溅射装置
    1.
    发明公开
    溅射装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118360575A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410041325.8

    申请日:2024-01-11

    Abstract: 本发明的溅射装置具备朝向具有基板表面的被成膜基板排出溅射粒子的阴极单元。阴极单元具有靶、磁铁单元、磁铁单元扫描部和阳极电位设定机构。所述阳极电位设定机构与阳极连接,并且将所述阳极相对于所述阴极单元设定为规定的电位,以免电子入射到所述阳极。

    溅射装置
    2.
    发明公开
    溅射装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118007077A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202311480456.8

    申请日:2023-11-08

    Abstract: 本发明的溅射装置具备朝向具有基板表面的被成膜基板排出溅射粒子的阴极单元。阴极单元具有靶、磁铁单元和磁铁单元扫描部。在位于摆动区域的轮廓边附近的端部产生的磁力密度和在所述摆动区域的中央部产生的磁力密度被均匀化。

    表面处理方法及表面处理装置

    公开(公告)号:CN109423674B

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN201810966182.6

    申请日:2018-08-23

    Abstract: 本发明涉及表面处理方法及表面处理装置。本发明的表面处理方法为如下过程:在由阀金属构成的被处理体的被处理面设定多个处理区域,并且将各处理区域连续或断续地浸渍在电解液中以进行阳极氧化处理,从而在所述被处理面上形成氧化被膜。所述阳极氧化处理包括第M(M为2以上的整数)工序。第M工序具备第Ma工序、第Mb工序…和第Mn工序(n为1以上的整数)。通过使所述电压VM向所述最高电压VMax的方向依次增加而设为规定的数值,并且反复进行所述第M工序,从而形成合计膜厚为期望的厚度的所述氧化被膜。

    溅射装置
    5.
    发明公开
    溅射装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117413085A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202280039644.4

    申请日:2022-11-25

    Abstract: 本发明的溅射装置具备向被成膜基板的被处理面发出溅射粒子的阴极单元。所述阴极单元具有靶、磁铁单元、磁铁扫描部和辅助磁铁。辅助磁铁沿着位于第一摆动端的磁铁,使位于第一摆动端的磁铁所形成的磁感线朝向第二摆动端倾斜。

    保护膜制造方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101889108B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN200880119163.4

    申请日:2008-12-04

    CPC classification number: C25D11/246

    Abstract: 形成耐腐蚀性高的保护膜。使阳极氧化被膜(12)接触70℃以上90℃以下(第一温度)的温水(46),在表面形成不连续的面后,使其接触高于第一温度的第二温度的热水或第二温度的水蒸汽。因为热水或水蒸汽从阳极氧化被膜(12)的表面进入内部,所以阳极氧化被膜(12)表面部分的孔隙被与热水或水蒸汽接触形成的水合物填塞。因此能够在阳极氧化被膜(12)的表面确实地形成包含致密层的保护膜。

    溅射装置
    8.
    发明公开
    溅射装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118147589A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202311645413.0

    申请日:2023-12-04

    Abstract: 本发明的溅射装置具备朝向具有基板表面的被成膜基板排出溅射粒子的阴极单元。阴极单元具有靶、磁铁单元、磁铁单元扫描部和磁力线倾斜机构。磁铁单元具有磁铁。磁力线倾斜机构使在一个摆动端由磁铁形成的磁力线朝向另一个摆动端倾斜。

    表面处理方法
    10.
    发明公开
    表面处理方法 审中-公开

    公开(公告)号:CN112126930A

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN202010559211.4

    申请日:2020-06-18

    Abstract: 提供一种表面处理方法,其能够抑制在构件的表面沉积的成膜物从构件脱离,并且能抑制内含物的放出。表面处理方法包括:通过喷砂处理使构件(10)的金属制的表面(10F)粗糙化。在喷砂处理后的粗糙化的表面(10F)残留由喷砂处理引起的残渣。方法进一步包括利用蚀刻液对粗糙化的表面(10F)进行蚀刻。蚀刻以蚀刻后的粗糙化的表面(10F)具有的算术平均粗糙度(Ra)、即由JIS B 0601:2013规定的算术平均粗糙度(Ra)成为通过喷砂处理得到的粗糙化的表面(10F)的算术平均粗糙度(Ra)的53%以上100%以下的方式实施。

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