一种仿“芯片”集成式锂硫电池的设计与制备方法

    公开(公告)号:CN116845199A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310840205.X

    申请日:2023-07-10

    Abstract: 本发明公开了一种仿“芯片”集成式锂硫电池的设计与制备。该发明基于芯片中晶体管集成的设计理念,设计了一种仿“芯片”集成式锂硫电池。该设计将纳米Mo2C纳米颗粒协同纳米硫植入氧化石墨烯基体合成对硫活性物质具有高催化活性和分散稳定性的硫纳米反应器基元,实现孤立硫纳米反应器在GO导电网络上近距离的串联组成一个极其庞大集成导电网络系统,利用各硫纳米反应器基元的集成效应以及Mo2C的高效催化实现高能量的自适应储存和输出。值得注意的是,所获得的集成式纳米反应器正极获得了高的初始比容量、出色的循环保持性能和卓越的倍率性能。

    一种光催化复合薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110560142B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN201910952858.0

    申请日:2019-10-09

    Abstract: 本发明涉及光催化材料技术领域,尤其涉及一种光催化复合薄膜及其制备方法和应用。本发明提供了一种光催化复合薄膜,包括二硫化钼和氮化铜;所述二硫化钼和氮化铜的质量比为(5~30):100。本发明所述光催化复合薄膜具有较高的催化效率,根据实施例的记载,本发明所述的光催化复合薄膜在光催化降解甲基橙30min后,降解率最高可达99.8%;本发明还提供了所述光催化复合薄膜的制备方法,所述制备方法操作简单、重复性好、可控性好、制作成本低,原料无毒,利用率高,便于控制薄膜的性能,生产流程容易实现。

    基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源及其制造方法

    公开(公告)号:CN112925171A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202110077236.5

    申请日:2021-01-20

    Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源及其制造方法,其中,所述电子光源包括电子发射器和光投影照射系统。本发明以阳极氧化铝模板为基础,在其纳米孔洞中填充外光电效应材料作为光电子发射纳米电极阵列,通过光投影照射纳米电极阵列来控制局部的纳米电极发射电子;被光照射的纳米光电极将会发射电子,而没有被光照射的纳米光电极将不会发射电子;如此即可实现按预设图案改变电子光源发射的电子束的形状,大面积发射。本电子光源发射的电子束无需掩模板,在经过加速、光阑、磁透镜等组件后,可形成缩小的电子光源像,投影在目标衬底上。本发明可通过改变光投影的图案,方便快捷的编辑最后电子投影的图案,也就是电子光刻图案。

    光照氮掺杂三维石墨烯包覆螺旋碳管复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108711519B

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201810476577.8

    申请日:2018-05-17

    Abstract: 本发明公开一种光照氮掺杂三维石墨烯包覆螺旋碳管复合材料的制备方法。以化学氧化制备的氧化石墨烯以及以燃烧化学气相沉积法制备的螺旋碳管为原料,包括将氧化石墨烯和螺旋碳管混合刮涂在泡沫镍上,光照实现高氮掺杂石墨烯的方法,将刮涂了氧化石墨烯和螺旋碳管混合物的泡沫镍在氨气氛围下,通过使用100到120 mJ/cm2能量的激光或汞灯可选择的区域位置进行光照,光照时间在1‑30分钟,得到高氮掺杂光还原氧化石墨烯和螺旋碳管三维复合材料。本发明操作方便、成本低、能大批量制备,通过光照时间、强度和混合螺旋碳管独特的交联作用,以达到调控氮掺杂含量以及石墨烯的导电率和的机械性能。

    一种光催化复合薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110560142A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201910952858.0

    申请日:2019-10-09

    Abstract: 本发明涉及光催化材料技术领域,尤其涉及一种光催化复合薄膜及其制备方法和应用。本发明提供了一种光催化复合薄膜,包括二硫化钼和氮化铜;所述二硫化钼和氮化铜的质量比为(5~30):100。本发明所述光催化复合薄膜具有较高的催化效率,根据实施例的记载,本发明所述的光催化复合薄膜在光催化降解甲基橙30min后,降解率最高可达99.8%;本发明还提供了所述光催化复合薄膜的制备方法,所述制备方法操作简单、重复性好、可控性好、制作成本低,原料无毒,利用率高,便于控制薄膜的性能,生产流程容易实现。

