公开(公告)号：CN115989580A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052928.2

申请日：2021-08-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 犬塚仁浩 ,  中野贵博 ,  竹中正幸 ,  水野直仁 ,  大泽青吾 ,  大仓康嗣

IPC: H01L23/29

Abstract: 元件封装(40)具备半导体元件(41)、再布线层(42)以及密封树脂体(45)。半导体元件(41)具备：半导体衬底(410)，具有元件区域(412)及划线区域(413)；源极电极及焊盘，形成在半导体衬底的一面(410a)；以及保护膜(411)，配置在一面中的元件区域上。密封树脂体包含以具有不超过保护膜的上表面的缘部(411d)的高度的方式配置在划线区域(413)的一面上的密封树脂体(45S)。再布线层配置在保护膜到划线区域上的密封树脂体的范围中。

公开(公告)号：CN115699296A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180040056.8

申请日：2021-05-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大泽青吾 ,  大仓康嗣

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置，具备：半导体元件(11)，在表面(11a)具有第1电极焊盘(111)以及多个第2电极焊盘(112)，在将表面和背面(11b)相连的方向上产生电流；密封件(12)，由绝缘性的树脂材料构成，将半导体元件的表面的一部分以及侧面(11c)覆盖；以及延伸设置布线(152)，在半导体元件之上配置在密封件的内部或密封件之上，与第2电极焊盘电连接并且从半导体元件的外轮廓的内侧延伸设置至外侧。

公开(公告)号：CN115428145A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180028696.7

申请日：2021-03-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 中野贵博 ,  大泽青吾 ,  大仓康嗣 ,  水野直仁 ,  犬塚仁浩

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/34 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置具备半导体元件(11)、与半导体元件的背面(11b)侧接合的导电体(10)和将半导体元件的侧面(11c)及导电体的一部分覆盖的密封件(12)。半导体装置具备再布线层(15)，该再布线层具有将半导体元件的表面(11a)及密封件的一部分覆盖的绝缘层(151)、与半导体元件连接的第1电极(13)及第2电极(14)、将第1电极中的从绝缘层露出的部分覆盖的导电性的第1外部露出层(152)、和将第2电极中的从绝缘层露出的部分覆盖的导电性的第2外部露出层(153)。第2电极的与半导体元件相反的一侧的端部延伸设置到再布线层中的半导体元件的外轮廓外侧的位置。第2外部露出层将第2电极中的位于半导体元件的外轮廓外侧的一部分区域覆盖。导电体的与半导体元件的背面接合的上表面(10a)的相反侧的下表面(10b)从密封件露出。

公开(公告)号：CN109314139A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780032407.4

申请日：2017-09-15

Applicant: 富士电机株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 宫田大嗣 ,  野口晴司 ,  吉田崇一 ,  田边広光 ,  河野宪司 ,  大仓康嗣

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 对插塞电极(12)进行凹蚀而使其仅残留在接触孔(8a)的内部，并且使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)上的阻挡金属(9)露出。然后，对阻挡金属(9)进行凹蚀，使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)露出。然后，形成其余的元件结构，并利用氦或电子束照射控制寿命，之后进行氢退火。在该氢退火时，由于在覆盖栅电极(4)的层间绝缘膜(8)的上表面(8e)不存在阻挡金属(9)，所以能够使氢原子到达台面部。由此，因氦或电子束的照射而产生于台面部的晶格缺陷恢复，栅极阈值电压恢复。由此，即使在对于具备插塞电极隔着阻挡金属埋入接触孔的结构的半导体装置进行了寿命控制的情况下也能稳定且容易地得到该半导体装置的预定特性。

公开(公告)号：CN105283951A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480032850.8

申请日：2014-05-29

Applicant: 株式会社电装 ,  富士电机株式会社

Inventor： 杉浦俊 ,  大仓康嗣 ,  藤井岳志 ,  今川铁太郎

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/34 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/417 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置具备：具有元件的半导体基板(12)、与上述元件连接的表面电极(18)、与上述元件连接的背面电极(14)、设置于上述半导体基板的表面上的分离区域(28)的保护膜(20)、以及设置于上述半导体基板的表面侧的温度传感器(22)。上述表面电极通过上述保护膜在至少2个方向上被分割为多个。上述分离区域包含位于相邻的上述表面电极的对置边间的对置区域(30)、和上述对置区域相交的交叉区域(32)。上述温度传感器仅配置在上述对置区域。

公开(公告)号：CN104769708A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201380057853.2

