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公开(公告)号：CN109638347A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811461654.9
申请日：2018-12-02
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01M10/0562 , H01M10/058 , H01M10/0525 , B82Y30/00
CPC classification number: H01M10/0562 , B82Y30/00 , H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M2300/0068
Abstract: 本发明公开了一种纳米级的Argyrodite型固态电解质材料的制备及应用。将卤化物、硫化物或者硒化物在低球磨转速下混合均匀，然后在特定的温度下发生固相反应获得单相的Argyrodite型固态电解质Li6PCh5X(其中，Ch为S或者Se，X为Cl、Br或I)。然后将其在较高转速下进行球磨得到纳米级的电解质。本发明制备的产品在室温下的电导率达到10‑3 S/cm量级。相对于常用的制备Argyrodite型固态电解质Li6PCh5X的高能长时间球磨外加高温退火法，本发明具有样品结晶性好、颗粒分散性好、均一性好，纯度高、易操作、反应时间短、耗能低等优点，所得的电解质产品表现出优异的电化学性能。
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公开(公告)号：CN108711519A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810476577.8
申请日：2018-05-17
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开一种氧化石墨烯包覆螺旋碳管三维复合材料及光化学还原氮掺杂的制备方法。以化学氧化制备的氧化石墨烯以及以燃烧化学气相沉积法制备的螺旋碳管为原料，包括将氧化石墨烯和螺旋碳管混合刮涂在泡沫镍上，光照实现高氮掺杂石墨烯的方法，将刮涂了氧化石墨烯和螺旋碳管混合物的泡沫镍在氨气氛围下，通过使用100 到 120 mJ/cm2能量的激光或汞灯可选择的区域位置进行光照，光照时间在1‑30分钟，得到高氮掺杂光还原氧化石墨烯和螺旋碳管三维复合材料。本发明操作方便、成本低、能大批量制备，通过光照时间、强度和混合螺旋碳管独特的交联作用，以达到调控氮掺杂含量以及石墨烯的导电率和的机械性能。
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公开(公告)号：CN105621407A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610117614.7
申请日：2016-03-02
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C01B2204/32 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2004/64
Abstract: 本发明公开了一种一步合成硫掺杂石墨烯量子点的方法。以价廉且已经工业化生产的芘作前驱物，在低温条件下，将芘的表面进行硝化处理，然后在高温高压下进行水热反应脱去芘表面的硝基进而裁剪芘的六角环状结构，从而制备出具有优异水溶性，结构稳定，无毒，光学特性优异，尺寸小的石墨烯量子点，获得的石墨烯量子点在150℃-200℃ 的温度下与升华硫进行水热反应一步合成一种具有优异光学性能的硫掺杂石墨烯量子点，晶粒平均粒径为4-6nm。本发明制备方法简单，原料低廉，对设备要求低，制得的硫掺杂石墨烯量子点具有优异的发光性能，该产品与P25 TiO2复合后制得硫掺杂石墨烯量子点/P25 TiO2复合材料在光催化中有着优异的表现。
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公开(公告)号：CN105565310A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610117401.4
申请日：2016-03-02
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C09K11/65 , C01P2002/01 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2004/52 , C01P2004/64
Abstract: 本发明公开了一种具有优异光学性能的氟掺杂石墨烯量子点的制备方法。以价廉且已经工业化生产的芘作前驱物，在低温条件下，将芘的表面进行硝化处理，然后在高温高压下进行水热反应脱去芘表面的硝基进而裁剪芘的六角环状结构，从而制备出具有优异水溶性，结构稳定，无毒，光致发光特性优异，尺寸小的石墨烯量子点，石墨烯量子点在150℃-200℃的温度下与XeF2进行气相反应合成含氟量在34%以上，晶粒平均粒径为3-4nm，具有优异光学性能的氟掺杂石墨烯量子点；该氟掺杂石墨烯量子点在365nm紫外光照射下发出明亮的绿色荧光。本发明制备方法简单，对设备要求，成品率高，不会引进其他的杂质。
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公开(公告)号：CN105514397A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610117650.3
申请日：2016-03-02
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备氮掺杂碳纳米管的方法。（1）将70~100mg含硫氮源与350~500mg碳纳米管混合放入研钵中充分研磨50~60分钟；（2）将体积比为1:4~1:2的浓H2SO4与浓HNO3混合；（3）将步骤（1）所得物放入步骤（2）所得物中温和超声24~72小时，用去离子水稀释，并通过0.22~0.45微米微孔膜过滤除杂；（4）将步骤（3）所得物重新分散在去离子水中并用碱性溶液将pH值调至中性，60℃烘干；（5）将步骤（4）所得物置于惰性气体气氛的石英管中烧至650~850℃，保持10~20小时，使N充分的扩散到碳纳米管的空隙中去，降至室温，得到氮掺杂碳纳米管。本发明工艺简单，成本低，很好地提高碳纳米管的电导率，使氮很好的掺进碳纳米管中，使碳纳米管的导电性能得到改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104167352A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410361219.4
