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公开(公告)号：CN105895521A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610161102.0
申请日：2016-03-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅刻蚀的方法。软光刻技术相对于传统光刻技术，具有方便灵活易于实现的优点，不仅如此它还能用于刻蚀复杂的空间三维结构。光刻中常用的刻蚀剂是氢氟酸，氢氟酸具有很强的腐蚀性和毒性，在条件一般的实验室中是不适合应用的。寻找氢氟酸的替代物，减小因暴露于氢氟酸环境中造成的危害，对于光刻来说是有意义的。本专利通过压印技术将氟化物转移至目标基底并在简单条件下实现了光刻，专利中利用低毒性的氟化物代替高毒性的氢氟酸在实现光刻的同时降低了氢氟酸的危害。
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公开(公告)号：CN105648419A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610038377.5
申请日：2016-01-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明涉及一种降低六方氮化硼二维薄膜厚度的方法。目前六方氮化硼原子层薄膜的可通过化学气相沉积法生长，但六方氮化硼原子层薄膜生长质量不高，比如单晶晶畴尺寸小，薄膜表层有分散的氮化硼颗粒物或连续的颗粒膜，这些都影响到氮化硼薄膜的性能与应用。本方法通过化学气相沉积法首先合成氮化硼薄膜，然后在不同气氛中对薄膜进行热处理去除表层中的颗粒物，获得薄膜厚度降低后的高质量六方氮化硼二维薄膜，这种方法对于降低氮化硼薄膜厚度与提高薄膜质量是有益的。
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公开(公告)号：CN105908152B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610283359.3
申请日：2016-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼薄膜的转移方法，现有的化学气相沉积法(CVD)制备的二维(2D)原子层材料，通常是长在金属催化剂表面上的，然后用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作辅助，将2D材料转移到目标基底上，最后用有机溶剂去除PMMA。但是有机溶剂难以完全去除PMMA，会有部分残留在2D材料表面，造成污染，即使高温氧化或气氛还原也无法将其完全清除。本专利在被转移的2D材料六方氮化硼和PMMA之间引入中间层，在实现六方氮化硼向基底转移的同时避免了PMMA对六方氮化硼的表面污染。
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公开(公告)号：CN105895521B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610161102.0
申请日：2016-03-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅刻蚀的方法。软光刻技术相对于传统光刻技术，具有方便灵活易于实现的优点，不仅如此它还能用于刻蚀复杂的空间三维结构。光刻中常用的刻蚀剂是氢氟酸，氢氟酸具有很强的腐蚀性和毒性，在条件一般的实验室中是不适合应用的。寻找氢氟酸的替代物，减小因暴露于氢氟酸环境中造成的危害，对于光刻来说是有意义的。本专利通过压印技术将氟化物转移至目标基底并在简单条件下实现了光刻，专利中利用低毒性的氟化物代替高毒性的氢氟酸在实现光刻的同时降低了氢氟酸的危害。
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公开(公告)号：CN107557754A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710600374.0
申请日：2017-07-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种二硫化钨薄膜的制备方法。目前二硫化钨薄膜常用的制备工艺是低压、高温和惰性或还原性气氛中硫源与钨源发生反应获得WS2。为了获得WS2制备的高重复性，有些研究报道在制备工艺中使用成核剂。虽然有较多的研究报道了WS2的CVD合成，但WS2单分子层的可控生长仍旧困难。本方法采用在化学气相沉积法中引入矿化剂，促进了硫化钼薄膜的生长。以WS2为源，水蒸气作为矿化剂，低压高温下在基底上获得二硫化钨薄膜。该方法制备二硫化钨具有薄膜厚度可控、晶形完整和制备重复性高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107572589B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201711023447.0
申请日：2017-10-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种蓝色氧化钨纳米线的制备方法，目前，氧化钨纳米线的制备方法主要包括水热法、热蒸发法、溶胶凝胶法和化学气相沉积法等。虽然氧化钨纳米线的制备方法已有报道，但是制备方法往往复杂，工艺繁琐成本高。本发明方法以硫化钨(WS2)固态粉末为钨源，水蒸汽为氧化还原剂，采用CVD法制备蓝色氧化钨纳米线。本发明采用水蒸汽高温氧化硫化钨粉末来制备蓝色氧化钨纳米线，制备方法简单、产物为蓝色氧化钨纳米线，纳米线的直径分布均匀结晶质量好。
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公开(公告)号：CN105483646B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610038774.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种紫外吸收薄膜材料的制备方法。近紫外光吸收屏蔽薄膜常见的有氧化锌薄膜，氧化锌薄膜化学性质不够稳定比如遇到弱酸即溶解。六方氮化硼化学稳定性好，薄膜柔韧性好，光学禁带宽度6.1eV，能够吸收屏蔽202nm附近的紫外光，可以用作紫外吸收屏蔽材料。但是六方氮化硼紫外吸收范围窄，通过氧掺杂后可以调节六方氮化硼的禁带宽度，增加六方氮化硼对紫外光的吸收范围。本专利通过化学气相沉积法在生长六方氮化硼的同时进行氧掺杂，获得氧掺杂六方氮化硼薄膜，这种方法制备的六方氮化硼薄膜对紫外光吸收的波长范围扩大到190nm～380nm，适合用作近紫外光的吸收材料。
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公开(公告)号：CN107699956A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201711146922.3
申请日：2017-11-17
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明一种利用二维硫化钼刻蚀氧化硅的方法，本发明采用气相沉积法在氧化硅薄膜表面生长具有三角形形貌的硫化钼晶片，晶片厚度为单分子层或多分子层厚薄膜，厚度在1nm到15nm之间；然后将表面生长有硫化钼晶片的氧化硅在一定温度含有水蒸气的密闭容器中处理一定时间，在氧化硅表面刻蚀出图案，完成硫化钼晶片形成的平面图案向氧化硅薄膜表面的转移。本发明方法通过高温水蒸气与硫化钼的作用将氧化硅刻蚀，刻蚀过程中没有氢氟酸这类毒性强的试剂参与，刻蚀过程环保；同时利用该发明可以实现二维硫化物纳米结构图形向氧化硅基底的转移，方法简单、方便和可操作性强。
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公开(公告)号：CN106835074B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201710043653.1
申请日：2017-01-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种氮化硼刻蚀的方法；本发明采用压印法以表面有图案的聚二甲基硅氧烷(PDMS)模板为印章，将氧化石墨烯溶液转印到氮化硼薄膜表面，然后在硫化钼蒸气中在一定温度下保温一定时间，在氮化硼表面刻蚀出图案，完成PDMS表面的图案向氮化硼表面的转移。本发明通过二硫化钼蒸气催化分解氮化硼，降低了氮化硼光刻条件，方法简单、方便和可操作性强。
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公开(公告)号：CN108588673A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201710600863.6
申请日：2017-07-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/30
Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼薄膜材料的制备方法。目前二硫化钼薄膜可通过化学气相沉积法生长，这种方法制备的二硫化钼薄膜往往存在重复性差、结晶质量低的问题，从而影响了二硫化钼薄膜性能研究和应用。本方法采用在化学气相沉积法中引入矿化剂，促进了硫化钼薄膜的生长。以固态硫化钼粉末为源，水蒸气作为矿化剂，低压高温下在基底上获得二硫化钼薄膜。该方法制备二硫化钼薄膜具有薄膜厚度可控、晶形完整和制备重复性高的优点，对于化学气相沉积法制备二硫化钼以及二维过渡金属硫族化合物等二维材料的制备是有益的。
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