公开(公告)号：CN114024323A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111273329.1

申请日：2021-10-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 沈飞淞 ,  曾宏 ,  刘敏安 ,  陈彦 ,  潘学军 ,  邹平 ,  陈芳林 ,  陈勇民

IPC: H02J3/18 ,  H02J7/34 ,  H02M1/06 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明公开了一种投切控制装置的辅助供电电路及电子器件投切电路，投切控制装置的辅助供电电路，包括RC电路和取能电路；RC电路一端连接于第一电子器件的一端，RC电路另一端连接取能电路的第一输入端；取能电路的第二输入端连接于第一电子器件的另一端，取能电路的输出端连接投切控制装置；投切控制装置为用于控制与第一电子器件串联的第二电子器件投切的装置。采用本发明，可以保证投切控制装置的工作稳定性。

公开(公告)号：CN112803373A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202011474538.8

申请日：2020-12-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曾宏 ,  潘学军 ,  刘敏安 ,  陈彦 ,  陈芳林 ,  陈勇民 ,  邹平 ,  沈飞淞

IPC: H02H7/20

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备，其包括关断模块、保护模块和控制模块。其中，控制模块配置为响应于用于指示功率半导体器件短路的指令而控制关断模块动作以断开关断电路，从而能够在功率半导体器件失效或者外界原因造成门阴极短路后，仍能保护关断电路上的器件；另外，还控制保护模块动作以接通保护电路，确保实现门阴极短路，有效提高功率半导体器件的承压能力以及升压速率，并可以在外部因素导致门阴极短路的情况下可以快速接通保护电路，保护整个功率半导体驱动关断电路的安全性，同时提高功率半导体器件的可适用性、可靠性以及重复应用性。

公开(公告)号：CN112363040A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN202011187514.4

申请日：2020-10-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 潘学军 ,  曾宏 ,  陈芳林 ,  操国宏 ,  孙永伟 ,  邹平 ,  陈勇民 ,  徐焕新 ,  蒋谊 ,  彭文华

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请提供的一种功率半导体器件门极驱动检测电路及其控制方法，该电路包括门阴极电压检测单元，用于检测所述功率半导体器件的门极和阴极之间的电压差；高压检测单元，用于检测所述功率半导体器件的阳极和阴极之间的电压差；逻辑单元，用于在接收到所述外部控制系统发出的外部控制信号时输出第一控制信号，以及接收所述第一检测信号和所述第二检测信号并分别对所述第一检测信号和所述第二检测信号对应的电压差进行判断；触发单元，用于根据所述逻辑单元输出的控制信号生成触发信号，以控制所述功率半导体器件导通。检测电路组成元件简洁、可靠，不仅降低了驱动电路的复杂程度，还节约成本，可广泛应用于功率半导体型器件的驱动电路中。

公开(公告)号：CN216490256U

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202122587046.6

申请日：2021-10-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曾宏 ,  罗海辉 ,  任亚东 ,  刘敏安 ,  陈彦 ,  陈芳林 ,  沈飞淞 ,  潘学军 ,  陈勇民 ,  邹平

IPC: H02M7/04

Abstract: 本实用新型公开了一种高位取能电路，包括主晶闸管、正向充电模块、负向充电模块和RC吸收模块；所述正向充电模块包括第一二极管、第二二极管、第一维持晶闸管、第一维持信号单元和第一充电电容；所述负向充电模块包括第三二极管、第四二极管、第二维持晶闸管、第二维持信号单元和第二充电电容；所述RC吸收模块包括吸收电阻和吸收电容；当主晶闸管的阳极为正电压时，端电压加在第一维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第三二极管形成的回路；当主晶闸管V1的阳极为负电压时，端电压加在第二维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第一二极管形成的回路，这样，整个周期内控制单元均能够从RC吸收回路取电，延长了取电时间，提高了取电功率。

公开(公告)号：CN213152022U

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202021177333.9

申请日：2020-06-22

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 潘学军 ,  曾宏 ,  陈芳林 ,  操国宏 ,  孙永伟 ,  邹平 ,  陈勇民 ,  徐焕新 ,  蒋谊 ,  彭文华

IPC: H03K17/08

Abstract: 本实用新型公开了一种功率半导体器件驱动保护电路，涉及电子电路技术领域，该驱动保护电路包括：驱动模块、启停模块以及保护模块，驱动模块连接在功率半导体器件的门极与阴极之间，启停模块的一端与功率半导体器件的门极连接，启停模块的另一端与保护模块的一端连接，且启停模块的控制端连接触发控制信号，保护模块的另一端与所述功率半导体器件的阴极连接。本实用新型的有益效果是：能够在该启停模块失效后造成的功率半导体器件门阴极短路的情况下，防止功率半导体器件损坏。不仅降低了驱动电路的复杂程度，还节约成本，可广泛应用于功率半导体型器件的驱动电路中。