申请日：2014-07-28
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种金属/Mn:TiO2/Nb:SrTiO3/金属异质结的制备及电场调控磁性的方法。将Nb:SrTiO3衬底清洗后，在氧等离子体辅助分子束外延生长，在Nb:SrTiO3衬底的上下表面利用掩膜板分别溅射金属薄膜或其他化合物薄膜以作为上下电极。金属/Mn:TiO2/Nb:SrTiO3/金属异质结未施加偏压时，通过SQUID测量其磁性质;当对金属/Mn:TiO2/Nb:SrTiO3/金属异质结施加一反向偏压使其处于低阻态后，SQUID测试其磁性质；当对异质结施加一偏压使其处于高阻态后，SQUID测试其磁性质；能综合分析这一电场诱导与控制的铁磁性的物理实质。本发明是基于调控氧空位浓度实现金属/Mn:TiO2/Nb:SrTiO3/金属异质结电场控制磁性的方法,对下一代自旋电子器件的应用有着非常重要作用。
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公开(公告)号：CN116873904A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310840206.4
申请日：2023-07-10
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B32/168 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/052 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B17/02
Abstract: 一种同轴电缆结构的集成式锂硫电池正极CNT/NS@PEDOT复合材料的制备方法，所述制备方法为：以硫代硫酸钠为硫源，以聚乙烯吡咯烷酮（PVP）作为软模板，加入盐酸，室温下自组装生长硫纳米球（NS）；然后在低温条件下以浓硝酸处理的功能化碳纳米管（F‑CNT）为基底，通过原位聚合来可控的聚合Pedot使其包覆在CNT/NS上，作为高性能LSBs的阴极。本发明制备的材料，采用了协同界面键合增强策略，该复合材料不仅能有效防止硫的团聚，还能作为“粘结剂”具有化学锚定能力，具有原位约束效应和良好电导率等优点，并且该结构还可以适应放电/充电过程中活性硫的体积变化，能够保持整个电极的结构完整性。该方法具有制备工艺简单可调，操作方便，成本低的优点。
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公开(公告)号：CN112624089B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110058110.3
申请日：2021-01-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B32/162 , C01G53/04 , B82Y40/00 , B22F9/22 , B01J23/755
Abstract: 本发明公开了一种合成螺旋碳纳米管‑碳纳米管异质结的方法，取纳米氧化镍颗粒放入管式炉内，在氢气氛围下加热至400℃并保持1小时获得镍纳米颗粒；镍纳米颗粒为催化剂，在管式炉中通入乙炔和氨气的混合气体，加热至450±25℃并保持4小时；关闭乙炔和氨气并通入氩气，在氩气氛围下自然冷却至室温得到螺旋碳纳米管‑碳纳米管异质结。本发明简单易行，可高效率获得螺旋碳纳米管‑碳纳米管异质结，且易于分散，为碳纳米管异质结家族增添了新的成员，在低维纯碳异质结的研究和应用方面都具有重要的价值。
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公开(公告)号：CN112921380B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110075650.2
申请日：2021-01-20
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源器件及其制造方法，其中，电子光源器件包括电子发射器和光投影照射系统。本发明以阳极氧化铝模板为基础，在其纳米孔洞中填充内光电效应材料作为光电子发射纳米电极阵列，通过光投影照射纳米电极阵列来控制局部的纳米电极发射电子；被光照射的纳米光电极将产生光生电子和空穴，在负电场的作用下发射电子，而没被照射的纳米电极在同样的负电场作用下则不会发射电子；如此即可实现按预设图案改变电子光源器件发射的电子束的形状，大面积发射。本发明可通过改变光投影的图案，方便快捷的编辑最后电子投影的图案，也就是电子光刻图案。
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公开(公告)号：CN110846615B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201911156160.4
申请日：2019-11-22
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明涉及钢基体薄膜材料技术领域，尤其涉及一种微纳结构层和利用微纳结构层提高氟化类金刚石薄膜与钢基体结合力的方法。本发明的微纳结构层，包括在钢基体表面依次层叠设置的钢修饰层、钢掺杂过渡层和钢掺杂氟化类金刚石薄膜层；所述钢掺杂氟化类金刚石薄膜层与所述氟化类金刚石薄膜接触。本发明的钢修饰层、钢掺杂过渡层和钢掺杂氟化类金刚石薄膜层均为连续的钢结构，使钢能够穿插于整个微纳米结构层中，所述钢的贯穿起到类似铆钉的作用，以提高FDLC薄膜与钢基体的结合力；同时，所述钢掺杂过渡层，起到阻止碳元素在钢基体中的扩散和FDLC薄膜与钢基体热膨胀系数的匹配，降低薄膜的内应力。
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