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公开(公告)号：CN117832319A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202310428454.8
申请日：2023-04-20
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/108 , H01L31/0392 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了一种自供电光电探测器的制备方法，属于光电探测领域，包括如下步骤：对硅基衬底进行清洗；将CsBr2和PbBr粉末溶解于DMSO中，搅拌后并过滤得到前驱体溶液；在硅基衬底上滴加DMF和前驱体溶液，再对滴加有前驱体溶液和DMF的硅基衬底进行加热保温，使DMSO和DMF完全蒸发，得到生长在硅基衬底上的CsPbBr3单晶；以铜网格作为掩模在CsPbBr3单晶上热蒸发Au电极，得到基于CsPbBr3微晶的肖特基自供电光电探测器。该光电探测器具有低暗电流和噪声、高开/关比率和快速响应时间等性能，表现出很高的稳定性。
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公开(公告)号：CN112925171A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110077236.5
申请日：2021-01-20
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源及其制造方法，其中，所述电子光源包括电子发射器和光投影照射系统。本发明以阳极氧化铝模板为基础，在其纳米孔洞中填充外光电效应材料作为光电子发射纳米电极阵列，通过光投影照射纳米电极阵列来控制局部的纳米电极发射电子；被光照射的纳米光电极将会发射电子，而没有被光照射的纳米光电极将不会发射电子；如此即可实现按预设图案改变电子光源发射的电子束的形状，大面积发射。本电子光源发射的电子束无需掩模板，在经过加速、光阑、磁透镜等组件后，可形成缩小的电子光源像，投影在目标衬底上。本发明可通过改变光投影的图案，方便快捷的编辑最后电子投影的图案，也就是电子光刻图案。
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公开(公告)号：CN112624089A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202110058110.3
申请日：2021-01-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B32/162 , C01G53/04 , B82Y40/00 , B22F9/22 , B01J23/755
Abstract: 本发明公开了一种合成螺旋碳纳米管‑碳纳米管异质结的方法，取纳米氧化镍颗粒放入管式炉内，在氢气氛围下加热至400℃并保持1小时获得镍纳米颗粒；镍纳米颗粒为催化剂，在管式炉中通入乙炔和氨气的混合气体，加热至450±25℃并保持4小时；关闭乙炔和氨气并通入氩气，在氩气氛围下自然冷却至室温得到螺旋碳纳米管‑碳纳米管异质结。本发明简单易行，可高效率获得螺旋碳纳米管‑碳纳米管异质结，且易于分散，为碳纳米管异质结家族增添了新的成员，在低维纯碳异质结的研究和应用方面都具有重要的价值。
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公开(公告)号：CN104528686B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410825814.9
申请日：2014-12-28
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种氟掺杂螺旋碳纳米管的制备方法。先用溶胶‑凝胶法制备镍的氧化物纳米颗粒，然后以氢气将其还原为镍纳米颗粒并作为催化剂高温裂解乙炔，产物与二氟化氙反应得到氟化的螺旋碳纳米管。溶胶‑凝胶法的原料选用六水合硝酸镍、一水合柠檬酸，溶剂选用无水乙醇。本发明的氟掺杂螺旋碳纳米管的光致发光提升至263nm和291nm深紫外区域，极大填补了现有的半导体材料在这个区域的不足，可以作为紫外发光、紫外探测器件的基础材料，应用于光刻技术、光信息存储以及药物分析领域。
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公开(公告)号：CN103265019B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310198189.5
申请日：2013-05-25
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种高氮掺杂的石墨烯轻质铁磁性材料的制备方法。通过对氧化石墨烯在一定的温度下用氨气或三聚氰胺进行掺杂来获得高氮掺杂的石墨烯。测试表明，这种材料的居里温度为100.7K。在5K温度下测试得到：在6.5T的外加磁场下，饱和磁矩为1.8emu/g；在0.05T的磁场下，饱和磁矩为0.35emu/g，矫顽力为0.016T。本发明制得的高氮掺杂的铁磁性材料密度与石墨烯接近，在液氮温度以上也能展现出良好的铁磁性能，是一种良好的轻质铁磁性材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103265019A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310198189.5
申请日：2013-05-25
