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公开(公告)号：CN1507014A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310120519.5
申请日：2003-12-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/302 , H01L21/3213 , H01L21/3205 , B24B1/00
CPC classification number: H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 提供一种研磨方法及半导体装置的制造方法。该研磨方法包括：供给研磨液，研磨在具有规定图形的槽的层上，以埋入上述槽的方式形成的被研磨膜的上层部，进行第一研磨；上述第一研磨后，一边供给从纯水及清洗液选择的一种，一边研磨上述被研磨膜，进行清洗研磨；上述清洗研磨后，供给研磨液，研磨残留在上述槽的外部的上述被研磨膜的残余部分，进行第二研磨。
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公开(公告)号：CN1484304A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03153617.4
申请日：2003-08-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/7684 , H01L23/522 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：基板；第一绝缘膜，提供在基板上并具有最多为预定值的相对介电常数；第二绝缘膜，提供在第一绝缘膜的表面上并具有大于预定值的相对介电常数；布线，提供在用于布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内；以及虚拟布线，提供在用于虚拟布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内，位于与提供布线的区域隔开的预定区域中。
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公开(公告)号：CN1333319A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01122494.0
申请日：2001-07-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09K3/14 , C08J5/14 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3212 , C11D3/14 , C11D11/0047
Abstract: CMP用淤浆,它具有:液体;包含于此液体中的多种研磨粒子,此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子,而此有机与无机粒子则通过热结合一体化。
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公开(公告)号：CN101687305B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200880023985.2
申请日：2008-07-08
IPC: B24B21/08 , B24B9/00 , B24B21/16 , H01L21/304
CPC classification number: B24B21/002 , B24B9/065 , H01L21/02021
Abstract: 本发明的研磨装置具有：基板保持部(32)，保持基板(W)并使其旋转；加压垫(50)，将研磨带(41)的研磨面按压到基板保持部所保持的基板的坡口部上；以及进给机构(45)，使研磨带在其长度方向行进。加压垫(50)具有：硬质部件(51)，具有隔着研磨带按压基板的坡口部的按压面(51a)；和至少1个弹性部件(53)，将硬质部件隔着研磨带而向基板的坡口部按压。
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公开(公告)号：CN101410955B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780011516.4
申请日：2007-03-27
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体，含有作为磨粒的成分(A)、喹啉羧酸和吡啶羧酸中至少一方的成分(B)、除了喹啉羧酸和吡啶羧酸以外的有机酸的成分(C)、作为氧化剂的成分(D)以及作为具有三键的非离子型表面活性剂的成分(E)，所述成分(B)的配合量(WB)与所述成分(C)的配合量(WC)的质量比(WB/WC)为0.01以上且小于2，所述成分(E)由下述通式(1)表示。(式中，m和n各自独立为1以上的整数，并且满足m+n≦50)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100514549C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610093142.2
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76829 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/76802 , H01L21/7684
Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：在衬底的顶面处形成薄膜；抛光所述衬底的背面；以及在抛光所述背面后，抛光形成在所述衬底的所述顶面处的所述薄膜。
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公开(公告)号：CN100402624C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN01122494.0
申请日：2001-07-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09K3/14 , C08J5/14 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3212 , C11D3/14 , C11D11/0047
Abstract: CMP用淤浆，它具有：液体；包含于此液体中的多种研磨粒子，此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子，而此有机与无机粒子则通过热结合一体化。
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公开(公告)号：CN1237613C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN03148279.1
申请日：2003-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/321
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括半导体基板、层间绝缘膜以及在层间绝缘膜中形成的埋入布线，其中，层间绝缘膜包括在基板上形成的并且相对介电常数小于2.5的第一绝缘膜，以及为覆盖第一绝缘膜而形成的并且相对介电常数大于第一绝缘膜的相对介电常数的第二绝缘膜。第二绝缘膜的底部在数个点埋入在第一绝缘膜中。
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公开(公告)号：CN1576347A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410069162.7
申请日：2004-07-05
IPC: C09K3/14
CPC classification number: H01L21/02074 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明中所涉及的化学机械研磨用水性分散体含有：研磨粉粒成分(A)、喹啉羧酸及吡啶羧酸中至少一种所组成的成分(B)、喹啉羧酸及吡啶羧酸以外的有机酸组成的成分(C)、氧化剂成分(D)，且其中成分(B)的含量(WB)与成分(C)的含量(WC)的质量比(WB/WC)在0.01到2之间，氨及铵离子组成的氨成分浓度在0.005摩尔/升以下。这种化学机械研磨用水性分散体，可高效研磨各种被加工层各处，获得非常平坦且高精度的最终面。
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公开(公告)号：CN1487585A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03148279.1
申请日：2003-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/321
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括半导体基板、层间绝缘膜以及在层间绝缘膜中形成的埋入布线，其中，层间绝缘膜包括在基板上形成的并且相对介电常数小于2.5的第一绝缘膜，以及为覆盖第一绝缘膜而形成的并且相对介电常数大于第一绝缘膜的相对介电常数的第二绝缘膜。第二绝缘膜的底部在数个点埋入在第一绝缘膜中。
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