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公开(公告)号：CN105483646A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610038774.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种紫外吸收薄膜材料的制备方法。近紫外光吸收屏蔽薄膜常见的有氧化锌薄膜，氧化锌薄膜化学性质不够稳定比如遇到弱酸即溶解。六方氮化硼化学稳定性好，薄膜柔韧性好，光学禁带宽度6.1eV，能够吸收屏蔽202nm附近的紫外光，可以用作紫外吸收屏蔽材料。但是六方氮化硼紫外吸收范围窄，通过氧掺杂后可以调节六方氮化硼的禁带宽度，增加六方氮化硼对紫外光的吸收范围。本发明通过化学气相沉积法在生长六方氮化硼的同时进行氧掺杂，获得氧掺杂六方氮化硼薄膜，这种方法制备的六方氮化硼薄膜对紫外光吸收的波长范围扩大到190nm～380nm，适合用作近紫外光的吸收材料。
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公开(公告)号：CN114540029A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210253849.4
申请日：2022-03-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土钨酸盐晶体，晶体的化学式为A2R4(MO4)7，其中A为Na、K中的至少一种；当A为Na时，R为Gd，M为W；当A为K时，R为Y、Gd的至少一种；M为W和Mo中的至少一种。A2R4(MO4)7材料为四方结构，属于I 41/a空间群。本发明还公开了稀土钨酸盐光致发光材料及其制备方法，化学式为A2R4‑xR'x(MO4)7，0＜x≤0.4，其中A为Na、K中的至少一种；当A为Na时，R为Gd，M为W；当A为K时，R为Y、Gd的至少一种；R'为Ce、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的至少一种，M为W和Mo中的至少一种。本发明采用上述稀土钨酸盐光致发光材料及其制备方法，能够制备出性能稳定可靠的纳米荧光粉材料，制备方法简单，易操作，原料低廉易得，可作为工业化生产方法应用。
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公开(公告)号：CN105895521A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610161102.0
申请日：2016-03-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅刻蚀的方法。软光刻技术相对于传统光刻技术，具有方便灵活易于实现的优点，不仅如此它还能用于刻蚀复杂的空间三维结构。光刻中常用的刻蚀剂是氢氟酸，氢氟酸具有很强的腐蚀性和毒性，在条件一般的实验室中是不适合应用的。寻找氢氟酸的替代物，减小因暴露于氢氟酸环境中造成的危害，对于光刻来说是有意义的。本专利通过压印技术将氟化物转移至目标基底并在简单条件下实现了光刻，专利中利用低毒性的氟化物代替高毒性的氢氟酸在实现光刻的同时降低了氢氟酸的危害。
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公开(公告)号：CN114974771A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210786135.X
申请日：2022-07-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于低温磁制冷的双钙钛矿磁制冷材料，包括稀土基单斜双钙钛矿磁制冷材料，所述稀土基单斜双钙钛矿磁制冷材料的化学式为Ca2REMO6，其中RE为Gd、Dy、Ho、Er中的一种，M为Nb、Ta中的一种。此制冷材料通过将RE2(NO3)3·6H2O、Ca(NO3)2·6H2O、MCl5和柠檬酸混合，加热搅拌，干燥研磨后得到成品。本发明采用上述一种应用于低温磁制冷的双钙钛矿磁制冷材料及制备方法，材料化学稳定性好，相较于稀土金属间化合物而言，对制备时间安排要求不苛刻，制备工艺简单，有效提高了产量和降低了成本，可用于工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN114561580A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210203082.4
申请日：2022-03-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C22C28/00 , C22C1/04 , C22C1/02 , C22F1/16 , B22F9/04 , B22F3/14 , B22F1/052 , H01F1/01 , H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种RE4TCd磁制冷材料，所述RE为稀土元素Dy、Ho、Tm中的一种或两种之间的混合，T为过渡金属元素Ni、Cu中的一种或两种之间的混合。本发明还公开了一种RE4TCd磁制冷材料的制备方法，包括将稀土金属与过渡金属混合熔化成RE4T合金锭，RE4T合金锭破碎与Cd粉混合，在密封模具中高压低温下烧结，再经热处理得到RE4TCd材料。本发明所述的一种RE4TCd磁制冷材料及其制备方法制备的RE4TCd磁制冷材料，在0～5的磁场变化下，磁熵变值为16.4～25.8J/kg K，具有较大的磁熵变，拓宽低温磁制冷材料的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106431402B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201610868690.1
