公开(公告)号：CN111902562A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980019108.6

申请日：2019-01-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 水野太平 ,  矶部辰德

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明提供一种在基板表面形成氧化铟基氧化物膜时，可抑制基板的X轴方向上的薄膜质量不均一的成膜方法。本发明的成膜方法，以在基板(Sw)面内彼此正交的方向为X轴方向和Y轴方向，在真空处理室(11)内使基板和与该基板相比X轴方向长度更长的靶(Tg1～Tg8)彼此同心相对配置，向真空气氛中的真空处理室内分别导入稀有气体和氧气，通过对各靶施加电力以等离子体气氛中的稀有气体的离子对靶进行溅射，从而在基板表面形成氧化铟基氧化物膜。从第一位置和第二位置中的至少一个向基板导入氧气，其中，以从靶侧朝向基板的方向为上，所述第一位置是X轴方向上基板端区域(Sa)正下方的位置，所述第二位置是在X轴方向上从基板端(Se)向靶端延伸的延展区域(Ea)正下方的位置。

公开(公告)号：CN109328243A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201780038184.2

申请日：2017-05-31

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 水野熊介 ,  矶部辰德 ,  水野太平 ,  永田纯一 ,  小林大士 ,  大久保裕夫 ,  新井真

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种可维持规定的成膜率不变，并有效形成应力在规定值以内的氧化铝膜的成膜方法。在本发明中，在真空室(1)内相对配置被成膜物(S)和铝材质的靶(21，22)，向真空气氛中的真空室内导入稀有气体和氧气、给靶施加规定电力对靶进行溅射，使铝原子和氧的反应产物附着并堆积在被成膜物的表面上形成氧化铝膜。此时，向真空室内导入水蒸汽。水蒸汽的分压设置在1×10-3Pa～0.1Pa的范围内。

公开(公告)号：CN111902562B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201980019108.6

申请日：2019-01-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 水野太平 ,  矶部辰德

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明提供一种在基板表面形成氧化铟基氧化物膜时，可抑制基板的X轴方向上的薄膜质量不均一的成膜方法。本发明的成膜方法，以在基板(Sw)面内彼此正交的方向为X轴方向和Y轴方向，在真空处理室(11)内使基板和与该基板相比X轴方向长度更长的靶(Tg1～Tg8)彼此同心相对配置，向真空气氛中的真空处理室内分别导入稀有气体和氧气，通过对各靶施加电力以等离子体气氛中的稀有气体的离子对靶进行溅射，从而在基板表面形成氧化铟基氧化物膜。从第一位置和第二位置中的至少一个向基板导入氧气，其中，以从靶侧朝向基板的方向为上，所述第一位置是X轴方向上基板端区域(Sa)正下方的位置，所述第二位置是在X轴方向上从基板端(Se)向靶端延伸的延展区域(Ea)正下方的位置。