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种高氮掺杂的石墨烯轻质铁磁性材料的制备方法。通过对氧化石墨烯在一定的温度下用氨气或三聚氰胺进行掺杂来获得高氮掺杂的石墨烯。测试表明，这种材料的居里温度为100.7K。在5K温度下测试得到：在6.5T的外加磁场下，饱和磁矩为1.8emu/g；在0.05T的磁场下，饱和磁矩为0.35emu/g，矫顽力为0.016T。本发明制得的高氮掺杂的铁磁性材料密度与石墨烯接近，在液氮温度以上也能展现出良好的铁磁性能，是一种良好的轻质铁磁性材料。
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公开(公告)号：CN112921380A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110075650.2
申请日：2021-01-20
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源器件及其制造方法，其中，电子光源器件包括电子发射器和光投影照射系统。本发明以阳极氧化铝模板为基础，在其纳米孔洞中填充内光电效应材料作为光电子发射纳米电极阵列，通过光投影照射纳米电极阵列来控制局部的纳米电极发射电子；被光照射的纳米光电极将产生光生电子和空穴，在负电场的作用下发射电子，而没被照射的纳米电极在同样的负电场作用下则不会发射电子；如此即可实现按预设图案改变电子光源器件发射的电子束的形状，大面积发射。本发明可通过改变光投影的图案，方便快捷的编辑最后电子投影的图案，也就是电子光刻图案。
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公开(公告)号：CN105567230A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610097245.X
申请日：2016-02-22
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C09K11/65 , B01J27/24 , C02F1/30 , C02F101/38
CPC classification number: C09K11/65 , B01J27/24 , C02F1/30 , C02F2101/40 , C02F2305/10
Abstract: 本发明公开了一种氮硫共掺石墨烯量子点及其制备方法，将前驱物芘与80-100ml发烟硝酸混合后，回流搅拌，将芘晶粒表面进行硝基功能化处理，取出反应物后过滤除酸后加入适量的NaOH调节PH值，采用300W超声波分散处理后转移至聚四氟乙烯罐中水热反应，自然冷却后取出反应物过滤透析后干燥；将石墨烯量子点溶于适量去离子水中后，按照反应物比例加入适量的氨水混合均匀后，与适量的升华硫经搅拌后充分混合均匀，转移至聚四氟乙烯罐中，在180-200℃下维持24h进行水热反应，冷却后取出反应物经过过滤透析后得到氮硫共掺石墨烯量子点。本发明合成过程简单，产率高，成品率高，环保无毒，杂质少，同时原料获取简单。
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公开(公告)号：CN103964424A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410200084.3
申请日：2014-05-13
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种光照还原氧化石墨烯薄膜的制备方法。以化学氧化制备的氧化石墨烯为原料，包括将氧化石墨烯片在基底上旋涂成薄膜，还原成石墨烯的还原方法，所述还原方法通过光照的方法来获得还原氧化石墨烯薄膜，未经过还原的氧化石墨烯薄膜在保护气体Ar气（流量为10torr～30torr）氛围下，通过使用65到75mJ/cm2能量的激光或汞灯可选择的区域位置进行光照，光照时间在5～60分钟范围内，将氧化石墨烯上面大量含氧官能团（环氧基、羟基、羰基和羧基等）去除。本发明操作方便、成本低、能大批量制备，所制备的还原氧化石墨烯通过光照时间和光照强度来调控氧化石墨烯薄膜的电导率，并达到调控氧化石墨烯带隙的效果。
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公开(公告)号：CN110817850B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201911331742.1
申请日：2019-12-21
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B32/184 , C01B32/194 , C09K11/65 , B82Y20/00 , B01J27/24
Abstract: 本发明提供一种氮磷共掺石墨烯量子点及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将1,3,6‑三硝基芘与氮磷共掺杂源以重量比1:20～30加入去离子水中，调节pH至11～12，超声分散后，在160～200℃下水热反应5～8h，冷却后，过滤，透析，冷冻干燥，得到氮磷共掺石墨烯量子点。该方法是以氮磷共掺杂源同时作为氮源和磷源，避免了引入其它杂质原子，且采用一步简单水热法制备得到的，工艺简单，原料及设备价格低廉，适用于工业化生产。将制备得到的氮磷共掺石墨烯量子点与锐钛矿型TiO2复合后得到的光催化复合材料在紫外光照射下，10分钟光催化效率可达近90％，表现出优异的光催化性能。
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