公开(公告)号：CN1747152A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510099190.8

申请日：2005-09-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  守屋芳隆

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/00 ,  H01L27/15 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0024

Abstract: 本发明提供了用于制造膜片类型显示器件的方法，和用于制造大尺寸膜片类型显示器件的方法，以及用于制造膜片类型显示器件的设备。用于制造膜片类型显示器件的设备包括：用于传送其上具有构成显示器件的集成电路的衬底的传送装置；用于通过将第一板材料粘附于集成电路的一个表面而将集成电路与所述衬底相分离的第一分离装置；用于通过将第二板材料粘附于集成电路的另一个表面而将集成电路与所述第一板材料相分离的第二分离装置；用于在集成电路上形成导电膜和绝缘膜中的一个或两者的处理装置；以及用于通过第二板材料和第三板材料密封所处理的集成电路的密封装置。

公开(公告)号：CN1744283A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510103676.4

申请日：2005-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  山本裕子 ,  佐藤淳子

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/32105 ,  B23K26/0661 ,  H01L21/268 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种具有细微形状的半导体层的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分照射激光来形成绝缘层，接着用该绝缘层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体层，从而制造使用该半导体层的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有细微形状的半导体层。

公开(公告)号：CN1722368A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510076545.1

申请日：2000-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  胜村学 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明涉及一种吸杂效率优异的半导体器件制造方法。当借助于将磷加入到多晶硅膜中，该膜通过加入金属已被结晶，然后热处理得到的多晶硅膜而进行吸杂时，它在用于注入磷的多晶硅膜上提供了新颖设计的小岛状绝缘膜形状。由此，加入了磷的区域与未加入磷的区域之间的边界表面的面积被增大，从而提高了吸杂效率。

公开(公告)号：CN1716539A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510078541.7

申请日：2005-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  篠田裕人 ,  中村理 ,  磯部敦生 ,  山口哲司 ,  鄉戶宏充

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/67213 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明提供一种具有使用大量生产上可多件提取的大面积衬底并且均匀掺入杂质元素的装置的半导体器件制造装置。本发明的一个特征为：将离子流的截面取为线状或正方形，而且使大面积衬底保持对离子流倾斜规定的倾斜角θ不变，同时使该衬底往垂直于离子流的纵向的方向移动。本发明中，通过改变倾斜角调整离子束的入射角。使大面积衬底对水平面为倾斜状态，从而能使离子流纵向宽度小于衬底1条边的长度。

公开(公告)号：CN1591922A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410076977.8

申请日：2004-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  永井雅晴 ,  中村理

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/00 ,  H05B33/10 ,  H05B33/04 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L27/3244 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/529 ,  H01L2251/5323

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种高可靠性EL显示器件以及制造该显示器件的方法，它可以屏蔽侵入的潮气或氧，这是劣化EL元件性能的一个因素，而没有增大EL显示器件。在本发明中，涂敷作为一种方法，用于形成高热稳定性平整薄膜16，典型的是，TFT的中间绝缘薄膜(作为以后发光元件的基础薄膜)，在该薄膜中，采用硅(Si)和氧(O)的组合构成主干结构。在形成之后，再形成具有锥形形状的边缘部分和开孔部分。此后，添加具有相对较大原子半径的惰性元素产生变形，以改进或高密度化其表面(包括侧面)，从而防止潮气或氧的侵入。

公开(公告)号：CN1577024A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410069693.6

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H05B33/00 ,  G09F9/00

CPC classification number: G09G3/3266 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/04 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/021

Abstract: 当象素和信号线驱动器电路由半－非晶TFT组成时，驱动象素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。

公开(公告)号：CN102496346A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110375144.1

申请日：2005-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉田泰则 ,  木村肇 ,  前川慎志 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/32 ,  H01L21/77 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276

Abstract: 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地，本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外，通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离，可减小布线间的电容。

公开(公告)号：CN101866830B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201010197468.6

申请日：2005-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  佐藤淳子

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/288 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明名称为半导体器件的制造方法，提供一种具有所希望的形状的半导体区域的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分进行氧化来形成氧化物层，接着用该氧化物层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体区域，从而制造使用该半导体区域的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有所希望的形状的半导体区域。

公开(公告)号：CN101866830A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010197468.6

申请日：2005-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  佐藤淳子

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/288 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明名称为半导体器件的制造方法，提供一种具有所希望的形状的半导体区域的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分进行氧化来形成氧化物层，接着用该氧化物层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体区域，从而制造使用该半导体区域的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有所希望的形状的半导体区域。

公开(公告)号：CN101083216B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200710108777.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤恭介 ,  中村理 ,  铃木幸惠

IPC: H01L21/60 ,  G06K19/077 ,  H05K13/04

CPC classification number: H01L23/4985 ,  G06K19/07718 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49855 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够缩短节拍时间的粘合具有不同配置密度或配置间隔的多个零部件的粘合方法以及粘合装置。此外，本发明的目的在于提供一种低成本的半导体器件的制造方法以及一种能够以低成本制造半导体器件的制造装置。其中，在改变第一零部件的在x方向上的配置间隔的同时使第一零部件临时固定在第一柔性衬底上后，在改变第一零部件的在y方向上的配置间隔的同时使第一零部件连接到第二柔性衬底上的第二零部件，而将具有不同配置密度的多个组的零部件同时互相粘合在一起。