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公开(公告)号：CN118222944A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410333552.8
申请日：2024-03-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氢液化用钆基非晶磁制冷材料及其制备方法和应用，属于磁制冷材料技术领域。钆基非晶磁制冷材料化学通式为GdaCobCc，a、b、c分别表示Gd、Co、C的原子含量，27≤a≤40，22≤b≤40，30≤c≤45，a+b+c＝100。钆基非晶磁制冷材料的制备方法如下：配料，稀土稍过量；在高纯氩气气氛保护下熔炼3‑5次，以保证成分均匀性；表面清理干净后，破碎成小块合金铸锭；采用感应熔炼甩带装置，将铸锭在氩气气氛下重熔，保温后甩带，得到GdaCobCc条带非晶磁制冷材料。制备的钆基非晶磁制冷材料，磁转变温度为25K～65K；在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为10.1J/kgK～13.3J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为13.6J/kgK～17.3J/kgK；具有较高的磁熵变，满足氢气液化需要。
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公开(公告)号：CN115497701A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211325249.0
申请日：2022-10-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料，化学通式为MnaAlbCocFedCreZf；其中Z为Cu、Ti、Zr、Ag、Nb、Zn中的一种或多种，a、b、c、d、e、f表示原子摩尔含量，a+b+c+d+e+f＝100，且16≤a≤24，16≤b≤24，10≤c≤30，15≤d≤28，18≤e≤30，0≤f≤8。本发明还公开了一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料的制备方法，制备的磁制冷材料在240K‑360K温度范围内具有可逆大磁热效应。本发明采用上述无稀土宽温区跨室温磁制冷材料及其制备方法，能够解决现有的磁制冷材料成本高、制冷温区窄和可逆性差的问题。
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公开(公告)号：CN103833222B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410016366.8
申请日：2014-01-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种Fe纳米颗粒掺杂的多功能量子点玻璃材料。本发明采用溶胶-凝胶法在气氛的控制下将Fe纳米颗粒镶嵌在玻璃基体中，通过调节玻璃基体的组成、合成工艺、纳米颗粒的掺杂浓度、烧结气氛等，可得到透明度高、Fe纳米颗粒分散均匀、尺寸可控的玻璃。所得玻璃不仅具有玻璃基质物化性能稳定性高、Fe纳米颗粒不易被氧化的优点，同时表现出Fe纳米颗粒优异的光学、磁学性质以及大的非线性光学效应。本发明所用原料来源广泛、价格低廉、易于获得；所用合成方法工艺简单、条件温和、重复性好、可控性高；本发明为制备颗粒尺寸小、分散均匀的Fe纳米晶提供了新思路；拓宽了Fe纳米颗粒的应用领域，为其在非线性光学器件的应用奠定基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116811287A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310808850.3
申请日：2023-07-04
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B29C69/00 , B29C33/38 , B29C64/124 , B33Y10/00
Abstract: 本发明公布了一种基于3D打印的锥形阵列柔性压力传感器制备方法：首先通过建模软件制作所需模具的3D模型，利用光固化3D打印技术打印出所需模型。接着制备柔性有机物，将其加入到模具后置入真空箱消除气泡，随后置于70℃烤胶机上固化5小时后从模具中脱模，最后将样品浸入碳纳米管(CNT)溶液中，搅拌后得到CNT均匀涂覆的带有表面褶皱微结构的锥形阵列柔性压力传感器。本发明利用光固化3D打印实现了微米级褶皱微结构的锥形阵列柔性压力传感器，该制备方法简单、使用重复率高、周期短且易于控制。
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公开(公告)号：CN116698235A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310807262.8
申请日：2023-07-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公布了一种双层锥形阵列柔性压力传感器制备方法：首先通过solidworks建模软件制作所需模具的3D模型，利用光固化3D打印技术打印出所需模型。接着制备柔性有机物，将其加入到模具后置入真空箱消除气泡，将制作好的表面小孔模具盖在原有模具上，随后置于烘箱中固化数小时，固化后从模具中脱模，将固化后的样品切成矩形小块。最后将样品浸入碳纳米管（CNT）溶液中，搅拌后得到CNT均匀涂覆的带有表面褶皱微结构的双层锥形阵列柔性压力传感器。本发明利用光固化3D打印实现了微米级褶皱微结构的双层结构锥形阵列柔性压力传感器，该制备方法简单、使用重复率高、周期短且易于控制。
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公开(公告)号：CN116232237A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310126657.1
申请日：2023-02-17
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于提升量子干涉仪性能的无噪声放大方法，包括如下步骤：步骤1、将光源1、光源2注入到第一光学参量放大器中进行分束，得到两束光；步骤2、将两束光分别注入到各自光路的无噪声线性放大器进行放大；步骤3、放大后的光路的其中一束光中的信号光经过相移器，相位发生改变；步骤4、将改变相位后的两束光注入第二光学参量放大器进行合束；步骤5、通过光电探测器探测输出量子态。该方法在利用非高斯操作进一步提升SU(1,1)干涉仪的相位灵敏度，使得干涉仪能够在有损耗得环境中也能够高性能地运作，突破标准量子极限的精密位相测量。
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公开(公告)号：CN114561580B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210203082.4
申请日：2022-03-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C22C28/00 , C22C1/04 , C22C1/02 , C22F1/16 , B22F9/04 , B22F3/14 , B22F1/052 , H01F1/01 , H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种RE4TCd磁制冷材料，所述RE为稀土元素Dy、Ho、Tm中的一种或两种之间的混合，T为过渡金属元素Ni、Cu中的一种或两种之间的混合。本发明还公开了一种RE4TCd磁制冷材料的制备方法，包括将稀土金属与过渡金属混合熔化成RE4T合金锭，RE4T合金锭破碎与Cd粉混合，在密封模具中高压低温下烧结，再经热处理得到RE4TCd材料。本发明所述的一种RE4TCd磁制冷材料及其制备方法制备的RE4TCd磁制冷材料，在0～5的磁场变化下，磁熵变值为16.4～25.8J/kg K，具有较大的磁熵变，拓宽低温磁制冷材料的应用。
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公开(公告)号：CN105483646B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610038774.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种紫外吸收薄膜材料的制备方法。近紫外光吸收屏蔽薄膜常见的有氧化锌薄膜，氧化锌薄膜化学性质不够稳定比如遇到弱酸即溶解。六方氮化硼化学稳定性好，薄膜柔韧性好，光学禁带宽度6.1eV，能够吸收屏蔽202nm附近的紫外光，可以用作紫外吸收屏蔽材料。但是六方氮化硼紫外吸收范围窄，通过氧掺杂后可以调节六方氮化硼的禁带宽度，增加六方氮化硼对紫外光的吸收范围。本专利通过化学气相沉积法在生长六方氮化硼的同时进行氧掺杂，获得氧掺杂六方氮化硼薄膜，这种方法制备的六方氮化硼薄膜对紫外光吸收的波长范围扩大到190nm～380nm，适合用作近紫外光的吸收材料。
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