公开(公告)号：CN1832172A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610005191.6

申请日：2003-10-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山口正一 ,  二宫英彰 ,  大村一郎 ,  井上智树

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

Abstract: 提供一种维持低导通电压且开关特性良好的电力半导体器件。一种电力半导体器件包含：在离开第2导电类型的集电极层(3)的位置，设置用于划分主单元(MR)和伪单元(DR)的间隔来在第1导电类型的第1基极层(1)内设置的多个沟槽(4)。在主单元内设置第2导电类型的第2基极层(7)和第1导电类型的发射极层(8)，在伪单元内设置第2导电类型的缓冲层(9)。与主单元邻接的沟槽内隔着栅绝缘膜(5)设置栅电极(6)。在缓冲层和发射极层之间插入具有无穷大电阻值的缓冲电阻。在伪单元中附加有使从集电极层流入缓冲层而贮存的第1导电类型的载流子数量减少的抑制结构(9a)。

公开(公告)号：CN1097854C

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN96112047.9

申请日：1996-11-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大村一郎 ,  小仓常雄 ,  松下宪一 ,  二宫英彰

IPC: H01L23/62 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，具有：主开关器件，具有高电压一侧主电极(12)、低电压一侧主电极(18)和第1栅极电极(17)；电场检测器件(20a)，具有与主开关器件产生的规定电场相对应，以不通过上述主开关器件内部的路径，使上述高电压一侧主电极与上述第1栅极电极之间变成导通状态的MOS构造(23，26，27)；导通电压施加装置(Rg)，依据上述导通状态给上述第1栅极电极加上导通电压。

公开(公告)号：CN103681665B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310375874.0

申请日：2013-08-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末代知子 ,  小仓常雄 ,  中村和敏 ,  押野雄一 ,  二宫英彰 ,  池田佳子

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: IGBT区域设在第1电极上，作为IGBT发挥功能。二极管区域设在第1电极上，作为二极管发挥功能。边界区域设在IGBT区域与二极管区域之间，邻接于IGBT区域和二极管区域。第1导电型的集电区层设于IGBT区域及边界区域，在IGBT区域作为IGBT的集电区发挥功能。第2导电型的阴极层与集电区层分开设置在二极管区域，作为二极管的阴极发挥功能。第2导电型的漂移层在IGBT区域、边界区域以及二极管区域中设在集电区层及阴极层的与第1电极相反的一侧。第1导电型的扩散层在边界区域设在漂移层的与第1电极相反的一侧。

公开(公告)号：CN102194862A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110051720.7

申请日：2011-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 二宫英彰

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834

Abstract: 本实施方式的半导体装置包括：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域，选择性地形成在所述第一半导体区域的一主面；第二导电型的第三半导体区域，选择性地形成在所述第一半导体区域的所述一主面的未形成着所述第二半导体区域的区域；第一导电型的第四半导体区域，选择性地形成在所述第二半导体区域的主面；第一控制电极，形成在所述第二半导体区域与所述第三半导体区域之间，且隔着绝缘膜形成在与所述第四半导体区域接触的沟槽内部；第一主电极，与所述第二半导体区域及所述第四半导体区域电连接；第一导电型的第五半导体区域，形成在所述第一半导体区域的与所述一主面为相反侧的另一主面上；第二导电型的第六半导体区域，形成在所述第五半导体区域上；第二主电极，与所述第六半导体区域电连接；及半导体元件，连接在所述第一主电极与所述第三半导体区域之间；且所述半导体元件包含：使用所述第一半导体区域的一部分的沟道，及在所述第一半导体区域的所述一主面上控制所述沟道的第二控制电极。

公开(公告)号：CN1274027C

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200310120906.9

申请日：2003-10-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山口正一 ,  二宫英彰 ,  大村一郎 ,  井上智树

IPC: H01L29/70 ,  H01L29/78 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

Abstract: 提供一种维持低导通电压且开关特性良好的电力半导体器件。一种电力半导体器件包含：在离开第2导电类型的集电极层(3)的位置，设置用于划分主单元(MR)和伪单元(DR)的间隔来在第1导电类型的第1基极层(1)内设置的多个沟槽(4)。在主单元内设置第2导电类型的第2基极层(7)和第1导电类型的发射极层(8)，在伪单元内设置第2导电类型的缓冲层(9)。与主单元邻接的沟槽内隔着栅绝缘膜(5)设置栅电极(6)。在缓冲层和发射极层之间插入具有无穷大电阻值的缓冲电阻。在伪单元中附加有使从集电极层流入缓冲层而贮存的第1导电类型的载流子数量减少的抑制结构(9a)。

公开(公告)号：CN1505173A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310118754.9

申请日：2003-12-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井上智树 ,  杉山公一 ,  二宫英彰 ,  小仓常雄

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/72 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

Abstract: 本发明提供一种具有优良逆恢复特性的半导体器件，其具备：基极层，具有第1主表面和与第1主表面相对的第2主表面，由第1导电型半导体构成；第1主电极层，在第1主表面与基极层连接；控制区，贯通第1主电极层，布置在达到基极层内的槽的内部；第2主电极层，在第2主表面与基极层连接，由第1导电型半导体构成。