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公开(公告)号:CN104701306A
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:CN201410738558.X
申请日:2014-12-05
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H01L23/047 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体装置,其包括:半导体元件,其设置在平面上;密封树脂,其对所述半导体元件进行密封;端子,其电连接到所述半导体元件并且包括从所述密封树脂的预定表面突出的部分;以及凹部,当沿与所述平面垂直的方向观察时,所述凹部从所述预定表面朝向所述半导体元件侧凹进。当沿与所述平面垂直的方向观察时,在所述半导体元件侧的所述凹部的边包括R形状。
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公开(公告)号:CN104347573A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201410350640.5
申请日:2014-07-22
IPC: H01L23/495 , H02M7/00 , H02M1/00
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/89 , H01L2224/48247 , H01L2224/85001 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及引线框架、电力变换装置、半导体设备及其制造方法。根据本公开,提供一种引线框架,包括:并排地布置的第一岛和第二岛;外周框架;第一引线,第一引线在与第一方向垂直的第二方向上延伸;第二引线,第二引线在第二方向上延伸;第一联结部分,第一联结部分将第一引线联结到框架;第二联结部分,第二联结部分将第二引线联结到框架;中间部分,中间部分在第一方向上形成在第一和第二联结部分之间使得中间部分在第二方向上延伸以在在第一和第二岛之间的空间之前终止;和变形抑制部分,变形抑制部分被形成或者设置在第一引线、第二引线、第一和第二联结部分中的至少一个之中,并且被构造成抑制在模制过程期间第一和第二引线的变形。
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公开(公告)号:CN103620768A
公开(公告)日:2014-03-05
申请号:CN201280032343.5
申请日:2012-04-26
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L22/34 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/492 , H01L23/495 , H01L23/4951 , H01L23/4952 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49555 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/859 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明的课题在于,提供一种材料出成率较高的引线框架及功率组件。引线框架包括:多个第一引线,其在俯视观察时,于配置有半导体元件的区域的一侧延伸;多个第二引线,其在俯视观察时,于配置有所述半导体元件的区域的、与所述一侧为相反侧的另一侧延伸;第三引线,其在俯视观察时,排列在多个所述第一引线中的位于端部的第一引线的外侧;布线部,其被连接于所述第三引线,且为所述第一引线、所述第二引线及所述第三引线的导承框的一部分,并且在切除了所述导承框的该一部分以外的部分之后,成为与所述第三引线连接的布线。
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公开(公告)号:CN111952260B
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202010408972.X
申请日:2020-05-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/367 , H01L23/492
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,包括:层叠配置的上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板;第一半导体元件,位于上侧导电板与中间导电板之间,分别与上侧导电板和中间导电板电连接;第二半导体元件,位于中间导电板与下侧导电板之间,分别与中间导电板和下侧导电板电连接;以及密封体,密封第一半导体元件以及第二半导体元件,并将上侧导电板、中间导电板以及下侧导电板一体地保持。中间导电板具有主体部和露出部,主体部在密封体的内部与第一半导体元件以及第二半导体元件接合,露出部从密封体的表面露出于外部。中间导电板的露出部的厚度大于等于中间导电板的主体部的厚度。
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公开(公告)号:CN111435646B
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN202010027816.9
申请日:2020-01-10
Applicant: 株式会社电装
Inventor: 门口卓矢
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , C22C13/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制用于半导体装置的部件表面的金属的扩散的技术。公开一种具有包含半导体元件在内的多个部件的半导体装置的制造方法。制造方法包括下述工序:配置工序,将多个部件的其中一个即第一部件的一个表面、和多个部件中的另一个即第二部件的一个表面,隔着锡(Sn)类焊料相对配置;以及热处理工序,通过使Sn类焊料熔融及凝固,而将第一部件和第二部件接合。第一部件的至少一个表面由镍(Ni)类金属构成,第二部件的至少一个表面由铜(Cu)构成。
