公开(公告)号：CN106875969A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610811820.8

申请日：2016-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 与田博明 ,  下村尚治 ,  大泽裕一 ,  大坊忠臣 ,  井口智明 ,  白鸟聪志 ,  山百合 ,  上口裕三

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明涉及磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。

公开(公告)号：CN100592544C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200810008901.X

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上田知正 ,  相川尚德 ,  吉川将寿 ,  下村尚治 ,  中山昌彦 ,  池川纯夫 ,  细谷启司 ,  长嶺真

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/15 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁电阻元件，包括：具有第一平面和位于与第一平面相反一侧上的第二平面，并且具有可变磁化方向的磁化自由层；提供在磁化自由层的第一平面侧上并且具有被钉扎磁化方向的磁化受钉扎层；提供在磁化自由层与磁化受钉扎层之间的第一隧道势垒层；提供在磁化自由层的第二平面上的第二隧道势垒层；以及提供在第二隧道势垒层的与磁化自由层相反一侧上的平面上的非磁性层。磁化自由层的磁化方向通过在磁化受钉扎层与非磁性层之间施加电流而可变，并且第一隧道势垒层与第二隧道势垒层之间的电阻比在1∶0.25至1∶4的范围内。