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公开(公告)号：CN104878357A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510318500.4
申请日：2015-06-11
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种碳纤维表面射频磁控溅射制备SiC涂层的方法。采用射频磁控溅射方法制备：（1）将碳纤维表面高温（500-700℃）去胶，放在无水丙酮中超声震荡；（2）将真空室安装纯度大于95%的SiC靶材或者分析纯Si靶加分析纯C靶；（3）把碳纤维散开放在真空室内的工件上；（3）抽真空，使真空室内的真空度不大于10-3Pa；（5）对碳纤维表面进行溅射沉积SiC薄膜，采用惰性气体为工作气体，工作气压为0.2-10Pa，单位靶面积溅射功率为2-20W/cm2，溅射时间为0.25-3小时；（6）溅射完成一面之后，在反过来用同样的方法溅射碳纤维的另外一面。本发明镀层均匀，碳纤维的强度不降低而且还有一定程度的提高。
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公开(公告)号：CN105514397A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610117650.3
申请日：2016-03-02
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备氮掺杂碳纳米管的方法。（1）将70~100mg含硫氮源与350~500mg碳纳米管混合放入研钵中充分研磨50~60分钟；（2）将体积比为1:4~1:2的浓H2SO4与浓HNO3混合；（3）将步骤（1）所得物放入步骤（2）所得物中温和超声24~72小时，用去离子水稀释，并通过0.22~0.45微米微孔膜过滤除杂；（4）将步骤（3）所得物重新分散在去离子水中并用碱性溶液将pH值调至中性，60℃烘干；（5）将步骤（4）所得物置于惰性气体气氛的石英管中烧至650~850℃，保持10~20小时，使N充分的扩散到碳纳米管的空隙中去，降至室温，得到氮掺杂碳纳米管。本发明工艺简单，成本低，很好地提高碳纳米管的电导率，使氮很好的掺进碳纳米管中，使碳纳米管的导电性能得到改善。
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公开(公告)号：CN105131301A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510626853.0
申请日：2015-09-29
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C08G77/60
Abstract: 本发明公开了一种聚铜碳硅烷的制备方法。(1)将质量分数为3%～25%的含铜有机物和软化点为80～450℃质量分数为75%～97%的主链含硅低分子量聚合物放入反应容器中混合，加入5～10毫升分析纯二甲苯，用搅拌器搅拌；(2)将步骤（1）反应容器放置在加热套上，连接好制备聚铜碳硅烷的装置；(3)用真空泵抽真空2～5次，在惰性气体保护下，通入冷凝水，按照0.1～5℃/min升温速率，从室温升至220～450℃进行热分解重排反应，反应时间为4～20小时；(4)反应结束后冷却至室温，即得到固态聚铜碳硅烷。发明工艺简单、成本较低，制备的聚铜碳硅烷能作为碳化硅陶瓷基复合材料、碳化硅纤维、块状碳化硅陶瓷的先驱体。
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