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公开(公告)号:CN115244689A
公开(公告)日:2022-10-25
申请号:CN202080096322.4
申请日:2020-02-14
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 本说明书公开的半导体装置具备第1半导体元件、第1导体板、第1绝缘层和导体电路图案。第1半导体元件具有设有第1电极及第2电极的一个表面和位于一个表面的相反侧的另一表面。第1导体板具有与第1半导体元件的一个表面对置的第1表面,在第1表面中与第1半导体元件的第1电极电连接。第1绝缘层设在第1导体板的第1表面上,将第1表面的一部分覆盖。导体电路图案设在第1绝缘层上。导体电路图案具有与第1半导体元件电连接的至少一个第1导体线路,至少一个第1导体线路包括与第2电极电连接的导体线路。
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公开(公告)号:CN108630652B
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN201810224113.8
申请日:2018-03-19
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/492 , H01L23/495 , H01L25/18 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体装置、用于半导体装置的制造方法以及电极板。半导体装置包含电极板、金属构件以及将金属构件与电极板连接的焊料。在电极板的表面上,设置了第一沟槽和第二沟槽组。第一沟槽具有第一直线部分到第四直线部分。该第二沟槽组布置在由第一沟槽包围的范围内,并且具有在与第一沟槽连接的外周侧上的端部。该第二沟槽组包含第一集合到第四集合。所述集合中的每一个包含与第一直线部分到第四直线部分连接的多个第二沟槽。当在电极板和金属构件的层压方向上看金属构件时,金属构件的与焊料连接的区域的外周边缘横穿第一集合到第四集合。
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公开(公告)号:CN105814686B
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201480067494.3
申请日:2014-12-09
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 种半导体装置包括:第开关元件(20);第二开关元件(30);第金属构件(50);第二金属构件(54);第端子(40),其具有在高电位侧上的电位;第二端子(42),其具有在低电位侧上的电位;第三端子(44),其具有中点电位;以及树脂部(66)。第电位部(P)具有与所述第端子的电位相等的电位。第二电位部(N)具有与所述第二端子的电位相等的电位。第三电位部(O)具有与所述第三端子的电位相等的电位。第电位部和第二电位部之间的第爬电距离大于第电位部和第三电位部之间的第二爬电距离与第二电位部和第三电位部之间的第三爬电距离中的最小值。
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公开(公告)号:CN104160493A
公开(公告)日:2014-11-19
申请号:CN201380012899.2
申请日:2013-02-28
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/498 , H01L23/49833 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01033
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法,将多组功率单元在预定方向上排列配置,且将该多组功率单元一体地进行树脂封装,所述功率单元中,多个半导体元件隔开预定的间隙而载置在金属板上,所述半导体装置中,在制造时填充的树脂流通的流路上的比预定位置靠树脂的流通方向下游侧的位置配置妨碍树脂向流通方向下游侧的流通的结构体,其中,所述流路位于在预定方向上彼此相邻配置的2个功率单元之间,所述预定位置是与隔开预定的间隙而载置的2个半导体元件中的位于接近树脂的流入口的一侧的近方半导体元件的该流入口侧的相反侧的端部对应的位置。
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公开(公告)号:CN103493197A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201280018795.8
申请日:2012-04-18
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L24/30 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/06181 , H01L2224/32245 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37155 , H01L2224/40245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/83205 , H01L2224/83801 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置,包括:第一半导体元件(10);第一厚板部(31),由导体形成且电连接到第一半导体元件的下表面侧的电极(11);第二半导体元件(20),其主表面面向第一半导体元件的主表面;第二厚板部(32),由导体形成且电连接到第二半导体元件的下表面侧的电极(21);第三厚板部(41),由导体形成且电连接到第一半导体元件的上表面侧的电极(12);第四厚板部(42),由导体形成且电连接到第二半导体元件的上表面侧的电极(22);第一薄板部(33、34),由导体形成并被设置在第二厚板部上且比第二厚板部薄;以及第二薄板部(43、44),由导体形成并被设置在第三厚板部上且比第三厚板部薄。第一薄板部和第二薄板部固定在一起并且电连接。
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