溅射装置
    1.
    发明公开
    溅射装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118147589A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202311645413.0

    申请日:2023-12-04

    Abstract: 本发明的溅射装置具备朝向具有基板表面的被成膜基板排出溅射粒子的阴极单元。阴极单元具有靶、磁铁单元、磁铁单元扫描部和磁力线倾斜机构。磁铁单元具有磁铁。磁力线倾斜机构使在一个摆动端由磁铁形成的磁力线朝向另一个摆动端倾斜。

    蒸镀装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111684100A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201980006665.4

    申请日:2019-09-10

    Abstract: 提供一种能够抑制蒸镀材料的大飞散角度所产生的影响的蒸镀装置。本发明的一方式的基板保持装置,具有蒸发源、支撑机构、限制板以及腔体。蒸发源收纳蒸镀材料,并具有加热蒸镀材料的加热机构。支撑机构在与蒸发源相向的位置支撑蒸镀对象物。限制板被配置在相对于蒸发源与所述蒸镀对象物的中点靠蒸镀对象物侧的位置,限制蒸镀材料的飞散路径。腔体收纳蒸发源、支撑机构以及限制板。

    溅射装置
    3.
    发明公开
    溅射装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118360575A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410041325.8

    申请日:2024-01-11

    Abstract: 本发明的溅射装置具备朝向具有基板表面的被成膜基板排出溅射粒子的阴极单元。阴极单元具有靶、磁铁单元、磁铁单元扫描部和阳极电位设定机构。所述阳极电位设定机构与阳极连接,并且将所述阳极相对于所述阴极单元设定为规定的电位,以免电子入射到所述阳极。

    蒸镀装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111684100B

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN201980006665.4

    申请日:2019-09-10

    Abstract: 提供一种能够抑制蒸镀材料的大飞散角度所产生的影响的蒸镀装置。本发明的一方式的基板保持装置,具有蒸发源、支撑机构、限制板以及腔体。蒸发源收纳蒸镀材料,并具有加热蒸镀材料的加热机构。支撑机构在与蒸发源相向的位置支撑蒸镀对象物。限制板被配置在相对于蒸发源与所述蒸镀对象物的中点靠蒸镀对象物侧的位置,限制蒸镀材料的飞散路径。腔体收纳蒸发源、支撑机构以及限制板。

    溅射装置
    5.
    发明公开
    溅射装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118007077A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202311480456.8

    申请日:2023-11-08

    Abstract: 本发明的溅射装置具备朝向具有基板表面的被成膜基板排出溅射粒子的阴极单元。阴极单元具有靶、磁铁单元和磁铁单元扫描部。在位于摆动区域的轮廓边附近的端部产生的磁力密度和在所述摆动区域的中央部产生的磁力密度被均匀化。

    真空处理装置
    6.
    发明公开
    真空处理装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116745458A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202280011677.8

    申请日:2022-03-18

    Abstract: 本发明提供一种在维持真空气氛的状态下能够尽量排除带入的颗粒的真空处理装置。具有真空室(1、2),其设置有处理单元(4),在真空室上连接真空泵(15),且在真空室内安装有台架(3);具备摆动机构,基板(Sw)与处理单元对置地被实施处理的台架的姿态为第一姿态,以实施处理时以外的台架的姿态为第二姿态,该摆动机构使台架在第一姿态与第二姿态间摆动;还具备在真空室内向台架喷射惰性气体的喷射机构(5),喷射机构构成为可在第一流量和第二流量之间进行流量切换,所述第一流量能在使真空室内为规定压力的真空气氛的状态下喷飞附着在台架和基板中的至少一方上的颗粒,所述第二流量可将因喷飞而在真空室内扩散的颗粒向真空泵移送。

    溅射装置
    7.
    发明公开
    溅射装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117413085A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202280039644.4

    申请日:2022-11-25

    Abstract: 本发明的溅射装置具备向被成膜基板的被处理面发出溅射粒子的阴极单元。所述阴极单元具有靶、磁铁单元、磁铁扫描部和辅助磁铁。辅助磁铁沿着位于第一摆动端的磁铁,使位于第一摆动端的磁铁所形成的磁感线朝向第二摆动端倾斜。

    磁控溅射装置用阴极单元及磁控溅射装置

    公开(公告)号:CN117044403A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202180090208.5

    申请日:2021-09-13

    Abstract: 本发明提供一种磁控溅射装置(SM)用阴极单元(CU)及磁控溅射装置,其不会导致等离子体的局部消失等,可使与溅射的进行相伴的靶侵蚀区域大致均匀,可提高靶的利用效率。设置在真空室(1)内配置的靶(41~44)的背对溅射面一侧上的磁铁单元(51~54)改变靶侧极性地具备线状中央磁铁(52)和包围中央磁铁周围的周边磁铁(53),所述周边磁铁具有直线部(53a,53b)和跨接两直线部的两自由端的跨接部(53c),以通过磁场的垂直成分为零的位置的线沿中央磁铁的长边方向延伸并闭合为跑道状的方式产生从溅射面泄漏的磁场(Mf),在维持周边磁铁的姿态的状态下,根据中央磁铁的靶侧极性,使中央磁铁的两端部分分别移位到周边磁铁的彼此不同的直线部侧。

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