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公开(公告)号：CN115497701A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211325249.0
申请日：2022-10-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料，化学通式为MnaAlbCocFedCreZf；其中Z为Cu、Ti、Zr、Ag、Nb、Zn中的一种或多种，a、b、c、d、e、f表示原子摩尔含量，a+b+c+d+e+f＝100，且16≤a≤24，16≤b≤24，10≤c≤30，15≤d≤28，18≤e≤30，0≤f≤8。本发明还公开了一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料的制备方法，制备的磁制冷材料在240K‑360K温度范围内具有可逆大磁热效应。本发明采用上述无稀土宽温区跨室温磁制冷材料及其制备方法，能够解决现有的磁制冷材料成本高、制冷温区窄和可逆性差的问题。
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公开(公告)号：CN113667934B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110816328.0
申请日：2021-07-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁性材料领域，为了克服现有磁性材料可调控性能低，二维磁性材料磁性调节可重复性差的不足，公开一种磁性可控的二维磁性复合材料及其制备方法。底衬层与磁性层之间通过耦合作用力连接，当温度改变时会影响底衬层内部状态的改变，底衬层受到内力作用，进而会对磁性层施加应力，这种应力作用于磁性层，则会表现出磁学特性的变化。只需要控制温度就可以达到力的作用过程的可逆性，因而便实现了从调控温度的角度对磁性层磁性强弱的调控。
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公开(公告)号：CN113667934A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110816328.0
申请日：2021-07-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁性材料领域，为了克服现有磁性材料可调控性能低，二维磁性材料磁性调节可重复性差的不足，公开一种磁性可控的二维磁性复合材料及其制备方法。底衬层与磁性层之间通过耦合作用力连接，当温度改变时会影响底衬层内部状态的改变，底衬层受到内力作用，进而会对磁性层施加应力，这种应力作用于磁性层，则会表现出磁学特性的变化。只需要控制温度就可以达到力的作用过程的可逆性，因而便实现了从调控温度的角度对磁性层磁性强弱的调控。
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公开(公告)号：CN115924928B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202211444287.8
申请日：2022-11-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于二维反铁磁磁性材料制备技术领域，涉及一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，包括以下步骤：步骤一，过渡族金属硼化物块体准备、配制电解液；步骤二，过渡族金属硼化物的电化学剥离；步骤三，二维金属硼化物的提纯与干燥。本发明发现了一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，可通过块体减薄所获得的薄层结构具备室温反铁磁的特性，同时解决了其金属向半导体转化的难题，形成的二维金属硼化物相变温度高，为未来在自旋电子学领域的发展提供了更多的种类。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116487479A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310456234.6
申请日：2023-04-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H10N50/01
Abstract: 本发明属于二维光电材料技术领域，涉及一种增强低维半导体光电性能的方法，包括以下步骤；二维磁性材料和低维半导体材料晶体的制取；薄层二维磁性材料和低维半导体材料的分离；薄层二维磁性材料和低维半导体材料光电异质结的构筑。本发明利用二维磁性材料的自旋注入，通过低维半导体与磁性材料的影响，提高了低维半导体材料的光电性能，为提高低维半导体光电性能提供了一种新型简易的方法。
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公开(公告)号：CN115497701B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202211325249.0
申请日：2022-10-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料，化学通式为MnaAlbCocFedCreZf；其中Z为Cu、Ti、Zr、Ag、Nb、Zn中的一种或多种，a、b、c、d、e、f表示原子摩尔含量，a+b+c+d+e+f＝100，且16≤a≤24，16≤b≤24，10≤c≤30，15≤d≤28，18≤e≤30，0≤f≤8。本发明还公开了一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料的制备方法，制备的磁制冷材料在240K‑360K温度范围内具有可逆大磁热效应。本发明采用上述无稀土宽温区跨室温磁制冷材料及其制备方法，能够解决现有的磁制冷材料成本高、制冷温区窄和可逆性差的问题。
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公开(公告)号：CN115924928A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211444287.8
申请日：2022-11-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于二维反铁磁磁性材料制备技术领域，涉及一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，包括以下步骤：步骤一，过渡族金属硼化物块体准备、配制电解液；步骤二，过渡族金属硼化物的电化学剥离；步骤三，二维金属硼化物的提纯与干燥。本发明发现了一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，可通过块体减薄所获得的薄层结构具备室温反铁磁的特性，同时解决了其金属向半导体转化的难题，形成的二维金属硼化物相变温度高，为未来在自旋电子学领域的发展提供了更多的种类。
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公开(公告)号：CN113363376B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110413399.6
申请日：2021-04-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及二维磁性材料领域，针对目前二维铁磁材料通过离子栅调控等优化磁性的方法存在磁性弱，可重复性、可逆性差的缺点，公开一种二维铁磁材料的磁性可控调节方法，包括将二维铁磁材料薄片放置在硬质衬底上；制备包覆二维铁磁材料的高模量的高分子致密膜；在高分子致密膜表面粘附高分子柔性衬底，然后将高分子柔性衬底连带高分子致密膜、二维铁磁材料整体从硬质衬底上剥离得到柔性基板；在高分子柔性衬底侧对柔性基板施加弯曲应力，调控柔性基板的弯曲半径对二维铁磁材料磁性进行连续可控调节。本发明的方法可实现二维铁磁材料的可控、可逆且连续磁性调节，二维铁磁材料的磁性强度高，同时还能提升居里温度。
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公开(公告)号：CN113363376A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110413399.6
申请日：2021-04-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及二维磁性材料领域，针对目前二维铁磁材料通过离子栅调控等优化磁性的方法存在磁性弱，可重复性、可逆性差的缺点，公开一种二维铁磁材料的磁性可控调节方法，包括将二维铁磁材料薄片放置在硬质衬底上；制备包覆二维铁磁材料的高模量的高分子致密膜；在高分子致密膜表面粘附高分子柔性衬底，然后将高分子柔性衬底连带高分子致密膜、二维铁磁材料整体从硬质衬底上剥离得到柔性基板；在高分子柔性衬底侧对柔性基板施加弯曲应力，调控柔性基板的弯曲半径对二维铁磁材料磁性进行连续可控调节。本发明的方法可实现二维铁磁材料的可控、可逆且连续磁性调节，二维铁磁材料的磁性强度高，同时还能提升居里温度。
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