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公开(公告)号：CN112925171A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110077236.5
申请日：2021-01-20
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源及其制造方法，其中，所述电子光源包括电子发射器和光投影照射系统。本发明以阳极氧化铝模板为基础，在其纳米孔洞中填充外光电效应材料作为光电子发射纳米电极阵列，通过光投影照射纳米电极阵列来控制局部的纳米电极发射电子；被光照射的纳米光电极将会发射电子，而没有被光照射的纳米光电极将不会发射电子；如此即可实现按预设图案改变电子光源发射的电子束的形状，大面积发射。本电子光源发射的电子束无需掩模板，在经过加速、光阑、磁透镜等组件后，可形成缩小的电子光源像，投影在目标衬底上。本发明可通过改变光投影的图案，方便快捷的编辑最后电子投影的图案，也就是电子光刻图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112624089A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202110058110.3
申请日：2021-01-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B32/162 , C01G53/04 , B82Y40/00 , B22F9/22 , B01J23/755
Abstract: 本发明公开了一种合成螺旋碳纳米管‑碳纳米管异质结的方法，取纳米氧化镍颗粒放入管式炉内，在氢气氛围下加热至400℃并保持1小时获得镍纳米颗粒；镍纳米颗粒为催化剂，在管式炉中通入乙炔和氨气的混合气体，加热至450±25℃并保持4小时；关闭乙炔和氨气并通入氩气，在氩气氛围下自然冷却至室温得到螺旋碳纳米管‑碳纳米管异质结。本发明简单易行，可高效率获得螺旋碳纳米管‑碳纳米管异质结，且易于分散，为碳纳米管异质结家族增添了新的成员，在低维纯碳异质结的研究和应用方面都具有重要的价值。
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公开(公告)号：CN112921380A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110075650.2
申请日：2021-01-20
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源器件及其制造方法，其中，电子光源器件包括电子发射器和光投影照射系统。本发明以阳极氧化铝模板为基础，在其纳米孔洞中填充内光电效应材料作为光电子发射纳米电极阵列，通过光投影照射纳米电极阵列来控制局部的纳米电极发射电子；被光照射的纳米光电极将产生光生电子和空穴，在负电场的作用下发射电子，而没被照射的纳米电极在同样的负电场作用下则不会发射电子；如此即可实现按预设图案改变电子光源器件发射的电子束的形状，大面积发射。本发明可通过改变光投影的图案，方便快捷的编辑最后电子投影的图案，也就是电子光刻图案。
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公开(公告)号：CN112624089B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110058110.3
申请日：2021-01-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B32/162 , C01G53/04 , B82Y40/00 , B22F9/22 , B01J23/755
Abstract: 本发明公开了一种合成螺旋碳纳米管‑碳纳米管异质结的方法，取纳米氧化镍颗粒放入管式炉内，在氢气氛围下加热至400℃并保持1小时获得镍纳米颗粒；镍纳米颗粒为催化剂，在管式炉中通入乙炔和氨气的混合气体，加热至450±25℃并保持4小时；关闭乙炔和氨气并通入氩气，在氩气氛围下自然冷却至室温得到螺旋碳纳米管‑碳纳米管异质结。本发明简单易行，可高效率获得螺旋碳纳米管‑碳纳米管异质结，且易于分散，为碳纳米管异质结家族增添了新的成员，在低维纯碳异质结的研究和应用方面都具有重要的价值。
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公开(公告)号：CN112921380B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110075650.2
申请日：2021-01-20
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源器件及其制造方法，其中，电子光源器件包括电子发射器和光投影照射系统。本发明以阳极氧化铝模板为基础，在其纳米孔洞中填充内光电效应材料作为光电子发射纳米电极阵列，通过光投影照射纳米电极阵列来控制局部的纳米电极发射电子；被光照射的纳米光电极将产生光生电子和空穴，在负电场的作用下发射电子，而没被照射的纳米电极在同样的负电场作用下则不会发射电子；如此即可实现按预设图案改变电子光源器件发射的电子束的形状，大面积发射。本发明可通过改变光投影的图案，方便快捷的编辑最后电子投影的图案，也就是电子光刻图案。
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公开(公告)号：CN112882351A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110077228.0
申请日：2021-01-20
Applicant: 桂林理工大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种用于电子束投影光刻系统的图案化发射器及其制造方法，其中，所述发射器包括发射电极层、图案电极层和基电极层。当基电极层接通电源时，图案电极层中的金属图案也会接通电源，发射电极层中的纳米电极便分为两部分：一部分与图案电极层中预设图案相接触，这些纳米电极也会接通电源；另一部分与预设图案不接触，由绝缘体隔开，这些纳米电极便不会接通电源；当电压达到开启电压时，接通电源的纳米电极便会发射电子，从而达到图案化电子光源的目的。本发明可以实现电子束无需掩模板，在经过加速、光阑、磁透镜等组件后，可形成缩小的电子光源像，投影在目标衬底上。
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