公开(公告)号：CN103811561A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310397395.9

申请日：2013-09-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小仓常雄 ,  末代知子 ,  押野雄一 ,  三须伸一郎 ,  池田佳子 ,  中村和敏

IPC: H01L29/868

CPC classification number: H01L27/0814 ,  H01L29/083 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/87

Abstract: 一种半导体装置，具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层；比第一半导体层的杂质浓度低的第一导电型的第二半导体层；设置在第二半导体层的一部分上的第二导电型的第一半导体区域；与第一半导体区域相接的第二导电型的第二半导体区域；设置在第一半导体区域的至少一部分上的第二导电型的第三半导体区域；以及设置在第一半导体区域、第二半导体区域及第三半导体区域之上的第二电极。第三半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度比第一半导体区域的杂质浓度及第二半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度高。由第一半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度比由第二半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度薄。

公开(公告)号：CN103811561B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201310397395.9

申请日：2013-09-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小仓常雄 ,  末代知子 ,  押野雄一 ,  三须伸一郎 ,  池田佳子 ,  中村和敏

IPC: H01L29/868

CPC classification number: H01L27/0814 ,  H01L29/083 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/87

Abstract: 一种半导体装置，具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层；比第一半导体层的杂质浓度低的第一导电型的第二半导体层；设置在第二半导体层的一部分上的第二导电型的第一半导体区域；与第一半导体区域相接的第二导电型的第二半导体区域；设置在第一半导体区域的至少一部分上的第二导电型的第三半导体区域；以及设置在第一半导体区域、第二半导体区域及第三半导体区域之上的第二电极。第三半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度比第一半导体区域的杂质浓度及第二半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度高。由第一半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度比由第二半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度薄。

公开(公告)号：CN103681665A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310375874.0

申请日：2013-08-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末代知子 ,  小仓常雄 ,  中村和敏 ,  押野雄一 ,  二宫英彰 ,  池田佳子

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: IGBT区域设在第1电极上，作为IGBT发挥功能。二极管区域设在第1电极上，作为二极管发挥功能。边界区域设在IGBT区域与二极管区域之间，邻接于IGBT区域和二极管区域。第1导电型的集电区层设于IGBT区域及边界区域，在IGBT区域作为IGBT的集电区发挥功能。第2导电型的阴极层与集电区层分开设置在二极管区域，作为二极管的阴极发挥功能。第2导电型的漂移层在IGBT区域、边界区域以及二极管区域中设在集电区层及阴极层的与第1电极相反的一侧。第1导电型的扩散层在边界区域设在漂移层的与第1电极相反的一侧。

公开(公告)号：CN103681665B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310375874.0

申请日：2013-08-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末代知子 ,  小仓常雄 ,  中村和敏 ,  押野雄一 ,  二宫英彰 ,  池田佳子

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: IGBT区域设在第1电极上，作为IGBT发挥功能。二极管区域设在第1电极上，作为二极管发挥功能。边界区域设在IGBT区域与二极管区域之间，邻接于IGBT区域和二极管区域。第1导电型的集电区层设于IGBT区域及边界区域，在IGBT区域作为IGBT的集电区发挥功能。第2导电型的阴极层与集电区层分开设置在二极管区域，作为二极管的阴极发挥功能。第2导电型的漂移层在IGBT区域、边界区域以及二极管区域中设在集电区层及阴极层的与第1电极相反的一侧。第1导电型的扩散层在边界区域设在漂移层的与第1电极相反的一侧。

公开(公告)号：CN103681786A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310386727.3

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小仓常雄 ,  末代知子 ,  押野雄一 ,  池田佳子 ,  中村和敏 ,  下条亮平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/083 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体层，设置于所述第1电极与所述第2电极之间，与所述第1电极进行欧姆接触；第1导电型的第2半导体层，包括设置于所述第1半导体层与所述第2电极之间的部分和设置于所述第1电极与所述第2电极之间并与所述第1电极进行肖特基接触的部分，所述第2半导体层的有效杂质浓度比所述第1半导体层的有效杂质浓度低；第1导电型的第3半导体层，设置于所述第2半导体层与所述第2电极之间，所述第3半导体层的有效杂质浓度比所述第2半导体层的有效杂质浓度低；以及第2导电型的第4半导体层，设置于所述第3半导体层与所述第2电极之间，与所述第2电极接触。