申请日：2013-10-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大仓康嗣

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L22/32 ,  G01R31/2621 ,  H01L22/14 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7397 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置具备：并列设置了多个栅极电极(26)的半导体基板(12)，形成于所述半导体基板(12)上的多个栅极布线(38)，多个栅极焊盘(36)，第1焊盘(32)以及第2焊盘(40)。相邻的所述栅极电极(26)规定多个单元(42)，所述多个单元(42)包含多个晶体管单元(44)。所述多个栅极电极(26)由所述多个栅极布线(38)区分成多个种类。所述多个晶体管单元(44)由规定的所述栅极电极(26)的组合被区分成多个种类。

公开(公告)号：CN102376709B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201110241326.X

申请日：2011-08-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 小山雅纪 ,  大仓康嗣 ,  添野明高 ,  永冈达司 ,  杉山隆英 ,  青井佐智子 ,  井口紘子

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613

Abstract: 在一种半导体器件中，IGBT单元(10)包括穿过半导体衬底(32)的基底层(31)到达半导体衬底(32)的漂移层(30)的沟槽(35)，沟槽(35)内表面上的栅极绝缘膜(36)，栅极绝缘膜(36)上的栅极电极(37a)，基底层(31)表面部分中的第一导电类型的发射极区(38)，以及基底层(31)表面部分中第二导电类型的第一接触区(39)。IGBT单元还包括设置于基底层(31)之内的第一导电类型的浮置层(40)，以将基底层(31)分成包括发射极区(38)和第一接触区(39)的第一部分以及与漂移层(30)相邻的第二部分，以及被设置成覆盖栅极电极(37a)的末端的层间绝缘膜(41)。二极管单元(20)包括基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第二接触区(42)。

公开(公告)号：CN113632214B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202080021722.9

申请日：2020-03-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大泽青吾 ,  大仓康嗣 ,  中野贵博 ,  水野直仁 ,  竹中正幸 ,  犬塚仁浩

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 经由接合件而与引线框电连接。一种半导体模组，具备：第1散热部件(1、7)；半导体装置(2)，具备半导体元件(20)、将其周围覆盖的封固件(21)、以及再布线层(24)，搭载在第1散热部件上，上述再布线层具备与半导体元件电连接的第1布线(26)及第2布线(27)，形成在半导体元件及封固件之上；第2散热部件(3、7)，配置在半导体装置上；引线框(4)，经由接合件第1散热部件的一部分、半导体装置、以及第2散热部件的一部分覆盖。半导体装置的一部分从第(5)而与半导体装置电连接；以及封固件(6)，将(56)对比文件US 2005133896 A1,2005.06.23JP 2011091259 A,2011.05.06JP 2012243890 A,2012.12.10王辉;王德宏.半导体激光器焊接的热分析.微纳电子技术.2008,(07),全文.阳英;柴广跃;段子刚;高敏;张浩希.基于ANSYS的大功率半导体光放大器的热分析.电子与封装.2008,(09),全文.

公开(公告)号：CN115148725A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210305517.6

申请日：2022-03-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 竹中正幸 ,  大仓康嗣

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置包括半导体元件，该半导体元件具有保护膜(411)，保护膜具有暴露源极(41s)的一部分的开口(411a)并且被布置/设置为将其端部定位在所述源极上。重新布线层具有连接到所述源极和导电连接构件的布线(44s、47、48a、48b)和覆盖所述源极布线的一部分的绝缘体(43)。绝缘体包括绝缘膜(431)和绝缘膜(432)，绝缘膜(431)具有(a)用于暴露源极布线的一部分的开口(431a)和(b)所述开口(431a)的设置在开口(411a)的面向区域中的端部；绝缘膜(432)具有(c)(i)用于使具有被布置在其中的焊料的源极布线的一部分暴露的开口(432a)和(ii)被布置在其中的连接构件。

公开(公告)号：CN113632214A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080021722.9

申请日：2020-03-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大泽青吾 ,  大仓康嗣 ,  中野贵博 ,  水野直仁 ,  竹中正幸 ,  犬塚仁浩

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体模组，具备：第1散热部件(1、7)；半导体装置(2)，具备半导体元件(20)、将其周围覆盖的封固件(21)、以及再布线层(24)，搭载在第1散热部件上，上述再布线层具备与半导体元件电连接的第1布线(26)及第2布线(27)，形成在半导体元件及封固件之上；第2散热部件(3、7)，配置在半导体装置上；引线框(4)，经由接合件(5)而与半导体装置电连接；以及封固件(6)，将第1散热部件的一部分、半导体装置、以及第2散热部件的一部分覆盖。半导体装置的一部分从第2散热部件中的与半导体装置面对的另一面(3b)的外轮廓伸出，第2布线的一端延伸设置至半导体装置中的从另一面的外轮廓伸出的部分，一端经由接合件而与引线框电连接。