材料，底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜。本发明将钙钛矿单晶材料作为光吸收层，将P型单晶硅材料作为空穴传输层，获得了稳定、高效的太阳电池。
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公开(公告)号：CN105244442A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510802027.7
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L51/447 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4226 , H01L51/0027
Abstract: 本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件的制备方法，是一种基于准分子激光晶化法的制备方法，步骤是：用准分子激光晶化法在透明导电基底上制备P型薄膜晶硅层，在P型薄膜晶硅层上旋涂钙钛矿光吸收层，在钙钛矿光吸收层上制作由致密二氧化钛构成的电子传输层，在由致密二氧化钛构成的电子传输层上制备背电极，最终制得由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池。克服了现有技术中使用“层转移技术”的工艺环节多且复杂、得到的薄膜晶硅的尺寸较小、成品率较低和薄膜晶硅的厚度不能过薄的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106784316A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610589165.6
申请日：2016-07-22
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42
Abstract: 本发明的钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳能电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明由底部电极、N型氧化物半导体膜、钙钛矿单晶光吸收层、微晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过溅射获得的N型的氧化锌半导体薄膜，钙钛矿单晶光吸收层是钙钛矿结构的光吸收材料，空穴传输层是通过化学气相沉积获得的P型微晶硅复合材料，底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜，本发明将钙钛矿单晶作为光吸收材料，将P型微晶复合材料作为空穴传输层，获得了更稳定，更高效的太阳电池。
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公开(公告)号：CN105226187B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510785094.2
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、P型薄膜晶硅空穴传输层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层具备相匹配的能级；组成方式是：P型薄膜晶硅空穴传输层置于透明导电基底上面，钙钛矿光吸收层置于P型薄膜晶硅空穴传输层的上面，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层形成薄膜晶硅钙钛矿异质结，由致密二氧化钛构成的电子传输层置于钙钛矿光吸收层上面，背电极置于由致密二氧化钛构成的电子传输层上面。克服了现有钙钛矿太阳电池稳定性不足、制备成本高或硅材料使用量大的缺陷。
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公开(公告)号：CN105428535A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510782696.2
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4226 , H01L51/0003
Abstract: 本发明薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种具有电子空穴复合抑制结构层的采用耐高温不透明导电基底的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，步骤是：在耐高温不透明导电基底上制备P型晶硅薄膜层；在P型薄膜晶硅上制备电子空穴复合抑制结构层；在电子空穴复合抑制结构层上旋涂钙钛矿光吸收层；在钙钛矿光吸收层上制作由致密二氧化钛构成的电子传输层；在由致密二氧化钛构成的电子传输层上制备顶电极。本发明方法克服了现有技术中的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池可能存在的漏电流和内部短路和玻璃基底对后续制备工艺的高温环节的限制的缺陷。
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公开(公告)号：CN105226187A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510785094.2
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L51/00 , H01L51/52 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/53
Abstract: 本发明薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、P型薄膜晶硅空穴传输层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层具备相匹配的能级；组成方式是：P型薄膜晶硅空穴传输层置于透明导电基底上面，钙钛矿光吸收层置于P型薄膜晶硅空穴传输层的上面，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层形成薄膜晶硅钙钛矿异质结，由致密二氧化钛构成的电子传输层置于钙钛矿光吸收层上面，背电极置于由致密二氧化钛构成的电子传输层上面。克服了现有钙钛矿太阳电池稳定性不足、制备成本高或硅材料使用量大的缺陷。
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公开(公告)号：CN104362253A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410568822.X
申请日：2014-10-23
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/44
Abstract: 本发明全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、氧化物半导体薄膜层、钙钛矿光吸收层、微晶硅空穴传输层和背电极构成；在涂覆了氧化物半导体薄膜的透明导电基底上制备钙钛矿光吸收层，微晶硅空穴传输层沉积在钙钛矿光吸收层上形成全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜；将钙钛矿光吸收层材料和P型微晶硅材料相互匹配复合，所制得的全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有钙钛矿太阳电池因使用有机空穴传输材料而存在的稳定性差和价格昂贵的缺点，以及微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高及光电转换效率低的缺点。
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