    基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN112921380A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202110075650.2

    申请日:2021-01-20

    Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源器件及其制造方法,其中,电子光源器件包括电子发射器和光投影照射系统。本发明以阳极氧化铝模板为基础,在其纳米孔洞中填充内光电效应材料作为光电子发射纳米电极阵列,通过光投影照射纳米电极阵列来控制局部的纳米电极发射电子;被光照射的纳米光电极将产生光生电子和空穴,在负电场的作用下发射电子,而没被照射的纳米电极在同样的负电场作用下则不会发射电子;如此即可实现按预设图案改变电子光源器件发射的电子束的形状,大面积发射。本发明可通过改变光投影的图案,方便快捷的编辑最后电子投影的图案,也就是电子光刻图案。

    一种氮硫共掺石墨烯量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN105567230A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201610097245.X

    申请日:2016-02-22

    CPC classification number: C09K11/65 B01J27/24 C02F1/30 C02F2101/40 C02F2305/10

    Abstract: 本发明公开了一种氮硫共掺石墨烯量子点及其制备方法,将前驱物芘与80-100ml发烟硝酸混合后,回流搅拌,将芘晶粒表面进行硝基功能化处理,取出反应物后过滤除酸后加入适量的NaOH调节PH值,采用300W超声波分散处理后转移至聚四氟乙烯罐中水热反应,自然冷却后取出反应物过滤透析后干燥;将石墨烯量子点溶于适量去离子水中后,按照反应物比例加入适量的氨水混合均匀后,与适量的升华硫经搅拌后充分混合均匀,转移至聚四氟乙烯罐中,在180-200℃下维持24h进行水热反应,冷却后取出反应物经过过滤透析后得到氮硫共掺石墨烯量子点。本发明合成过程简单,产率高,成品率高,环保无毒,杂质少,同时原料获取简单。

    一种光照还原氧化石墨烯薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103964424A

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201410200084.3

    申请日:2014-05-13

    Abstract: 本发明公开了一种光照还原氧化石墨烯薄膜的制备方法。以化学氧化制备的氧化石墨烯为原料,包括将氧化石墨烯片在基底上旋涂成薄膜,还原成石墨烯的还原方法,所述还原方法通过光照的方法来获得还原氧化石墨烯薄膜,未经过还原的氧化石墨烯薄膜在保护气体Ar气(流量为10torr~30torr)氛围下,通过使用65到75mJ/cm2能量的激光或汞灯可选择的区域位置进行光照,光照时间在5~60分钟范围内,将氧化石墨烯上面大量含氧官能团(环氧基、羟基、羰基和羧基等)去除。本发明操作方便、成本低、能大批量制备,所制备的还原氧化石墨烯通过光照时间和光照强度来调控氧化石墨烯薄膜的电导率,并达到调控氧化石墨烯带隙的效果。

    一种NASICON型固态电解质的制备方法

    公开(公告)号:CN109742449B

    公开(公告)日:2022-02-15

    申请号:CN201811537870.7

    申请日:2018-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种NASICON型固态电解质的制备方法。将锂、铝或铟的氯化物以及锆或铪的氯氧盐与氢氧化物混合均匀,在室温下发生固相反应获得纳米级前驱体,利用前驱体中原位生成的金属盐作为熔剂,在高温加热下熔融并且作为反应介质,最终制备了NASICON型固态电解质材料Li1+xAxB2‑x(PO4)3(其中,A=Al,In;B=Zr,Hf)。本发明制备的产品在室温下的电导率达到10‑3 S/cm量级。相对于常用的制备NASICON型固态电解质材料所用的高温固相法法、溶胶凝胶法等,本发明具有易操作、反应时间短、过程实用、安全性好、成本低、材料纯度高、分散性好、成分均一等优点。

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