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公开(公告)号：CN102809812A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210178442.6
申请日：2012-06-01
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: G02B26/085 , B81B3/0072 , B81B2201/045 , B81C2201/0167
Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法。在可动快门方式的显示器中，使用低残留应力的稳定的非晶硅膜形成可动快门。显示装置中，具有包括第一基板和第二基板的显示面板，上述显示面板具有多个像素，上述各像素具有包含非晶硅的可动快门，和驱动上述可动快门的驱动电路，上述可动快门的上述非晶硅由至少2个非晶硅膜构成，当令上述至少2个非晶硅膜中彼此邻接的2个非晶硅膜为第一非晶硅膜和层叠在上述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜时，上述第一非晶硅膜与上述第二非晶硅膜的特性值不同。
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公开(公告)号：CN101526709B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910126641.0
申请日：2009-03-05
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/1303 , G02F1/1368 , G02F2202/103 , G02F2202/104 , H01L27/1214 , H01L29/66765 , H01L29/78609
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。通过湿法蚀刻来加工沟道截断环层，通过干法蚀刻来加工poly-Si层。在沟道截断环层形成侧面蚀刻，由此使poly-Si层的周边部从沟道截断环层露出，将该区域用于与n+Si层接触。通过该结构能够减少TFT的导通电阻，增加导通电流。由此，能够在用于液晶显示装置的底栅型TFT中，在poly-Si层之上形成沟道截断环层，使TFT的特性稳定。
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公开(公告)号：CN101387805B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810215183.3
申请日：2008-09-10
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1229 , H01L27/1214 , H01L27/1274 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，该显示装置在基板上形成有薄膜晶体管，作为上述薄膜晶体管，具有覆盖栅电极而形成于上述基板上的氮化硅膜上选择性地形成的氧化硅膜，还具有至少包含形成于上述氧化硅膜的上表面的伪单晶层或者多晶层的半导体层，在该半导体层的上表面隔着接触层而形成漏电极和源电极，上述伪单晶层或者多晶层是通过非晶硅层的结晶化而形成的，并且包含由其周侧壁面与其下层的上述氧化硅膜的周侧壁面间不具有台阶而连续的结构构成的部分。
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公开(公告)号：CN101369605A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810146148.0
申请日：2008-08-12
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/78618 , G02F1/13454 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L27/12 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种显示器件，包括：绝缘基板；设置在绝缘基板上的晶体管；设置在晶体管上的多晶半导体层；栅极绝缘膜；栅电极，其中，栅电极隔着栅极绝缘膜而形成在多晶半导体层上，多晶半导体层包括：俯视观察时与栅电极重叠的第一区域；夹着第一区域的第二区域和第三区域，其中，第一区域被夹在第二区域和第三区域之间而形成，多晶半导体层的第二区域包括：第一杂质扩散区域；以及导电类型与第一杂质扩散区域的导电类型相反的第二杂质扩散区域，第一区域和第一杂质扩散区域在第一边界连接，第一区域和第二杂质扩散区域在第二边界连接，沿栅电极夹着第一杂质扩散区域而设置有2个第二杂质扩散区域。在显示器件中对泄漏电流进行抑制。
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公开(公告)号：CN102841444A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210211366.4
申请日：2012-06-21
Applicant: 株式会社日立显示器 , 皮克斯特罗尼克斯公司
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B7/007 , B81B2201/045 , B81C2201/0132 , B81C2201/016
Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，其不需要专用装置、不会使制造吞吐量降低而除去端子上的钝化膜。本发明的显示装置，包括在基板上以矩阵状配置的具有开关元件和用开关元件驱动的MEMS快门的多个像素，和在基板上配置的与外部端子连接的多个端子。MEMS快门包括：具有开口部的快门、与快门连接的第一弹簧、与第一弹簧连接的第一锚定部、第二弹簧、和与第二弹簧连接的第二锚定部，在快门、第一弹簧、第二弹簧、第一锚定部和第二锚定部的表面中的与基板的表面垂直的方向上的面具有绝缘膜，在多个端子的表面、以及快门、第一弹簧、第二弹簧、第一锚定部和第二锚定部的表面中的相对于基板的表面为平行方向且与基板相对的一侧的相反侧的面，不存在该绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101526709A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910126641.0
申请日：2009-03-05
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/1303 , G02F1/1368 , G02F2202/103 , G02F2202/104 , H01L27/1214 , H01L29/66765 , H01L29/78609
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。通过湿法蚀刻来加工沟道截断环层，通过干法蚀刻来加工poly－Si层。在沟道截断环层形成侧面蚀刻，由此使poly－Si层的周边部从沟道截断环层露出，将该区域用于与n+Si层接触。通过该结构能够减少TFT的导通电阻，增加导通电流。由此，能够在用于液晶显示装置的底栅型TFT中，在poly－Si层之上形成沟道截断环层，使TFT的特性稳定。
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公开(公告)号：CN101521210A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910005799.2
申请日：2009-02-12
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其在基板上具有p型薄膜晶体管，p型薄膜晶体管在栅电极的上表面隔着绝缘膜形成有半导体层，在半导体层的上表面形成有具有间隔部而彼此相对配置的漏电极和源电极，在漏电极与半导体层的界面、和源电极与半导体层的界面形成有p型杂质的扩散层。
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公开(公告)号：CN1941280A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610139342.7
申请日：2006-09-26
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/66 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04
Abstract: 本发明提供一种显示装置的制造方法，减低因在硅膜的模拟单晶化中产生的凝聚而引起的显示装置的成品率降低。该显示装置的制造方法的特征在于，包括：半导体膜改性步骤，对第1状态的半导体膜照射激光并改性为具有细长晶粒的第2状态的半导体膜；凝聚检测步骤，检测在上述半导体膜改性步骤中产生的上述半导体膜的凝聚；以及不合格判断步骤，当上述凝聚的位置存在于预定的区域内时判断为不合格、当存在于上述预定的区域外时判断为合格品。
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公开(公告)号：CN101369605B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810146148.0
申请日：2008-08-12
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/78618 , G02F1/13454 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L27/12 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种显示器件，包括：绝缘基板；设置在绝缘基板上的晶体管；设置在晶体管上的多晶半导体层；栅极绝缘膜；栅电极，其中，栅电极隔着栅极绝缘膜而形成在多晶半导体层上，多晶半导体层包括：俯视观察时与栅电极重叠的第一区域；夹着第一区域的第二区域和第三区域，其中，第一区域被夹在第二区域和第三区域之间而形成，多晶半导体层的第二区域包括：第一杂质扩散区域；以及导电类型与第一杂质扩散区域的导电类型相反的第二杂质扩散区域，第一区域和第一杂质扩散区域在第一边界连接，第一区域和第二杂质扩散区域在第二边界连接，沿栅电极夹着第一杂质扩散区域而设置有2个第二杂质扩散区域。在显示器件中对泄漏电流进行抑制。
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公开(公告)号：CN101414638B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810149909.8
申请日：2008-10-15
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/84 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1229 , H01L27/1251 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种显示装置及显示装置的制造方法，该显示装置具有用极简单的结构、仅进一步增加一些工序数就实现了降低截止电流的多晶硅薄膜晶体管。该显示装置具有绝缘基板、和形成在上述绝缘基板上的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管的半导体层具有多晶硅层、形成在上述多晶硅层上层的第一非晶硅层、形成在上述第一非晶硅层上层的第二非晶硅层。
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