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公开(公告)号：CN113480996B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110928672.9
申请日：2021-08-13
Applicant: 河北工业大学(CN)
Abstract: 本发明为晶态氢氧化物包覆钙钛矿纳米晶及其制备方法、应用，晶态氢氧化物包含非铅的金属氢氧化物，总氢氧化物在氢氧化物包覆钙钛矿纳米晶中含量为1‑99wt％。本发明在纳米晶表面包裹形成晶态非铅氢氧化物，相比非晶态氧化物包覆和含铅氢氧化物包覆具备更好的水氧阻隔特性、发光效率和耐热特性。制备方法中采用含水极性溶剂作为合成溶剂，通过缓慢调节酸碱平衡实现包裹过程与合成过程同步进行，避免了二次包裹过程对纳米晶表面造成化学损伤。而且极性溶液环境有利于调控前驱体离子的解离平衡，配体离子可以更加有效地钝化纳米晶表面，提升纳米晶发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108395892A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810441023.4
申请日：2018-05-10
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09K11/88
CPC classification number: C09K11/883
Abstract: 本发明为一种具备多重发光的单一量子点材料及其制备方法。该材料由以量子垒为中心的对称超晶格结构组成，内部垒阱位置为：中心为中心量子垒，两侧均从内到外依次为：第一发光量子阱/第一量子垒/第二发光量子阱/第二量子垒/…/第N发光量子阱/第N量子垒/边量子垒；所述的N为自然数＝2～10；量子垒的禁带宽度范围为2.7～4.2eV，且中心量子垒和边量子垒的禁带宽度不小于其他量子垒，禁带宽度差在0～1.5eV；邻近量子阱的禁带宽度差在0.1～2eV。本发明克服了传统量子点单色发光在白光LED封装上用量配比繁琐的缺点，同时克服了现有硅酸盐体系全色单一白光荧光粉所具有的红光缺失、激发光吸收率低的缺点。
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公开(公告)号：CN113480996A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110928672.9
申请日：2021-08-13
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为晶态氢氧化物包覆钙钛矿纳米晶及其制备方法、应用，晶态氢氧化物包含非铅的金属氢氧化物，总氢氧化物在氢氧化物包覆钙钛矿纳米晶中含量为1‑99wt％。本发明在纳米晶表面包裹形成晶态非铅氢氧化物，相比非晶态氧化物包覆和含铅氢氧化物包覆具备更好的水氧阻隔特性、发光效率和耐热特性。制备方法中采用含水极性溶剂作为合成溶剂，通过缓慢调节酸碱平衡实现包裹过程与合成过程同步进行，避免了二次包裹过程对纳米晶表面造成化学损伤。而且极性溶液环境有利于调控前驱体离子的解离平衡，配体离子可以更加有效地钝化纳米晶表面，提升纳米晶发光效率。
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公开(公告)号：CN108441221B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810441002.2
申请日：2018-05-10
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料及其制备方法。所述的材料包括三部分，由内而外依次为量子点核，量子点壳和量子点表面功能配体层；其中表面功能配体层由单一配体(阳离子封端的有机硅聚合物)组成，包括量子点表面连接壳端的富阳离子保护层，和远壳端的硅氧烷聚合物有机硅链层。本发明的到的材料在与封装硅胶常温混合和加热固化后，未发生荧光衰减，相反量子效率甚至可提升10％以上，实现了量子点同时在抗自发团聚和抗催化固化剂破坏两方面的硅胶兼容。
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公开(公告)号：CN108395892B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810441023.4
申请日：2018-05-10
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09K11/88
Abstract: 本发明为一种具备多重发光的单一量子点材料及其制备方法。该材料由以量子垒为中心的对称超晶格结构组成，内部垒阱位置为：中心为中心量子垒，两侧均从内到外依次为：第一发光量子阱/第一量子垒/第二发光量子阱/第二量子垒/…/第N发光量子阱/第N量子垒/边量子垒；所述的N为自然数＝2～10；量子垒的禁带宽度范围为2.7～4.2eV，且中心量子垒和边量子垒的禁带宽度不小于其他量子垒，禁带宽度差在0～1.5eV；邻近量子阱的禁带宽度差在0.1～2eV。本发明克服了传统量子点单色发光在白光LED封装上用量配比繁琐的缺点，同时克服了现有硅酸盐体系全色单一白光荧光粉所具有的红光缺失、激发光吸收率低的缺点。
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公开(公告)号：CN108441221A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810441002.2
申请日：2018-05-10
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料及其制备方法。所述的材料包括三部分，由内而外依次为量子点核，量子点壳和量子点表面功能配体层；其中表面功能配体层由单一配体(阳离子封端的有机硅聚合物)组成，包括量子点表面连接壳端的富阳离子保护层，和远壳端的硅氧烷聚合物有机硅链层。本发明的到的材料在与封装硅胶常温混合和加热固化后，未发生荧光衰减，相反量子效率甚至可提升10％以上，实现了量子点同时在抗自发团聚和抗催化固化剂破坏两方面的硅胶兼容。
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