申请日：2016-09-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/50
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料，所述超巨磁电阻材料的化学通式为：(PrCLaDSrECaF)MnO3，其中，Mn为金属锰，O为氧，其中，C+D=0.7，E+F=0.3，所述超巨磁电阻材料具有ABO3型钙钛矿晶体结构。本发明还公开了钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的制备方法。本发明的钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的控制方法工艺简单，易于实现。制备得到的磁性材料在外加磁场下电阻变化显著，磁电阻较高，金属‑绝缘转变温度及磁电阻最大值在200～300K温度范围内随成分变化连续可调，且本发明的超巨磁电阻材料具有良好的磁电性能。
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公开(公告)号：CN105895521B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610161102.0
申请日：2016-03-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅刻蚀的方法。软光刻技术相对于传统光刻技术，具有方便灵活易于实现的优点，不仅如此它还能用于刻蚀复杂的空间三维结构。光刻中常用的刻蚀剂是氢氟酸，氢氟酸具有很强的腐蚀性和毒性，在条件一般的实验室中是不适合应用的。寻找氢氟酸的替代物，减小因暴露于氢氟酸环境中造成的危害，对于光刻来说是有意义的。本专利通过压印技术将氟化物转移至目标基底并在简单条件下实现了光刻，专利中利用低毒性的氟化物代替高毒性的氢氟酸在实现光刻的同时降低了氢氟酸的危害。
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公开(公告)号：CN106431402A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610868690.1
申请日：2016-09-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/50
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料，所述超巨磁电阻材料的化学通式为：(PrCLaDSrECaF)MnO3，其中，Mn为金属锰，O为氧，其中，C+D=0.7，E+F=0.3，所述超巨磁电阻材料具有ABO3型钙钛矿晶体结构。本发明还公开了钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的制备方法。本发明的钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的控制方法工艺简单，易于实现。制备得到的磁性材料在外加磁场下电阻变化显著，磁电阻较高，金属-绝缘转变温度及磁电阻最大值在200～300K温度范围内随成分变化连续可调，且本发明的超巨磁电阻材料具有良好的磁电性能。
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公开(公告)号：CN103833222A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410016366.8
申请日：2014-01-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种Fe纳米颗粒掺杂的多功能量子点玻璃材料。本发明采用溶胶-凝胶法在气氛的控制下将Fe纳米颗粒镶嵌在玻璃基体中，通过调节玻璃基体的组成、合成工艺、纳米颗粒的掺杂浓度、烧结气氛等，可得到透明度高、Fe纳米颗粒分散均匀、尺寸可控的玻璃。所得玻璃不仅具有玻璃基质物化性能稳定性高、Fe纳米颗粒不易被氧化的优点，同时表现出Fe纳米颗粒优异的光学、磁学性质以及大的非线性光学效应。本发明所用原料来源广泛、价格低廉、易于获得；所用合成方法工艺简单、条件温和、重复性好、可控性高；本发明为制备颗粒尺寸小、分散均匀的Fe纳米晶提供了新思路；拓宽了Fe纳米颗粒的应用领域，为其在非线性光学器件的应用奠定基础。
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公开(公告)号：CN118222944A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410333552.8
申请日：2024-03-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氢液化用钆基非晶磁制冷材料及其制备方法和应用，属于磁制冷材料技术领域。钆基非晶磁制冷材料化学通式为GdaCobCc，a、b、c分别表示Gd、Co、C的原子含量，27≤a≤40，22≤b≤40，30≤c≤45，a+b+c＝100。钆基非晶磁制冷材料的制备方法如下：配料，稀土稍过量；在高纯氩气气氛保护下熔炼3‑5次，以保证成分均匀性；表面清理干净后，破碎成小块合金铸锭；采用感应熔炼甩带装置，将铸锭在氩气气氛下重熔，保温后甩带，得到GdaCobCc条带非晶磁制冷材料。制备的钆基非晶磁制冷材料，磁转变温度为25K～65K；在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为10.1J/kgK～13.3J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为13.6J/kgK～17.3J/kgK；具有较高的磁熵变，满足氢气液化需要。
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