公开(公告)号：CN108395892A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810441023.4

申请日：2018-05-10

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 毕文刚 ,  徐庶 ,  谢杨杨 ,  邢玮烁 ,  张新素 ,  张紫辉 ,  张勇辉

IPC: C09K11/88

CPC classification number: C09K11/883

Abstract: 本发明为一种具备多重发光的单一量子点材料及其制备方法。该材料由以量子垒为中心的对称超晶格结构组成，内部垒阱位置为：中心为中心量子垒，两侧均从内到外依次为：第一发光量子阱/第一量子垒/第二发光量子阱/第二量子垒/…/第N发光量子阱/第N量子垒/边量子垒；所述的N为自然数＝2～10；量子垒的禁带宽度范围为2.7～4.2eV，且中心量子垒和边量子垒的禁带宽度不小于其他量子垒，禁带宽度差在0～1.5eV；邻近量子阱的禁带宽度差在0.1～2eV。本发明克服了传统量子点单色发光在白光LED封装上用量配比繁琐的缺点，同时克服了现有硅酸盐体系全色单一白光荧光粉所具有的红光缺失、激发光吸收率低的缺点。

公开(公告)号：CN108441221B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201810441002.2

申请日：2018-05-10

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 徐庶 ,  谢杨杨 ,  耿翀 ,  刘懿萱 ,  邢玮烁 ,  张新素 ,  毕文刚

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明为一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料及其制备方法。所述的材料包括三部分，由内而外依次为量子点核，量子点壳和量子点表面功能配体层；其中表面功能配体层由单一配体(阳离子封端的有机硅聚合物)组成，包括量子点表面连接壳端的富阳离子保护层，和远壳端的硅氧烷聚合物有机硅链层。本发明的到的材料在与封装硅胶常温混合和加热固化后，未发生荧光衰减，相反量子效率甚至可提升10％以上，实现了量子点同时在抗自发团聚和抗催化固化剂破坏两方面的硅胶兼容。

公开(公告)号：CN108395892B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201810441023.4

申请日：2018-05-10

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 毕文刚 ,  徐庶 ,  谢杨杨 ,  邢玮烁 ,  张新素 ,  张紫辉 ,  张勇辉

IPC: C09K11/88

Abstract: 本发明为一种具备多重发光的单一量子点材料及其制备方法。该材料由以量子垒为中心的对称超晶格结构组成，内部垒阱位置为：中心为中心量子垒，两侧均从内到外依次为：第一发光量子阱/第一量子垒/第二发光量子阱/第二量子垒/…/第N发光量子阱/第N量子垒/边量子垒；所述的N为自然数＝2～10；量子垒的禁带宽度范围为2.7～4.2eV，且中心量子垒和边量子垒的禁带宽度不小于其他量子垒，禁带宽度差在0～1.5eV；邻近量子阱的禁带宽度差在0.1～2eV。本发明克服了传统量子点单色发光在白光LED封装上用量配比繁琐的缺点，同时克服了现有硅酸盐体系全色单一白光荧光粉所具有的红光缺失、激发光吸收率低的缺点。

公开(公告)号：CN108441221A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810441002.2

申请日：2018-05-10

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 徐庶 ,  谢杨杨 ,  耿翀 ,  刘懿萱 ,  邢玮烁 ,  张新素 ,  毕文刚

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明为一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料及其制备方法。所述的材料包括三部分，由内而外依次为量子点核，量子点壳和量子点表面功能配体层；其中表面功能配体层由单一配体(阳离子封端的有机硅聚合物)组成，包括量子点表面连接壳端的富阳离子保护层，和远壳端的硅氧烷聚合物有机硅链层。本发明的到的材料在与封装硅胶常温混合和加热固化后，未发生荧光衰减，相反量子效率甚至可提升10％以上，实现了量子点同时在抗自发团聚和抗催化固化剂破坏两方面的硅胶兼容。