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公开(公告)号：CN103038385A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180029637.8
申请日：2011-06-14
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32871 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3435
Abstract: 本发明提供一种在成膜处理中附着物的薄膜不剥离的防附着部件和具有该防附着部件的溅射成膜装置。防附着部件(251～254、35)的材质为Al2O3，成膜粒子附着的附着面的算术平均粗糙度为4μm以上10μm以下，附着膜不易剥离。在溅射成膜装置中，将防附着部件(251～254、35)配置在包围靶(211～214)的溅射面(231～234)的外周的位置、包围基板(31)的成膜面的外周的位置。
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公开(公告)号：CN111902562A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980019108.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种在基板表面形成氧化铟基氧化物膜时，可抑制基板的X轴方向上的薄膜质量不均一的成膜方法。本发明的成膜方法，以在基板(Sw)面内彼此正交的方向为X轴方向和Y轴方向，在真空处理室(11)内使基板和与该基板相比X轴方向长度更长的靶(Tg1～Tg8)彼此同心相对配置，向真空气氛中的真空处理室内分别导入稀有气体和氧气，通过对各靶施加电力以等离子体气氛中的稀有气体的离子对靶进行溅射，从而在基板表面形成氧化铟基氧化物膜。从第一位置和第二位置中的至少一个向基板导入氧气，其中，以从靶侧朝向基板的方向为上，所述第一位置是X轴方向上基板端区域(Sa)正下方的位置，所述第二位置是在X轴方向上从基板端(Se)向靶端延伸的延展区域(Ea)正下方的位置。
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公开(公告)号：CN105518179B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201380079134.0
申请日：2013-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J37/3455 , H01J37/347
Abstract: 反应性溅射装置具备阴极装置(18)，阴极装置(18)向化合物膜的形成区域(R1)放射溅射粒子。阴极装置(18)具备：扫描部(27)，其在相对区域(R2)扫描烧蚀区域；以及靶(23)，其形成有烧蚀区域，扫描方向上的长度短于相对区域(R2)。扫描部(27)从开始位置(St)朝向相对区域(R2)扫描烧蚀区域，在开始位置(St)上，扫描方向上的形成区域(R1)的2个端部中的溅射粒子先到达的第1端部(Re1)与靶(23)的第1端部(23e1)的距离(D1)在扫描方向上为150mm以上，靶(23)的第1端部(23e1)在扫描方向上离形成区域的第1端部(Re1)近。
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公开(公告)号：CN105555996B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201480047603.5
申请日：2014-09-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/568 , H01J37/32908 , H01J37/342 , H01J37/3435 , H01J37/3444
Abstract: 基板处理装置具备框体(21)以及位于框体内部的中空的摆动臂(23)。摆动臂包括与框体连接的中空的摆动中心轴部(23a)以及作为摆动端的中空的连结轴部(23b)。进一步，基板处理装置具备处理部(22)，该处理部(22)位于框体内部，并且在与基板面对的处理空间，沿与摆动中心轴部的轴向(P)正交的方向移动而对基板实施处理。处理部以追随处理部的移动而使连结轴部(23b)能够与处理部平移的方式与连结轴部连结。因此，通过处理部(22)的移动而使摆动臂线路，该连接线路位于摆动臂(23)内部，通过摆动中心轴部(23a)内部而与位于框体外部的共用设备连接、且通过连结轴部(23b)内部而与处理部连接。(23)进行摆动。进一步，基板处理装置具备连接
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公开(公告)号：CN105555996A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480047603.5
申请日：2014-09-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/568 , H01J37/32908 , H01J37/342 , H01J37/3435 , H01J37/3444
Abstract: 基板处理装置具备框体(21)以及位于框体内部的中空的摆动臂(23)。摆动臂包括与框体连接的中空的摆动中心轴部(23a)以及作为摆动端的中空的连结轴部(23b)。进一步，基板处理装置具备处理部(22)，该处理部(22)位于框体内部，并且在与基板面对的处理空间，沿与摆动中心轴部的轴向(P)正交的方向移动而对基板实施处理。处理部以追随处理部的移动而使连结轴部(23b)能够与处理部平移的方式与连结轴部连结。因此，通过处理部(22)的移动而使摆动臂(23)进行摆动。进一步，基板处理装置具备连接线路，该连接线路位于摆动臂(23)内部，通过摆动中心轴部(23a)内部而与位于框体外部的共用设备连接、且通过连结轴部(23b)内部而与处理部连接。
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公开(公告)号：CN102906303A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180027118.8
申请日：2011-06-02
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/10 , C23C14/352 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/345 , H01J37/3464 , H01J37/347
Abstract: 提供一种对靶材的溅射面整体进行溅射而提高靶材的使用效率并不会产生发弧的溅射成膜装置。包围导电性的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）由绝缘性的陶瓷形成。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分伸出到溅射面（231）的外周的外侧的位置之间移动，一边在反应气体环境中对靶材（211）进行溅射。靶材（211）的溅射面（231）整体被溅射，所以不会在靶材（211）上堆积绝缘性的化合物，不会产生发弧。
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公开(公告)号：CN102906302A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180027011.3
申请日：2011-06-02
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/352 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/345 , H01J37/3464 , H01J37/347
Abstract: 提供一种能够对靶材的溅射面中比以往更广的面积进行溅射的溅射成膜装置。由绝缘性的陶瓷形成包围金属材料的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分向溅射面（231）的外周的外侧伸出的位置之间移动一边对靶材（211）进行溅射。
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