半导体装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103811561A

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:CN201310397395.9

    申请日:2013-09-04

    Abstract: 一种半导体装置,具备:第一电极;第一导电型的第一半导体层;比第一半导体层的杂质浓度低的第一导电型的第二半导体层;设置在第二半导体层的一部分上的第二导电型的第一半导体区域;与第一半导体区域相接的第二导电型的第二半导体区域;设置在第一半导体区域的至少一部分上的第二导电型的第三半导体区域;以及设置在第一半导体区域、第二半导体区域及第三半导体区域之上的第二电极。第三半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度比第一半导体区域的杂质浓度及第二半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度高。由第一半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度比由第二半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度薄。

    半导体装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103811561B

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201310397395.9

    申请日:2013-09-04

    Abstract: 一种半导体装置,具备:第一电极;第一导电型的第一半导体层;比第一半导体层的杂质浓度低的第一导电型的第二半导体层;设置在第二半导体层的一部分上的第二导电型的第一半导体区域;与第一半导体区域相接的第二导电型的第二半导体区域;设置在第一半导体区域的至少一部分上的第二导电型的第三半导体区域;以及设置在第一半导体区域、第二半导体区域及第三半导体区域之上的第二电极。第三半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度比第一半导体区域的杂质浓度及第二半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度高。由第一半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度比由第二半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度薄。

    半导体装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103681665A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201310375874.0

    申请日:2013-08-26

    Abstract: IGBT区域设在第1电极上,作为IGBT发挥功能。二极管区域设在第1电极上,作为二极管发挥功能。边界区域设在IGBT区域与二极管区域之间,邻接于IGBT区域和二极管区域。第1导电型的集电区层设于IGBT区域及边界区域,在IGBT区域作为IGBT的集电区发挥功能。第2导电型的阴极层与集电区层分开设置在二极管区域,作为二极管的阴极发挥功能。第2导电型的漂移层在IGBT区域、边界区域以及二极管区域中设在集电区层及阴极层的与第1电极相反的一侧。第1导电型的扩散层在边界区域设在漂移层的与第1电极相反的一侧。

    半导体装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103681665B

    公开(公告)日:2016-12-28

    申请号:CN201310375874.0

    申请日:2013-08-26

    Abstract: IGBT区域设在第1电极上,作为IGBT发挥功能。二极管区域设在第1电极上,作为二极管发挥功能。边界区域设在IGBT区域与二极管区域之间,邻接于IGBT区域和二极管区域。第1导电型的集电区层设于IGBT区域及边界区域,在IGBT区域作为IGBT的集电区发挥功能。第2导电型的阴极层与集电区层分开设置在二极管区域,作为二极管的阴极发挥功能。第2导电型的漂移层在IGBT区域、边界区域以及二极管区域中设在集电区层及阴极层的与第1电极相反的一侧。第1导电型的扩散层在边界区域设在漂移层的与第1电极相反的一侧。

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