公开(公告)号：CN102194848B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201010294132.1

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口智明 ,  丸龟孝生 ,  石川瑞惠 ,  杉山英行 ,  相川尚德 ,  中山昌彦 ,  岸达也 ,  与田博明 ,  斋藤好昭

IPC: H01L27/22 ,  H01L29/66 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L29/66984 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C11/1697 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种自旋存储器和自旋晶体管，该自旋存储器具备包括铁磁性层叠膜的存储器单元，所述铁磁性层叠膜具有由第1铁磁性层、第1非磁性层、第2铁磁性层、第2非磁性层以及第3铁磁性层按该顺序或者相反顺序层叠而成的层叠结构，第3铁磁性层和第2铁磁性层经由第2非磁性层而反铁磁性地交换耦合，在铁磁性层叠膜中从第1铁磁性层向第3铁磁性层流通单一方向的电流，根据电流的大小对第1铁磁性层进行不同磁化状态的写入，并且进行从第1铁磁性层的读出。

公开(公告)号：CN102194848A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010294132.1

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口智明 ,  丸龟孝生 ,  石川瑞惠 ,  杉山英行 ,  相川尚德 ,  中山昌彦 ,  岸达也 ,  与田博明 ,  斋藤好昭

IPC: H01L27/22 ,  H01L29/66 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L29/66984 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C11/1697 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种自旋存储器和自旋晶体管，该自旋存储器具备包括铁磁性层叠膜的存储器单元，所述铁磁性层叠膜具有由第1铁磁性层、第1非磁性层、第2铁磁性层、第2非磁性层以及第3铁磁性层按该顺序或者相反顺序层叠而成的层叠结构，第3铁磁性层和第2铁磁性层经由第2非磁性层而反铁磁性地交换耦合，在铁磁性层叠膜中从第1铁磁性层向第3铁磁性层流通单一方向的电流，根据电流的大小对第1铁磁性层进行不同磁化状态的写入，并且进行从第1铁磁性层的读出。

公开(公告)号：CN101232073A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810008901.X

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上田知正 ,  相川尚德 ,  吉川将寿 ,  下村尚治 ,  中山昌彦 ,  池川纯夫 ,  细谷启司 ,  长嶺真

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/15 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁电阻元件，包括：具有第一平面和位于与第一平面相反一侧上的第二平面，并且具有可变磁化方向的磁化自由层；提供在磁化自由层的第一平面侧上并且具有被钉扎磁化方向的磁化受钉扎层；提供在磁化自由层与磁化受钉扎层之间的第一隧道势垒层；提供在磁化自由层的第二平面上的第二隧道势垒层；以及提供在第二隧道势垒层的与磁化自由层相反一侧上的平面上的非磁性层。磁化自由层的磁化方向通过在磁化受钉扎层与非磁性层之间施加电流而可变，并且第一隧道势垒层与第二隧道势垒层之间的电阻比在1∶0.25至1∶4的范围内。

公开(公告)号：CN100350499C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200310118330.2

申请日：2003-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 与田博明 ,  浅尾吉昭 ,  上田知正 ,  宫本順一 ,  岸达也 ,  天野实 ,  梶山健 ,  相川尚德

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  H01L29/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明的磁随机访问存储器具有以下特征：写入线被磁轭材料覆盖。MTJ元件的记录层与磁轭材料交换结合。MTJ元件的记录层和与该记录层交换结合的部分的磁轭材料的合计磁量(∑Msi×ti)的值比覆盖写入线的其他部分的磁轭材料的磁量(∑Msi’×ti’)的值小。